发光元件、发光装置、电子设备及照明装置制造方法及图纸

提供一种具有高发光效率的可靠性高的发光元件。发光元件包括含有第一有机化合物及客体材料的发光层。上述第一有机化合物具有取代或未取代的咔唑骨架。在上述发光层中，上述第一有机化合物中的至少一个氢原子被碳原子数为1至6的烃基取代的烃基取代物的相对于第一有机化合物的重量比大于0且为0.1以下。

Light-emitting elements, light-emitting devices, electronic devices and lighting devices

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
本专利技术的一个实施方式涉及一种新颖的发光元件。本专利技术的另一个实施方式涉及一种指定杂质被减少的发光元件。本专利技术的另一个实施方式涉及一种各自包括该发光元件的发光装置、电子设备及照明装置。注意，本专利技术的一个实施方式不局限于上述
本专利技术的一个实施方式涉及一种物体、方法或制造方法。本专利技术的一个实施方式涉及一种工艺、机器、产品或组成物。尤其是，本专利技术的一个实施方式涉及一种半导体装置、发光装置、显示装置、照明装置、发光元件或它们的制造方法。
技术介绍
包括有机化合物并利用电致发光(EL)的发光元件(有机EL元件)的实用化非常活跃。在这种发光元件的基本结构中，在一对电极之间夹有包含发光材料的有机化合物层(EL层)。通过对该元件施加电压来注入载流子，并且利用该载流子的复合能量，可以从发光材料获得发光。因为上述发光元件是自发光型发光元件，所以使用该发光元件的显示装置具有如下优点：良好的可见度；不需要背光源；以及低功耗等。并且，该发光元件还具有如下优点：能够被制造得薄且轻；以及高响应速度。在是有机EL元件(OLED)的情况下，使用各种有机化合物制造发光元件。因此，各有机化合物的品质很重要，因为有机化合物中的杂质可能影响到发光元件的特性。尤其是，元件的可靠性容易受到杂质的影响。因此，为了得到特性良好的发光元件，尤其是具有高可靠性的发光元件，减少杂质是重要的。专利文献1及专利文献2各自公开了通过将包含有机化合物的EL层中的卤素化合物的浓度降低到一定程度以下来提高可靠性的发光元件。[参考文献][专利文献][专利文献1]国际公开第WO00/41443号公报[专利文献2]日本专利申请公开第2012-174901号公报
技术实现思路
已知：有的杂质使发光元件的特性恶化，而有的杂质没有影响到发光元件的特性。因此，重要的是，确定使发光元件的特性恶化的杂质种类。此外，重要的是，确定影响到发光元件的杂质浓度。另外，使发光元件的特性恶化的机理还几乎不明确。鉴于以上所述，本专利技术的一个实施方式的目的是提供一种新颖的发光元件。尤其是，目的是提供一种具有高可靠性的发光元件。本专利技术的一个实施方式的另一目的是提供一种发光效率良好的发光元件。本专利技术的一个实施方式的另一目的是提供一种功耗低的发光元件。本专利技术的一个实施方式的另一目的是提供一种新颖的发光装置。本专利技术的一个实施方式的另一目的是提供一种各自具有高可靠性的发光元件、发光装置及电子设备。本专利技术的一个实施方式的另一目的是提供一种各自的功耗低的发光元件、发光装置及电子设备。此外，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个实施方式并不需要实现所有上述目的。另外，从说明书、附图、权利要求书等的记载中可明显看出这些目的以外的目的，而可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中抽取这些目的以外的目的。本专利技术的一个实施方式是在一对电极之间包含EL层的发光元件。EL层至少包含发光层。发光层含有第一有机化合物及烃基取代物。第一有机化合物具有取代或未取代的咔唑骨架。烃基取代物具有第一有机化合物的至少一个氢原子被碳原子数为1至6的烃基取代的结构。该烃基取代物的相对于第一有机化合物的重量比大于0且为0.1以下。在上述结构中，烃基取代物优选为第一有机化合物的至少一个氢原子被碳原子数为1至6的烃基取代的化合物。更优选的是，烃基取代物是第一有机化合物的咔唑骨架的至少一个氢原子被碳原子数为1至6的烃基取代的化合物。进一步优选的是，烃基取代物为第一有机化合物的咔唑骨架的2位的氢原子被碳原子数为1至6的烃基取代的化合物。在上述结构各自中，第一有机化合物优选具有取代或未取代的含氮杂芳环。在上述结构各自中，发光层也可以包括具有取代或未取代的含氮杂芳环的第二有机化合物。在上述结构各自中，第一有机化合物优选为由下述通式(G0)表示的有机化合物。[化学式1]注意，在通式(G0)中，A表示取代或未取代的碳原子数为1至25的含氮杂芳环，Ar表示碳原子数为6至13的亚芳基，n表示0或1，Cz表示取代或未取代的咔唑骨架。在上述结构各自中，第一有机化合物优选为由下述通式(G1)表示的有机化合物。[化学式2]注意，在通式(G1)中，A表示取代或未取代的碳原子数为1至25的含氮杂芳环，Ar表示碳原子数为6至13的亚芳基，n表示0或1，R1至R8分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烃基、碳原子数为3至6的环式烃基和取代或未取代的碳原子数为6至25的芳烃基中的任一个。