【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长炉温场检测装置
本技术涉及晶体生长检测设备，特别是一种晶体生长炉温场检测装置。
技术介绍
随着电子技术的不断发展进步，半导体行业的发展日益重要。其中晶体生长技术对半导体行业的发展显得尤为重要，而其中晶体生长炉温场的设计和检测方法是晶体生长的决定性因素。晶体生长炉的温场设计目前仅能采用模拟软件进行模拟检测，而检测晶体生长炉的实际温场梯度目前还没有办法做到。由于模拟得到的结果和实际结果间存在偏差，检测精度较低，在实际生产中就需要不断地依靠晶体生长结果校正温场误差，大大降低了生产效率。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种晶体生长炉温场检测装置。本技术具有提高检测精度和生产效率的特点。本技术的技术方案：一种晶体生长炉温场检测装置，包括炉体，炉体内侧的炉底经支撑柱与坩埚连接，坩埚外壁与炉体内壁间由内向外依次设有加热器和侧壁保温层；处于坩埚上方的炉体上可拆卸连接有密封炉盖；在密封炉盖中心设有中心热电偶；在密封炉盖上、绕中心热电偶由内向外还依次设有以密封炉盖中心为圆心的检测内圈和检测外圈；所述的检测内圈上分布有四个内圈热电偶，相邻两内圈热电偶间隔90°；所述的检测外圈...
【技术保护点】
1.一种晶体生长炉温场检测装置，其特征在于：包括炉体（1），炉体（1）内侧的炉底经支撑柱（2）与坩埚（3）连接，坩埚（3）外壁与炉体（1）内壁间由内向外依次设有加热器（4）和侧壁保温层（5）；处于坩埚（3）上方的炉体（1）上可拆卸连接有密封炉盖（6）；在密封炉盖（6）中心设有中心热电偶（7）；在密封炉盖（6）上、绕中心热电偶（7）由内向外还依次设有以密封炉盖（6）中心为圆心的检测内圈（8）和检测外圈（9）；所述的检测内圈（8）上分布有四个内圈热电偶（10），相邻两内圈热电偶（10）间隔90°；所述的检测外圈（9）上分布有四个外圈热电偶（11），相邻两外圈热电偶（11）间隔9...
【技术特征摘要】
1.一种晶体生长炉温场检测装置，其特征在于：包括炉体（1），炉体（1）内侧的炉底经支撑柱（2）与坩埚（3）连接，坩埚（3）外壁与炉体（1）内壁间由内向外依次设有加热器（4）和侧壁保温层（5）；处于坩埚（3）上方的炉体（1）上可拆卸连接有密封炉盖（6）；在密封炉盖（6）中心设有中心热电偶（7）；在密封炉盖（6）上、绕中心热电偶（7）由内向外还依次设有以密封炉盖（6）中心为圆心的检测内圈（8）和检测外圈（9）；所述的检测内圈（8）上分布有四个内圈热电偶（10），相邻两内圈热电偶（10）间隔90°；所述的检测外圈（9）上分布有四个外圈热电偶（11），相邻两外圈热电偶（11）间隔90°；所述的内圈热电偶（10）和外圈热电偶（11）沿密封炉盖（6）的径向对齐；所述的中心热电偶（7）、内圈热电偶（10）和外圈热电偶（11）均沿...
【专利技术属性】
技术研发人员：代晓波，彭海松，
申请(专利权)人：独山中科晶元信息材料有限公司，
类型：新型
国别省市：贵州,52
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。