接触结构制造技术

本发明专利技术实施例公开一种接触结构和半导体器件以及其形成方法。所述接触结构包含第一金属层和第二金属层。所述第一金属层设置在第一介电层中。所述第二金属层设置在第二介电层中并延伸到所述第一介电层中以电连接所述第一金属层，其中所述第一金属层和所述第二金属层包含不同金属。

Contact structure

【技术实现步骤摘要】
接触结构
本专利技术实施例涉及一种接触结构。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业已经历指数成长。IC材料以及设计的技术进展已生产数代IC，其中每一代具有比前一代小且更复杂的电路。在IC演进过程中，功能密度(即，每芯片区域互连器件的数目)一般会增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件(或线))会减小。此按比例缩小工艺通常通过增加生产效率和降低相关联成本来提供效益。这类按比例缩小也增加了接触电阻(例如栅极接触电阻、源极接触电阻与漏极接触电阻)的变化。尽管现有场效晶体管以及形成场效晶体管的方法一般已足够用于其预期目的，但是其并非在所有方面完全令人满意。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例，一种接触结构包含第一金属层和第二金属层。第一金属层设置在第一介电层中。第二金属层设置在第二介电层中并延伸到第一介电层中以电连接第一金属层，其中第一金属层和第二金属层包含不同金属。附图说明当结合附图阅读以下详细描述时，会从中最好地理解本专利技术的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增加或减小各种特征的关键尺寸。图1A到图1F是根据本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接触结构，其特征在于，包括：第一金属层，其设置在第一介电层中；及第二金属层，其设置在第二介电层中并延伸到所述第一介电层中以电连接所述第一金属层，其中所述第一金属层及所述第二金属层包括不同金属。

【技术特征摘要】
2018.02.26 US 15/905,7651.一种接触结构，其特征在于，包括：第一金属层，其设...

【专利技术属性】
技术研发人员：李颖，戴贤明，黄健铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71