量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置，本发明专利技术提供的量子点的最外侧壳层为空穴传输材料，这样可以将该结构的量子点应用于QLED器件的制备中，一方面可以将该量子点的最外层空穴传输材料作为QLED器件中的空穴传输层，减少单独制作一层空穴传输层的工艺，有效简化器件结构与工艺制程；另一方面该量子点的最外层空穴传输材料与QLED器件中的电子传输层相接触，作为电子阻挡层，能够阻挡部分电子传输，解决现有技术中由于电子传输更为高效使电子在QLED器件中成为多子的问题，从而有效促进电子‑空穴注入平衡，提高QLED器件的效率与寿命。

Quantum dots and their preparation methods, quantum dot light emitting devices and related devices

【技术实现步骤摘要】
量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置。
技术介绍
量子点(Quantumdots，QDs)，又名半导体纳米晶、半导体纳米颗粒，是指尺寸在空间三个维度上均处于纳米数量级或由它们作为基本单元构成的纳米固体材料，是在纳米尺度上的原子和分子的集合体。基于量子点材料的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantumdotlight-emittingdiode，QLED)，是一种新型的发光器件。在QLED器件中，各个功能层包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层。选择合适的器件结构和各功能层的传输特性相匹配对QLED器件的性能至关重要。目前电子传输层材料ZnO的引入，使电子传输更为高效，从而使电子在QLED器件中成为多子，但由于量子点较深的价带，空穴传输材料通常不能保证足够的空穴注入，这就导致电子空穴的注入不平衡，使得QLED器件效率和寿命均受到影响，因此QLED器件还需要设置电子阻挡层。然而，上述较多的功能层的制备增加了制程工艺的复杂程度和制备过程中的不可控程度。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置，用以简化现有QLED器件的膜层结构以及提高器件的效率与寿命。因此，本专利技术实施例提供了一种量子点，包括内核结构和包围所述内核结构的壳层结构，所述壳层结构中最外侧壳层的材料为空穴传输材料。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述量子点中，所述壳层结构包括最外侧壳层，以及位于所述最外侧壳层和所述内核结构之间的内侧壳层。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述量子点中，所述内核结构的材料为Ⅱ-Ⅵ族化合物、Ⅲ-Ⅴ族化合物、Ⅳ-Ⅵ族化合物或Ⅰ-Ⅳ-Ⅶ族化合物。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述量子点中，所述空穴传输层的材料为无机材料。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述量子点中，所述空穴传输材料包括NiOx、WOx、MoOx、VOx、CrOx其中之一或组合。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述量子点中，所述最外侧壳层的厚度为1nm-100nm。相应地，本专利技术实施例还提供了一种量子点发光器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其中所述量子点发光层包括本专利技术实施例提供的上述任一项所述的量子点。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述量子点发光器件中，所述空穴注入层和所述量子点发光层直接接触。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述量子点发光器件中，所述空穴注入层的材料包括PEDOT：PSS、CuPc、过渡金属氧化物、金属硫系化合物其中之一或组合。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述量子点发光器件中，所述电子传输层的材料为金属氧化物、金属复合氧化物或金属配位化合物。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括如本专利技术实施例提供的上述任一项所述的量子点发光器件。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如本专利技术实施例提供的上述显示面板。相应地，本专利技术实施例还提供了一种如本专利技术实施例提供的上述任一项所述的量子点的制备方法，包括：提供一内核结构；形成包围所述内核结构的壳层结构；形成材料为空穴传输材料的最外侧壳层。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述制备方法中，所述形成包围所述内核结构的壳层结构，具体包括：形成包围所述内核结构的内侧壳层；在所述内侧壳层外侧形成所述最外侧壳层。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述制备方法中，所述形成材料为空穴传输材料的最外侧壳层，具体包括：在所述内核结构外侧形成氧化物壳层；对所述氧化物壳层进行离子交换，形成材料为空穴传输材料的最外侧壳层。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述制备方法中，在所述内核结构外侧形成氧化物壳层，具体包括：将所述内侧壳层部分氧化，在所述内侧壳层表面形成所述氧化物壳层。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述制备方法中，将所述内侧壳层部分氧化，具体包括：向包括所述内侧壳层的量子点溶液中通入O2或H2O2。