大功率贴片整流桥框架制造技术

本实用新型专利技术公开一种大功率贴片整流桥框架，属于半导体电子器件制造技术领域，包括上框架和位于其下方的下框架，上框架和下框架之间设有内置芯片，上框架和下框架之间设有中框架，中框架包括第一中框架和第二中框架，第一中框架和第二中框架为对称结构，中框架将内置芯片分隔成第一层芯片和第二层芯片，上框架、下框架和中框架均包括框架基体和芯片放置面，其中上框架芯片放置面与第一中框架芯片放置面相对应设置用于放置第一层芯片，第二中框架芯片放置面与下框架芯片放置面相对应设置用于放置第二层芯片，如此设置扩展了框架的应用范围，承载更大尺寸的芯片，解决了现有技术中出现的问题。

High-power patch rectifier bridge frame

【技术实现步骤摘要】
大功率贴片整流桥框架
本技术涉及一种大功率贴片整流桥框架，属于半导体电子器件制造

技术介绍
如图1-2所示，现有贴片整流桥框架通常采用两片式框架结构，其分为上框架1及下框架2，两框架组合形成整流器内置框架结构，其芯片放置面位于同一平面上即单平面(单层)结构。应手机充电器等小型充电设备的发展需求，贴片整流桥封装尺寸日渐扁平化，小型化，而现有的贴片整流桥框架又需在同一平面布置的4颗芯片，故限制了更大尺寸的芯片的应用，目前最大放置60MIL芯片。现有的框架存在因芯片间距过近导致电气间隙不足等可靠性问题，又因本体小而内置框架大易出现内置框架外露等安全性问题。因结构限制老式框架各芯片放置面等效散热面积不同导致各芯片间散热不同，而半导体芯片又属于热敏感性元件，易发生因热积聚引起的单颗芯片失效。因结构限制老式框架安置芯片需采用的“两上两下”的方式，即2颗芯片P面朝下，2颗芯片P面朝下，而芯片两面结构并不相同，芯片P面有玻璃钝化保护层，N面则无；因此老式框架安置芯片的上下两面所受应力不同，而有玻璃保护的P面易因应力集中而发生碎裂，导致产品失效。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种大功率贴片整流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大功率贴片整流桥框架，包括上框架(1)和位于其下方的下框架(2)，上框架(1)和下框架(2)之间设有内置芯片(3)，其特征在于：所述的上框架(1)和下框架(2)之间设有中框架(4)，中框架(4)包括第一中框架(8)和第二中框架(9)，第一中框架(8)和第二中框架(9)为对称结构，中框架(4)将内置芯片(3)分隔成第一层芯片(6)和第二层芯片(7)，上框架(1)、下框架(2)和中框架(4)包括框架基体、上框架芯片放置面(11)、下框架芯片放置面(18)、第一中框架芯片放置面(15)和第二中框架芯片放置面(16)，其中上框架芯片放置面(11)与第一中框架芯片放置面(15)相对应设置用于放置...

【技术特征摘要】
1.一种大功率贴片整流桥框架，包括上框架(1)和位于其下方的下框架(2)，上框架(1)和下框架(2)之间设有内置芯片(3)，其特征在于：所述的上框架(1)和下框架(2)之间设有中框架(4)，中框架(4)包括第一中框架(8)和第二中框架(9)，第一中框架(8)和第二中框架(9)为对称结构，中框架(4)将内置芯片(3)分隔成第一层芯片(6)和第二层芯片(7)，上框架(1)、下框架(2)和中框架(4)包括框架基体、上框架芯片放置面(11)、下框架芯片放置面(18)、第一中框架芯片放置面(15)和第二中框架芯片放置面(16)，其中上框架芯片放置面(11)与第一中框架芯片放置面(15)相对应设置用于放置第一层芯片(6)，第二中框架芯片放置面(16)与下框架芯片放置面(18)相对应设置用于放置第二层芯片(7)。2.根据权利要求1所述的大功率贴片整流桥框架，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈刚全，吕敏，姜旭波，毕振法，吴南，马旺，
申请(专利权)人：山东芯诺电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37