有机发光二极管装置以及其形成方法制造方法及图纸

技术编号:21775524 阅读:26 留言:0更新日期:2019-08-03 22:40
一种有机发光二极管装置以及其形成方法,有机发光二极管装置包含基板、晶体管层、多个有机发光二极管、第一覆盖层、第二覆盖层和第三覆盖层。多个有机发光二极管分别发出第一波长、第二波长和第三波长的光。第一覆盖层位于发出第一波长的有机发光二极管上,第一覆盖层的厚度等于

Organic Light Emitting Diode Device and Its Formation Method

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管装置以及其形成方法
本专利技术涉及显示
,尤指一种有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)装置及其形成方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)由于其重量轻、自发光、广视角、低驱动电压、高发光效率、低功耗、响应速度快等优点,应用范围越来越广泛。尤其是柔性OLED显示装置具有可弯折易携带的特点,成为显示
开发的主要领域。然而有机发光二极管显示器容易因外界空气和湿气的进入而使得有机发光材料劣化。为了防止有机发光二极管显示器由于外界空气或湿气的渗入所导致的劣化,已开发出有机层和无机层交替层叠的薄膜封装方法。该薄膜可用于具有柔性、超薄的有机发光二极管显示器。然而,顶发射(topemitting)形式的OLED器件一般采用高反射率的阳极,可以与半反射阴极形成微腔结构来达到提高器件的出光率和窄化光谱的目的。但是高反射阳极也使面板在高亮度的环境光照射下具有较低的对比度(contrastratio),从而降低了画面的观感。为避免外界环境光对有机发光二极管显示器的干扰,显示器表面需要贴附圆偏光片(circularpolarizer),然而圆偏光片会增加OLED面板的厚度,影响和限制了有机发光二极管显示器的良率及增高了成本,且导致在增加厚度的同时,降低有机发光二极管显示器的效率,同时使产品不利应用于柔性显示器。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的目的是提供一种有机发光二极管装置,以解决现有技术的问题。本专利技术的技术方案提供一种有机发光二极管装置,其包含:基板;晶体管层,设置于所述基板上;多个有机发光二极管,每一有机发光二极管包含阳极层、阴极层和发光层,所述发光层位于所述阳极层和所述阴极层之间,多个所述有机发光二极管分别发出第一波长、第二波长和第三波长的光;第一覆盖层,位于发出所述第一波长的有机发光二极管上,第二覆盖层,位于发出所述第二波长的有机发光二极管上,第三覆盖层,位于发出所述第三波长的有机发光二极管上,所述第一覆盖层、第二覆盖层、第三覆盖层的厚度不同。根据本专利技术的实施例,所述有机发光二极管装置另包含线偏光片,设置于所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层之上,用来线性偏折从所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层射出的光。根据本专利技术的实施例,所述有机发光二极管装置另包含:覆盖保护层,位于所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层之上;压敏胶,用于黏合所述覆盖保护层和所述线偏光片;线偏光片保护膜,设置于所述线偏光片上。根据本专利技术的实施例,所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层采用各向异性材料。根据本专利技术的实施例,所述第一覆盖层的厚度等于所述第二覆盖层的厚度等于以及所述第三覆盖层的厚度等于其中λ1表示所述第一波长,λ2表示所述第二波长,λ3表示所述第三波长,Δn(λ1)表示所述第一波长的光通过所述第一覆盖层的双折射率、Δn(λ2)表示所述第二波长的光通过所述第二覆盖层的双折射率和Δn(λ3)表示所述第三波长的光通过所述第三覆盖层的双折射率。根据本专利技术的实施例,所述第一波长介于620nm-750nm之间,所述第二波长介于495nm-570nm之间,所述第三波长介于450nm-495nm之间。根据本专利技术的实施例,所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层的双折射率介于0.005和0.02之间。本专利技术的技术方案另提供一种形成有机发光二极管装置的方法,其包含:形成一晶体管层于一基板上;形成多个有机发光二极管,每一有机发光二极管包含阳极层、阴极层和发光层,所述发光层位于所述阳极层和所述阴极层之间,用来依据所述数据电压产生光,多个所述有机发光二极管分别发出第一波长、第二波长和第三波长的光;分别形成第一覆盖层、第二覆盖层和第三覆盖层于发出所述第一波长、所述第二波长和所述第三波长的多个所述有机发光二极管上,其中所述第一覆盖层、第二覆盖层、第三覆盖层的厚度不同。根据本专利技术的实施例,所述第一覆盖层的厚度等于所述第二覆盖层的厚度等于所述第三覆盖层的厚度等于其中λ1表示所述第一波长,λ2表示所述第二波长,λ3表示所述第三波长,Δn(λ1)表示所述第一波长的光通过所述第一覆盖层的双折射率、Δn(λ2)表示所述第二波长的光通过所述第二覆盖层的双折射率和Δn(λ3)表示所述第三波长的光通过所述第三覆盖层的双折射率。根据本专利技术的实施例,所述分别形成所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层于发出所述第一波长、所述第二波长和所述第三波长的多个所述有机发光二极管上的步骤包含:通过热蒸镀、溅射、喷墨打印或是化学气相将所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层分别沉积于发出所述第一波长、所述第二波长和所述第三波长的多个所述有机发光二极管上。相较于现有技术,本专利技术有机发光二极管装置在发射不同波长光的多个有机发光二极管上分别沉积不同厚度的所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层,而每一覆盖层依据对应的有机发光二极管发出光的波长以及双折射量决定其厚度。如此一来,每一覆盖层与线偏光片的组合即能完成传统圆偏光片的功能,并且对应的波长范围内能够实现的圆偏效果,避免出现色偏,因此可以避免使用圆偏光片,节省OLED面板的厚度且降低成本的有益效果。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
