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本发明实施例公开一种接触结构和半导体器件以及其形成方法。所述接触结构包含第一金属层和第二金属层。所述第一金属层设置在第一介电层中。所述第二金属层设置在第二介电层中并延伸到所述第一介电层中以电连接所述第一金属层，其中所述第一金属层和所述第二金...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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