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述制备方法中，对所述氧化物壳层进行离子交换，具体包括：在包括所述氧化物壳层的量子点溶液中通入阳离子交换试剂及配体，通过所述配体与所述阳离子间配位能力的强弱实现离子交换。本专利技术的有益效果：本专利技术实施例提供的量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置，该量子点包括内核结构和包围内核结构的壳层结构，壳层结构中最外侧壳层的材料为空穴传输材料。本专利技术提供的核壳结构的量子点，由于该量子点的最外侧壳层为空穴传输材料，这样可以将该结构的量子点应用于QLED器件的制备中，一方面可以将该量子点的最外层空穴传输材料作为QLED器件中的空穴传输层，减少单独制作一层空穴传输层的工艺，有效简化器件结构与工艺制程；另一方面该量子点的最外层空穴传输材料与QLED器件中的电子传输层相接触，作为电子阻挡层，能够阻挡部分电子传输，解决现有技术中由于电子传输更为高效使电子在QLED器件中成为多子的问题，从而有效促进电子-空穴注入平衡，提高QLED器件的效率与寿命。附图说明图1为本专利技术实施例提供的量子点的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的量子点的制备方法的流程图之一；图3为本专利技术实施例提供的量子点的制备方法的流程图之二；图4为本专利技术实施例提供的量子点的制备方法的流程图之三；图5为本专利技术实施例提供的量子点的制备方法各步骤的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的量子点发光器件的结构示意图；图7A-图7E为本专利技术实施例提供的正置结构的量子点发光器件的制备方法在执行各步骤之后的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的倒置结构的量子点发光器件的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本专利技术实施例提供的量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各层薄膜厚度和形状不反映量子点和量子点发光器件的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供的量子点，如图1所示，包括内核结构1和包围内核结构1的壳层结构2，壳层结构2中最外侧壳层21的材料为空穴传输材料。本专利技术实施例提供的上述量子点，由于该量子点的最外侧壳层为空穴传输材料，这样可以将该结构的量子点应用于QLED器件的制备中，一方面可以将该量子点的最外层空穴传输材料作为QLED器件中的空穴传输层，减少单独制作一层空穴传输层的工艺，有效简化器件结构与工艺制程；另一方面该量子点的最外层空穴传输材料与QLED器件中的电子传输层相接触，作为电子阻挡层，能够阻挡部分电子传输，解决现有技术中由于电子传输更为高效使电子在QLED器件中成为多子的问题，从而有效促进电子-空穴注入平衡，提高QLED器件的效率与寿命。进一步地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述量子点中，如图1所示，壳层结构2包括最外侧壳层21，以及位于最外侧壳层21和内核结构1之间的内侧壳层22。具体地，内侧壳层22可以是一层、两层或多层，由于核/壳结构量子点相对只有核结构的量子点，核/壳结构量子点表面的缺陷中心较少，发光效率较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点，其特征在于，包括内核结构和包围所述内核结构的壳层结构，所述壳层结构中最外侧壳层的材料为空穴传输材料。

【技术特征摘要】
1.一种量子点，其特征在于，包括内核结构和包围所述内核结构的壳层结构，所述壳层结构中最外侧壳层的材料为空穴传输材料。2.如权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述壳层结构包括最外侧壳层，以及位于所述最外侧壳层和所述内核结构之间的内侧壳层。3.如权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述内核结构的材料为Ⅱ-Ⅵ族化合物、Ⅲ-Ⅴ族化合物、Ⅳ-Ⅵ族化合物或Ⅰ-Ⅳ-Ⅶ族化合物。4.如权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述空穴传输层的材料为无机材料。5.如权利要求4所述的量子点，其特征在于，所述空穴传输材料包括NiOx、WOx、MoOx、VOx、CrOx其中之一或组合。6.如权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述最外侧壳层的厚度为1nm-100nm。7.一种量子点发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其中所述量子点发光层包括如权利要求1-6任一项所述的量子点。8.如权利要求7所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴注入层和所述量子点发光层直接接触。9.如权利要求7所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括PEDOT：PSS、CuPc、过渡金属氧化物、金属硫系化合物其中之一或组合。10.如权利要求7所述的量子点发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为金属氧化物、金属复合氧化物或金属配位...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯靖雯，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11