,请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本专利技术加以限制。附图说明图1绘示本专利技术有机发光二极管装置的示意图。图2绘示图1显示区内的像素电路的电路图。图3绘示本实施例提供的柔性OLED装置的结构示意图。图4是形成图3所示的有机发光二极管装置的方法的流程图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本专利技术可用以实施之特定实施例。本专利技术所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」、「水平」、「垂直」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术,而非用以限制本专利技术。请参阅图1和图2,图1绘示本专利技术有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)装置10的示意图,图2绘示图1显示区101内的像素电路110的电路图。柔性OLED装置10包含显示区(Activearea)101和非显示区102。非显示区102包含可弯折区1021和信号垫区1022。柔性OLED装置10的可弯折区1021可以弯折,使得信号垫区1022位于显示屏的背面,因此可以缩短边框。信号垫区1022分布有多条数据电压引线300、多条驱动电压引线302、304、多个数据传输垫310和多个驱动传输垫312、314。多个数据电压引线300一对一连接到多个数据传输垫310,多条驱动电压引线302、304一对一连接到多个驱动传输垫312、314。显示区101设置多个像素电路110,每一像素电路110连接对应的驱动电压引线302、304以及数据电压引线300。数据传输垫310用来接收图像处理器(未图标)传送的数据电压Vdata,并将数据电压Vdata经由数据电压引线300传送至对应的像素电路110。驱动传输垫312、314分别用来传送高/低电本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种有机发光二极管装置,其特征在于,所述有机发光二极管装置包含:基板;晶体管层,设置于所述基板上;多个有机发光二极管,每一有机发光二极管包含阳极层、阴极层和发光层,所述发光层位于所述阳极层和所述阴极层之间,多个所述有机发光二极管分别发出第一波长、第二波长和第三波长的光;第一覆盖层,位于发出所述第一波长的有机发光二极管上,第二覆盖层,位于发出所述第二波长的有机发光二极管上,第三覆盖层,位于发出所述第三波长的有机发光二极管上,所述第一覆盖层、第二覆盖层、第三覆盖层的厚度不同。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管装置,其特征在于,所述有机发光二极管装置包含:基板;晶体管层,设置于所述基板上;多个有机发光二极管,每一有机发光二极管包含阳极层、阴极层和发光层,所述发光层位于所述阳极层和所述阴极层之间,多个所述有机发光二极管分别发出第一波长、第二波长和第三波长的光;第一覆盖层,位于发出所述第一波长的有机发光二极管上,第二覆盖层,位于发出所述第二波长的有机发光二极管上,第三覆盖层,位于发出所述第三波长的有机发光二极管上,所述第一覆盖层、第二覆盖层、第三覆盖层的厚度不同。2.如权利要求1所述的有机发光二极管装置,其特征在于,还包含线偏光片,设置于所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层之上,用来线性偏折从所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层射出的光。3.如权利要求2所述的有机发光二极管装置,其特征在于,还包含:覆盖保护层,位于所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层之上;压敏胶,用于黏合所述覆盖保护层和所述线偏光片;及线偏光片保护膜,设置于所述线偏光片上。4.如权利要求1所述的有机发光二极管装置,其特征在于,所述第一覆盖层、所述第二覆盖层和所述第三覆盖层采用各向异性材料制成。5.如权利要求1所述的有机发光二极管装置,其特征在于,所述第一覆盖层的厚度等于所述第二覆盖层的厚度等于以及所述第三覆盖层的厚度等于其中λ1表示所述第一波长,λ2表示所述第二波长,λ3表示所述第三波长,Δn(λ1)表示所述第一波长的光通过所述第一覆盖层的双折射率、Δn(λ2)表示所述第二波长的光通过所述第二覆盖层的双折射率和Δn(λ3)表示所述第三波长的光通过所述第三覆盖层的双折射率。6.如权利要求5所述的有机发光二极管装置,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:申九林
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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