在上述结构各自中，第一有机化合物优选为由下述通式(G2)表示的有机化合物。[化学式3]注意，在通式(G2)中，A表示取代或未取代的碳原子数为1至25的含氮杂芳环，Ar表示碳原子数为6至13的亚芳基，n表示0或1。在上述结构各自中，在发光层中，烃基取代物的相对于第一有机化合物的重量比优选大于0且为0.05以下，更优选大于0且为0.025以下。在上述结构各自中，客体材料优选被构成为将三重激发能量转换为发光。此外，客体材料优选包含铱。本专利技术的一个实施方式是一种显示装置，该显示装置包括：具有上述各结构的任一个的发光元件；以及滤色片和晶体管中的至少一个。本专利技术的另一个实施方式是一种电子设备，该电子设备包括：上述显示装置；以及框体和触摸传感器中的至少一个。本专利技术的另一个实施方式是一种照明装置，该照明装置包括：具有上述各结构的任一个的发光元件；以及框体和触摸传感器中的至少一个。本专利技术的一个实施方式在其范畴内不仅包括具有发光元件的发光装置，还包括具有发光装置的电子设备。因此，本说明书中的发光装置是指图像显示装置或光源(包括照明装置)。如下显示模块也是本专利技术的一个实施方式：柔性电路板(FPC)或载带封装(TCP)连接到发光元件的显示模块；在TCP端部上设置有印刷线路板的显示模块；以及集成电路(IC)通过玻璃上芯片(COG)方式直接安装到发光元件的显示模块。本专利技术的一个实施方式可以提供一种新颖的发光元件，尤其是具有高可靠性的发光元件。本专利技术的一个实施方式可以提供一种发光效率高的发光元件。本专利技术的一个实施方式可以提供一种功耗低的发光元件。本专利技术的一个实施方式可以提供一种新颖的发光元件。本专利技术的一个实施方式可以提供一种新颖的发光装置。本专利技术的一个实施方式可以提供一种新颖的显示装置。注意，上述效果的记载不妨碍其他效果的存在。本专利技术的一个实施方式并不需要实现所有上述效果。从说明书、附图、权利要求书等的记载中可明显得知并抽取上述以外的效果。附图说明图1A和图1B是本专利技术的一个实施方式的发光元件的示意图。图2示出本专利技术的一个实施方式的材料的自旋密度分布。图3示出本专利技术的一个实施方式的反应。图4A和图4B是示出本专利技术的一个实施方式的发光元件的截面示意图，图4C是示出发光层的能级的相关的图表。图5A和图5B是本专利技术的一个实施方式的有源矩阵型发光装置的概念图。图6A和图6B是各自示出本专利技术的一个实施方式的有源矩阵型发光装置的概念图。图7是示出本专利技术的一个实施方式的有源矩阵型发光装置的概念图。图8A、图8B1和图8B2是示出本专利技术的一个实施方式的显示装置的示意图。图9是本专利技术的一个实施方式的显示装置的电路图。图10A和图10B是本专利技术的一个实施方式的显示装置的电路图。图11是示出本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，包括：一对电极之间的EL层，其中，所述EL层包含发光层，所述发光层含有第一有机化合物及烃基取代物，所述第一有机化合物具有取代或未取代的咔唑骨架，所述烃基取代物具有所述第一有机化合物的至少一个氢原子被碳原子数为1至6的烃基取代的结构，并且，所述烃基取代物的相对于所述第一有机化合物的重量比大于0且为0.1以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.27 JP 2016-2535481.一种发光元件，包括：一对电极之间的EL层，其中，所述EL层包含发光层，所述发光层含有第一有机化合物及烃基取代物，所述第一有机化合物具有取代或未取代的咔唑骨架，所述烃基取代物具有所述第一有机化合物的至少一个氢原子被碳原子数为1至6的烃基取代的结构，并且，所述烃基取代物的相对于所述第一有机化合物的重量比大于0且为0.1以下。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中所述烃基取代物为所述第一有机化合物的所述咔唑骨架的至少一个氢原子被碳原子数为1至6的烃基取代的化合物。3.根据权利要求1所述的发光元件，其中所述烃基取代物为所述第一有机化合物的所述咔唑骨架的一个、两个或三个氢原子被所述碳原子数为1至6的烃基取代的化合物。4.根据权利要求1所述的发光元件，其中所述烃基取代物在所述咔唑骨架的2位至少包括所述碳原子数为1至6的烃基。5.根据权利要求1所述的发光元件，其中所述碳原子数为1至6的烃基是甲基。6.一种发光元件，包括：一对电极之间的EL层，其中：所述EL层包含发光层，所述发光层含有第一有机化合物及烃基取代物，所述第一有机化合物由下述通式(G1)表示。A表示取代或未取代的碳原子数为1至25的含氮杂芳环，A...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部刚吉，濑尾哲史，N小松，山冈谅平，尾坂晴惠，铃木邦彦，细海俊介，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP