一种新型倒置型顶发射OLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种新型倒置型顶发射OLED器件，包括基板、阴极层、阳极层、电子注入层、电子传输层、发光层和空穴传输层；基板上不同的两个区域分别沉积阴极层和阳极层，基板上位于阴极层和阳极层之间设置有绝缘层，阴极层上依次沉积有电子注入层、电子传输层和发光层，发光层、绝缘层和阳极层上共同沉积空穴传输层。本发明专利技术通过对倒置型顶发射OLED器件的结构改进，使底反射阴极和发射阳极位于发光层的同侧，有效消除了倒置型顶发射结构的微腔效应，提高OLED器件的角度稳定性，从而提高了OLED器件的发光效率；同时本发明专利技术的结构能够采用ITO作为透明阳极，有效降低了成本，具有美好的应用前景。

A New Inverted Top Emission OLED Device and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
一种新型倒置型顶发射OLED器件及其制备方法
本专利技术涉及有机发光显示
，具体为一种新型倒置型顶发射OLED器件及其制备方法。
技术介绍
有机电致发光器件(OLED)通常包括阳极、阴极和层夹在阳极和阴极之间的有机电致发光单元，有机电致发光单元至少包含空穴传输层(HTL)、发光层(EML)和电子传输层(ETL)。当在两个电极之间施加电场时，电子由负极注入，空穴由正极注入，在发光层中电子和空穴重新结合形成激发态，当激发态返回到基态时产生的能量发射光。OLED具有高图像质量、快速响应速度和宽视角的优点。OLED根据光的出射方向不同，分为底发光器件和顶发光器件，其中底发光器件是从器件基板方向出射发射光，顶发光器件是从器件背向基板的方向出射发射光，由于底发光器件通常以生长在玻璃衬底上的透明的铟锡氧化物(ITO)为阳极，光从ITO/玻璃衬底一侧出射，如果采用有源驱动的方式来驱动显示器件，那么，像素的发光面积与驱动电路之间将会相互竞争，从而降低显示屏的开口率，不能达到较高的显示亮度；相反，顶发光器件的光由背向基板的方向出射，此时像素驱动电路制作在OLED下方，有效解决了显示发光面积和像素驱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型倒置型顶发射OLED器件，其特征在于，包括基板(1)、阴极层(2)、阳极层(3)、电子注入层(4)、电子传输层(5)、发光层(6)和空穴传输层(7)；所述基板(1)上不同的两个区域分别沉积所述阴极层(2)和所述阳极层(3)，所述基板(1)上位于所述阴极层(2)和所述阳极层(3)之间设置有绝缘层，所述阴极层(2)上依次沉积有所述电子注入层(4)、所述电子传输层(5)和所述发光层(6)，所述发光层(6)、所述绝缘层和所述阳极层(3)上共同沉积有所述空穴传输层(7)。

【技术特征摘要】
1.一种新型倒置型顶发射OLED器件，其特征在于，包括基板(1)、阴极层(2)、阳极层(3)、电子注入层(4)、电子传输层(5)、发光层(6)和空穴传输层(7)；所述基板(1)上不同的两个区域分别沉积所述阴极层(2)和所述阳极层(3)，所述基板(1)上位于所述阴极层(2)和所述阳极层(3)之间设置有绝缘层，所述阴极层(2)上依次沉积有所述电子注入层(4)、所述电子传输层(5)和所述发光层(6)，所述发光层(6)、所述绝缘层和所述阳极层(3)上共同沉积有所述空穴传输层(7)。2.如权利要求1所述的一种新型倒置型顶发射OLED器件，其特征在于，所述电子注入层(4)的材料为LiF；所述电子注入层(4)的厚度为4～6nm。3.如权利要求1所述的一种新型倒置型顶发射OLED器件，其特征在于，所述阴极层(2)的材料为铝、锂和镁中的任意一种，所述阴极层(2)的厚度为118～122nm。4.如权利要求1所述的一种新型倒置型顶发射OLED器件，其特征在于，还包括空穴注入层，所述空穴注入层沉积于所述阳极层(3)和空穴传输层(6)之间，所述空穴注入层的厚度为4～6nm。5.如权利要求1所述的一种新型倒置型顶发射OLED器件，其特征在于，所述电子传输层(5)的厚度为44～47nm，所述发光层(6)的厚度为2～3nm，所述空穴传输层(7)的厚度为18～20nm。6.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁磊，佛婉贞，毋妍妍，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61