电子器件制造技术

本发明专利技术提供一种电子器件，其包括第一载流子传输层以及发光层。第一载流子传输层设置于衬底上，而第一载流子传输层的材料包括第一有机材料，并包括第一金属或第一金属的氧化物。发光层设置于衬底与第一载流子传输层之间或设置于第一载流子传输层上。其中在第一金属的原子轨域中，在基态的情况下，第一金属所具有的最高轨域能量的轨域为s轨域或4d以上的d轨域。

Electronic device

【技术实现步骤摘要】
电子器件
本专利技术涉及一种电子器件，尤指一种可保护其载流子传输层的电子器件。
技术介绍
在现今技术中，在制作例如包括有机发光二极管(OLED)等电子器件的电子产品时，不可避免地会对电子器件进行物理性及/或化学性的工艺步骤，例如在工艺中为了移除光致抗蚀剂所进行的清洁步骤，而此步骤会对于电子器件中的结构(例如位于光致抗蚀剂下方的膜层)造成伤害，进而影响电子器件的性能、良率与寿命。因此，须对此物理性及/或化学性的工艺步骤进行防护。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种电子器件，其载流子传输层中包括有金属材料或金属的氧化物材料，藉此减少物理性及/或化学性的工艺步骤对于载流子传输层的不良影响，进而保护载流子传输层。本专利技术的一实施例提供一种电子器件，其包括第一载流子传输层以及发光层。第一载流子传输层设置于衬底上，而第一载流子传输层的材料包括第一有机材料，并包括第一金属或第一金属的氧化物。发光层设置于衬底与第一载流子传输层之间或设置于第一载流子传输层上。其中在第一金属的原子轨域中，在基态的情况下，第一金属所具有的最高轨域能量的轨域为s轨域或4d以上的d轨域。由于本专利技术的载流子传输层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：第一载流子传输层，设置于衬底上，所述第一载流子传输层的材料包括：第一有机材料；以及第一金属或所述第一金属的氧化物；以及发光层，设置于所述衬底与所述第一载流子传输层之间或设置于所述第一载流子传输层上；其中在所述第一金属的原子轨域中，在基态的情况下，所述第一金属所具有的最高轨域能量的轨域为s轨域或4d以上的d轨域。

【技术特征摘要】
2018.02.06 US 62/626,6971.一种电子器件，其特征在于，包括：第一载流子传输层，设置于衬底上，所述第一载流子传输层的材料包括：第一有机材料；以及第一金属或所述第一金属的氧化物；以及发光层，设置于所述衬底与所述第一载流子传输层之间或设置于所述第一载流子传输层上；其中在所述第一金属的原子轨域中，在基态的情况下，所述第一金属所具有的最高轨域能量的轨域为s轨域或4d以上的d轨域。2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第一载流子传输层包括：第一有机材料层，包括所述第一有机材料；以及第一阻挡层，设置于所述第一有机材料层上，所述第一阻挡层包括所述第一金属或所述第一金属的氧化物。3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述第一载流子传输层另包括另一有机材料层，设置于所述第一阻挡层上。4.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度为0.1埃至300埃。5.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第一载流子传输层由所述第一有机材料以及所述第一金属共同蒸镀所形成，或由所述第一有机材料以及所述第一金属的氧化物共同蒸镀所形成。6.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，所述第一载流子传输层的厚度为200埃至800埃。7.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈裕宏，辛孟鸿，
申请(专利权)人：星宸光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71