【技术实现步骤摘要】
金属互连结构及其形成方法
本专利技术涉及一种形成金属互连结构的方法，该方法可以降低金属互连的接触电阻，同时提高金属互连结构的可靠性。
技术介绍
在半导体集成电路领域，常常需要在集成电路片上沉积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，将互相隔离的元件按照一定的要求互连形成所需的电路。为满足集成电路互连(Interconnect)工艺的要求，互连金属需要有较低的电阻率，已形成与元器件的良好的低欧姆接触。另外，互连金属材料的粘附性也需要满足一定要求，以便于沉积和光刻加工形成布线。传统的集成电路金属互连材料是铝。但随着半导体制造技术的发展，以铝为材料的金属互连结构由于存在信号延迟等方面的局限性，已经逐渐被铜互连结构所取代。铜具有较低的电阻率且不容易发生电迁移，可有效降低信号的延迟。但是，铜在硅(Si)或二氧化硅(SiO2)中极易扩散。在采用铜互连工艺的半导体器件中，铜的扩散效应会导致器件的某些性能不能满足产品的需求。因此，需要在铜表面设置扩散阻挡层以防止铜扩散对元器件造成的不良影响。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种形成金属互连结构的方法，该方法可以降低金属互连...
【技术保护点】
1.一种形成金属互连结构的方法，包括以下步骤：沉积第一金属层；在所述第一金属层的连接区沉积氮化钽层，并使所述氮化钽层的表面上的至少部分氮化钽为体心立方结构；在所述氮化钽层的表面沉积钽层，所述钽层中的金属钽为α相钽；以及在所述钽层上沉积第二金属层。
【技术特征摘要】
1.一种形成金属互连结构的方法，包括以下步骤：沉积第一金属层；在所述第一金属层的连接区沉积氮化钽层，并使所述氮化钽层的表面上的至少部分氮化钽为体心立方结构；在所述氮化钽层的表面沉积钽层，所述钽层中的金属钽为α相钽；以及在所述钽层上沉积第二金属层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一金属层的连接区形成氮化钽层，并使所述氮化钽层的表面上的至少部分氮化钽为体心立方结构的步骤包括：使用氩等离子工艺轰击所述氮化钽层的表面，使得被轰击出来的氮和钽重新在所述氮化钽层的表面结合成体心立方结构。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氩等离子工艺的条件为：直流源功率100-40,000W，交流偏压大于0且小于或等于1000W，射频线圈功率100-5000W，时间1-20s。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一金属层的连接区形成氮化钽层，并使所述氮化钽层的表面上的至少部分氮化钽为体心立方结构的步骤包括：配比所述氮化钽层中氮和钽的原子数比为0.25:1至3:1。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积第一金属层...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙祥烈，吕术亮，马亮，李远，黄驰，万先进，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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