一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置制造方法及图纸

本申请涉及发光器件技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置，用以缓解现有技术中在量子点发光层之上形成的第一传输层中纳米粒子渗漏而影响量子点发光层性能的问题。该器件包括：量子点发光层、位于量子点发光层之上的第一传输层、位于量子点发光层与第一传输层之间的第一阻挡层，第一阻挡层包含聚合物电解质，用于阻隔第一传输层中的至少部分纳米粒子渗漏至量子点发光层。由于该第一阻挡层包含较为致密的网状聚合物电解质，从而，第一阻挡层可以阻隔第一传输层中的至少部分纳米粒子渗漏至量子点发光层，避免第一传输层与量子点发光层之间出现粒子互溶的情况，保证量子点发光层的发光性能。

A Quantum Dot Light Emitting Diode QLED Device and Its Fabrication Method and Device

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置
本申请涉及显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置。
技术介绍
量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodes，QLED)是一种新型的不需要额外光源的自发光技术，量子点(QuantumDots)是一些肉眼无法看到的、极其微小的半导体纳米粒子，是一种粒径为几纳米到几十纳米的颗粒。如图1所示，为现有的QLED器件的膜层结构示意图，在该器件膜层中，由下至上依次主要包括：阴极01、电子传输层02、量子点发光层03、空穴传输层04、阳极05等膜层。此外，还可以包括：电子注入层、空穴注入层等，图1并未示出。由于过渡金属氧化物(如氧化锌，氧化钛等)具有优异的可见光透过性、功函数可调节性，因此，成为QLED器件中电子传输层的优选材料。但由于电子传输层与量子点发光层通常都由具有半导体性质的无机物构成，且电子传输层与量子点发光层往往直接接触，导致现有技术中在量子点发光层上制备过渡金属氧化物电子传输层的过程中，会出现上层的纳米粒子渗漏至下层甚至层间互溶的情况。从而使得量子点发光层出现缺陷，进而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管QLED器件，其特征在于，包括：量子点发光层、位于所述量子点发光层之上的第一传输层、位于所述量子点发光层与所述第一传输层之间的第一阻挡层，所述第一阻挡层包含聚合物电解质；其中，所述第一阻挡层用于阻隔所述第一传输层中的至少部分纳米粒子渗漏至所述量子点发光层。

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管QLED器件，其特征在于，包括：量子点发光层、位于所述量子点发光层之上的第一传输层、位于所述量子点发光层与所述第一传输层之间的第一阻挡层，所述第一阻挡层包含聚合物电解质；其中，所述第一阻挡层用于阻隔所述第一传输层中的至少部分纳米粒子渗漏至所述量子点发光层。2.如权利要求1所述的量子点发光二极管QLED器件，其特征在于，还包括：位于所述量子点发光层下方的第二传输层；位于所述第二传输层与所述量子点发光层之间的第二阻挡层，所述第二阻挡层包含聚合物电解质。3.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管QLED器件，其特征在于，所述聚合物电解质具有网状结构。4.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管QLED器件，其特征在于，阻挡层的厚度为8-15nm。5.一种量子点发光二极管QLED器件的制作方法，其特征在于，包括：形成量子点发光层；在所述量子点发光层之上形成第一阻挡层，所述第一阻挡层包含聚合物电解质；在所述第一阻挡层之上形成第一传输层；其中，所述第一阻挡层用于阻隔所述第一传输层中的至少部分纳米粒子渗漏至所述量子点发光层。6.如权利要求5所述的量子点发光二极管QLED器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建太，邢汝博，杨小龙，刘会敏，孙萍，韦冬，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32