场效应晶体管及其制作方法，显示元件，图像显示装置和系统制造方法及图纸

一种场效应晶体管，包括：栅电极，其构造为施加栅电压；源电极和漏电极，其构造为将电流输出；有源层，其设置在源电极和漏电极之间并由氧化物半导体形成；和栅极绝缘层，其设置在栅电极和有源层之间，源电极和漏电极各自包括由金属形成的金属区域和由一种或多种金属氧化物形成的氧化物区域，以及源电极和漏电极的每个中的氧化物区域的一部分与有源层接触，并且氧化物区域的其余部分与除有源层之外的一个或多个部件接触。

Field-effect transistors and their fabrication methods, display elements, image display devices and systems

A field effect transistor includes: a gate electrode, which is constructed to apply gate voltage; a source electrode and a drain electrode, which are constructed to output current; an active layer, which is arranged between the source electrode and the drain electrode and is formed by oxide semiconductor; and a gate insulating layer, which is arranged between the gate electrode and the active layer, and the source electrode and the drain electrode respectively comprise a metal region formed by metal and a metal region formed by metal. The oxide region formed by one or more metal oxides and part of the oxide region in each of the source and drain electrodes are in contact with the active layer, and the rest of the oxide region is in contact with one or more components other than the active layer.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】场效应晶体管及其制作方法，显示元件，图像显示装置和系统
本公开涉及场效应晶体管及其制作方法，显示元件，图像显示装置和系统。
技术介绍
诸如液晶显示器(LCD)、有机EL(电致发光)显示器(OLED)和电子纸的平板显示器(FPD)由包括薄膜晶体管(TFT)的驱动电路驱动，在所述薄膜晶体管，非晶硅或多晶硅用作有源层。在FPD的开发中，已经注意到生产包括场效应晶体管的TFT，该场效应晶体管在有源层的沟道形成区域上包括具有在元件之间的高载流子迁移率和小的不均匀性的氧化物半导体膜，以及将TFT应用于电子装置或光学装置。在包括用作有源层的氧化物半导体的场效应晶体管中，Al的堆叠金属膜和包括作为典型金属材料的过渡金属(Mo，Ti或其合金)的阻挡层可以是用于源电极和漏电极的材料(例如，参见专利文献1)。在此情况下，关注所得晶体管变为常导通场效应晶体管，即使在未施加晶体管的栅极电压时，在源电极和漏电极之间流过大量电流。引用文献列表专利文献专利文献1：日本未审查专利申请公开号2011-216694
技术实现思路
技术问题本公开的目的是提供一种场效应晶体管，其防止要为有源层的氧化物半导体在氧化物半导体与源电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种场效应晶体管，包括：栅电极，该栅电极构造为施加栅极电压；源电极和漏电极，该源电极和漏电极被构造为将电流输出；有源层，该有源层设置在源电极和漏电极之间并由氧化物半导体形成；和栅极绝缘层，该栅极绝缘层设置在栅电极和有源层之间，其中，源电极和漏电极各自包括由金属形成的金属区域和由一种或多种金属氧化物形成的氧化物区域，和其中，源电极和漏电极的每个中的氧化物区域的一部分与有源层接触，并且该氧化物区域的其余部分与除有源层之外的一个或多个部件接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.20 JP 2016-142511;2017.06.02 JP 2017-109741.一种场效应晶体管，包括：栅电极，该栅电极构造为施加栅极电压；源电极和漏电极，该源电极和漏电极被构造为将电流输出；有源层，该有源层设置在源电极和漏电极之间并由氧化物半导体形成；和栅极绝缘层，该栅极绝缘层设置在栅电极和有源层之间，其中，源电极和漏电极各自包括由金属形成的金属区域和由一种或多种金属氧化物形成的氧化物区域，和其中，源电极和漏电极的每个中的氧化物区域的一部分与有源层接触，并且该氧化物区域的其余部分与除有源层之外的一个或多个部件接触。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，源电极和漏电极的每个中的氧化物区域的区域中的氧浓度朝向金属区域减小，源电极和漏电极的每个中的氧化物区域的区域与有源层接触。3.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，其中，金属是过渡金属的单质或其合金。4.根据权利要求1至3中任一项所述的场效应晶体管，其中，所述金属包括选自由Ti、V、Nb、Ta、Mo和W组成的组中的至少一种。5.根据权利要求1至4中任一项所述的场效应晶体管，其中，所述源电极和所述漏电极各自具有第一层和第二层的堆叠结构，所述第一层包括所述金属区域和氧化物区域，第二层由金属形成。6.根据权利要求1或2的场效应晶体管，其中，氧化物包括具有正价的过渡金属和具有大于过渡金属的正价的正价的取代掺杂剂，和其中金属包括过渡金属元素和相对于氧化物作为掺杂剂的元素。7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中，过渡金属元素包括选自由Ti、V、Nb、Ta、Mo和W组成的组中的至少一种。8.根据权利要求6或7所述的场效应晶体管，其中，用作相对于氧化物的掺杂剂的元素包括选自由V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn和Re组成的组中的至少一种。9.根据权利要求1至8中任一项所述的场效应晶体管，其中，所述氧化物半导体包括选自由In、Zn、Sn和Ti组成的组中的至少一种。10.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中，氧化物半导体包括至少一种碱土金属元素。11.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中氧化物半导体包括稀土元素中的至少一种。12.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中，氧化物半导体是n型氧化物半导体并且用至少一种选自由二价阳离子、三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子、六价阳离子、七价阳离子和八价阳离子组成的组中的掺杂剂进行取代掺杂，和其中掺杂剂的化合价大于构成氧化物半导体的金属离子的化合价，假定掺杂剂从金属离子中排除。13.一种用于制作根据权利要求1至12中任一项所述的场效...

【专利技术属性】
技术研发人员：草柳岭秀，植田尚之，中村有希，安部由希子，松本真二，曾根雄司，早乙女辽一，新江定宪，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：发明
国别省市：日本,JP