QLED器件及其制作方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种QLED器件及其制作方法、显示面板及显示装置。该QLED器件包括：量子点发光层，以及位于量子点发光层一侧的空穴传输层，其中空穴传输层包括钙钛矿材料和有机空穴传输材料。该空穴传输层可以采用共蒸镀工艺制备，其中钙钛矿材料和有机空穴传输材料通过自组装形成叠层结构。钙钛矿材料的高载流子迁移率可以改善空穴传输层的载流子传输性能，使其与电子传输层的载流子传输性能相匹配。同时有机空穴传输材料形成定向的空穴通道，使空穴的传输更加可控，从而避免在空穴传输层与量子点发光层的界面积累过量的空穴，从而保证QLED器件的效率和耐受性。

QLED Device and Its Fabrication Method, Display Panel and Display Device

【技术实现步骤摘要】
QLED器件及其制作方法、显示面板及显示装置
本公开涉及显示
，具体涉及一种QLED器件及其制作方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
量子点是一种溶液可加工的半导体纳米晶体，具有发光光谱窄、发光波长可调控、光谱纯度高等优点，最有希望成为下一代发光器件的核心部分。量子点发光二极管（QuantumDotLightEmittingDiodes，简称QLED）将量子点作为发光层的制作材料，在不同的导电材料之间引入发光层从而得到所需要波长的光。QLED具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快、寿命长等优点。
技术实现思路
根据本公开的一方面，提供了一种QLED器件。所述QLED器件包括：量子点发光层；以及位于量子点发光层一侧的空穴传输层；其中，所述空穴传输层包括钙钛矿材料和有机空穴传输材料。在一些实施例中，所述有机空穴传输材料在所述空穴传输层中的摩尔比例大于0%且小于等于10%。在一些实施例中，所述有机空穴传输材料在所述空穴传输层中的摩尔比例在远离所述量子点发光层的方向上梯度增大。在一些实施例中，所述空穴传输层是通过共蒸镀钙钛矿前体材料和所述有机空穴传输材料形成的。在一些实施例中，所述空穴传输层具有所述钙钛矿材料和所述有机空穴传输材料的叠层结构。在一些实施例中，所述钙钛矿材料的分子通式为ABX3；A包括一价碱金属、小分子有机铵或Tl；B包括Pb或Sn；X包括Cl或Br。在一些实施例中，所述钙钛矿材料包括MAPbCl3。在一些实施例中，所述有机空穴传输材料包括CBP、TCTA、TFB、TPD、NPB、TAPC中的至少一种。在一些实施例中，所述QLED器件包括依次层叠的第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极。在一些实施例中，所述电子传输层是ZnO纳米粒子层或TiO2纳米棒层。根据本公开的另一方面，提供了一种QLED显示面板。所述QLED显示面板包括基板和阵列布置在所述基板表面上的如前所述的QLED器件。根据本公开的又一方面，提供了一种QLED显示装置。所述QLED显示装置包括如前所述的QLED显示面板。根据本公开的另一方面，提供了一种QLED器件的制作方法。所述方法包括：形成量子点发光层；以及在所述量子点发光层的一侧形成空穴传输层；其中，所述空穴传输层包括钙钛矿材料和有机空穴传输材料。在一些实施例中，所述有机空穴传输材料在所述空穴传输层中的摩尔比例大于0%且小于等于10%。在一些实施例中，所述有机空穴传输材料在所述空穴传输层中的摩尔比例在远离所述量子点发光层的方向上梯度增大。在一些实施例中，所述在量子点发光层的一侧形成空穴传输层包括：共蒸镀钙钛矿前体和有机空穴传输材料，从而在所述量子点发光层的一侧形成所述空穴传输层；以及烘烤所述空穴传输层。在一些实施例中，所述空穴传输层具有所述钙钛矿材料和所述有机空穴传输材料的叠层结构。在一些实施例中，所述钙钛矿前体包括MACl和PbCl2；所述钙钛矿材料包括MAPbCl3。在一些实施例中，所述钙钛矿材料的分子通式为ABX3；A包括一价碱金属、小分子有机铵或Tl；B包括Pb或Sn；X包括Cl或Br。在一些实施例中，所述有机空穴传输材料包括CBP、TCTA、TFB、TPD、NPB、TAPC中的至少一种。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为相关技术中QLED器件的结构示意图；图2为根据本公开的一个实施例的QLED器件的结构示意图；图3为根据本公开的另一个实施例的QLED器件的结构示意图；图4为根据本公开的又一个实施例的QLED器件的结构示意图；图5为根据本公开实施例的QLED显示面板和显示装置的示意图；图6为根据本公开的一个实施例的QLED器件的制作方法的流程图；图7为根据本公开另一个实施例的QLED器件的制作方法的流程图；以及图8为根据本公开实施例的器件的电流-电压曲线。附图中各部分的形状和大小不反映各部分的真实比例，只是示意性地说明本公开内容。具体实施方式下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。在相关技术中，如图1所示，QLED器件10一般包括依次层叠的第一电极11、电子传输层12、量子点发光层13、空穴传输层14、空穴注入层15和第二电极16。在电场的作用下，空穴和电子分别从各自对应的传输层内进行载流子的迁移，并在量子点发光层13内复合成激子进行发光。在当前的QLED器件中，一般采用无机ZnO纳米颗粒作为电子传输材料，其载流子传输性能高，电子迁移率一般为10-3cm2V-1s-1数量级，而目前一般的空穴传输材料是有机物，其载流子传输性能低，空穴迁移率一般为10-5-10-4cm2V-1s-1数量级，与电子传输材料的载流子传输性能不匹配，从而容易导致QLED器件中载流子传输不平衡，激子复合区域在空穴传输层14与量子点发光层13的界面甚至到空穴传输层14内。根据本公开的一方面，本公开的实施例提供了一种QLED器件。如图2所示，所述QLED器件10包括：量子点发光层13；以及位于量子点发光层一侧的空穴传输层14；其中，所述空穴传输层14包括钙钛矿材料141和有机空穴传输材料142。钙钛矿材料141具有高的载流子迁移率，采用钙钛矿材料141作为空穴传输层14的主体材料，可以提高空穴传输层14的载流子传输性能，使其与电子传输层12的载流子传输性能相匹配，从而消除纯有机空穴传输层导致的载流子传输不平衡的问题。但是，钙钛矿材料141的载流子扩散距离较大，容易导致空穴传输层14与量子点发光层13的界面积累过量的空穴，降低器件效率和耐受性。而所掺杂的有机空穴传输材料142起到调节空穴传输层14的载流子传输性能的作用，有机空穴传输材料142可以在钙钛矿材料141中自组装形成定向的空穴通道，使空穴的传输更加可控，从而避免在空穴传输层14与量子点发光层13的界面积累过量的空穴。因此，采用钙钛矿材料141和有机空穴传输材料142作为QLED器件的空穴传输层，改善了QLED器件10中载流子传输性能，同时保证了QLED器件10的效率和耐受性。尽管有机空穴传输材料142可以起到调节空穴传输层14的载流子传输性能的作用，但是过高的有机物比例可能会破坏钙钛矿的晶型。因此，在本公开的一些实施例中，有机空穴传输材料142在空穴传输层14中的摩尔比例大于0%且小于等于10%。在一些实施例中，如图3所示，可以使有机空穴传输材料142在空穴传输层14中的摩尔比例在远离量子点发光层13的方向上梯度增大，即靠近量子点发光层13的一侧有机物掺杂比例较低（例如，摩尔比例为1%），远离量子点发光层13的一侧有机物掺杂比例较高（例如，摩尔比例为10%)。在一些实施例中，有机空穴传输材料的带隙比钙钛矿材料的带隙窄，采用这样的梯度掺杂方式可以起到激子限域功能。上述空穴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种QLED器件，包括：量子点发光层；以及位于量子点发光层一侧的空穴传输层；其中，所述空穴传输层包括钙钛矿材料和有机空穴传输材料。

