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本申请涉及发光器件技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置，用以缓解现有技术中在量子点发光层之上形成的第一传输层中纳米粒子渗漏而影响量子点发光层性能的问题。该器件包括：量子点发光层、位于量子点发光层之上的第一传输...该专利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司授权不得商用。