【技术特征摘要】
1.一种QLED器件，包括：量子点发光层；以及位于量子点发光层一侧的空穴传输层；其中，所述空穴传输层包括钙钛矿材料和有机空穴传输材料。2.根据权利要求1所述的QLED器件，其中所述有机空穴传输材料在所述空穴传输层中的摩尔比例大于0%且小于等于10%。3.根据权利要求2所述的QLED器件，其中,所述有机空穴传输材料在所述空穴传输层中的摩尔比例在远离所述量子点发光层的方向上梯度增大。4.根据权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其中所述空穴传输层是通过共蒸镀钙钛矿前体和所述有机空穴传输材料形成的。5.根据权利要求4所述的QLED器件，其中所述空穴传输层具有所述钙钛矿材料和所述有机空穴传输材料的叠层结构。6.根据权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其中所述钙钛矿材料的分子通式为ABX3；A包括一价碱金属、小分子有机铵或Tl；B包括Pb或Sn；X包括Cl或Br。7.根据权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其中所述钙钛矿材料包括MAPbCl3。8.根据权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其中所述有机空穴传输材料包括CBP、TCTA、TFB、TPD、NPB、TAPC中的至少一种。9.根据利要求1-3任一项所述的QLED器件，包括依次层叠的第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极。10.根据利要求9所述的QLED器件，其中所述电子传输层是ZnO纳米粒子层或TiO2纳米棒层。11.一种QLED显示面板，包括基板和阵列布置在所述基板表面上的如权利要求1-10中任一项所述的Q...

【专利技术属性】
技术研发人员：禹钢，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11