一种旋转整流芯片及生产方法技术

本申请公开了一种旋转整流芯片及生产方法，涉及芯片生产领域，涵盖了从制备衬底层、形成PN结、制作金属电极、钝化保护、晶圆减薄与切割，直至最终的芯片测试与分选的全流程。在芯片测试与分选环节，融入了先进的良率管理与故障诊断机制。使得不再仅仅依赖人工对晶圆图进行目视检查和经验判断，而是通过对测试结果进行智能分析，尤其是在晶圆良率低于预设阈值时，能够自动构造晶圆图图像矩阵，并基于此进行良率空间分布图的模式识别与归因。这种数据驱动的分析方式，能够高效、客观地识别出具有特定空间模式的失效点，从而显著提升了旋转整流芯片的生产效率和产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及芯片生产领域，且更为具体地，涉及一种旋转整流芯片及生产方法。

技术介绍

1、旋转整流芯片作为现代电子设备中不可或缺的关键组件，广泛应用于汽车、工业控制、电源管理等领域，其性能和可靠性直接影响终端产品的整体表现。在旋转整流芯片的生产过程中，由于其涉及多步骤、高精度的半导体制造工艺，如衬底层制备、pn结形成、金属电极制作、钝化保护、晶圆减薄与切割以及最终的芯片测试与分选等，任何一个环节的微小偏差都可能导致芯片性能下降甚至失效。因此，如何构建一套高效、可靠的生产方法，确保芯片的良率和品质，是当前半导体制造领域面临的重要挑战。

2、然而，在现有的旋转整流芯片生产方法中，尽管各工艺环节已趋于成熟，但在芯片测试与分选阶段，尤其当晶圆良率低于预期阈值时，对失效芯片的根本原因诊断往往效率低下。传统的做法通常依赖于资深工程师对晶圆图进行人工目视检查和经验判断，以识别失效芯片的空间分布模式。这种人工看图的方式不仅耗时耗力，且高度依赖工程师的个人经验，容易受到主观因素影响，难以快速、准确地定位问题根源。对于那些具有特定空间模式的失效点，例如晶圆边缘区域的集本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种旋转整流芯片的生产方法，其特征在于，包括：制备衬底层，所述衬底层包括N型单晶硅片基底层和生长于所述N型单晶硅片基底层的外延层；在所述衬底层上形成PN结；为所述PN结的P区和N区制作出用于导电的金属电极以得到旋转整流器芯片胚体；对所述旋转整流器芯片胚体进行钝化保护以得到旋转整流器芯片拼版；对所述旋转整流器芯片拼版进行晶圆减薄与切割以得到多个旋转整流器芯片；对所述多个旋转整流器芯片进行芯片测试与分选。

2.根据权利要求1所述的旋转整流芯片的生产方法，其特征在于，在所述衬底层上形成PN结，包括：通过热氧化在所述衬底层的表面生长一层二氧化硅以得到掩蔽层；在所述掩蔽层上涂覆光刻...

【技术特征摘要】

1.一种旋转整流芯片的生产方法，其特征在于，包括：制备衬底层，所述衬底层包括n型单晶硅片基底层和生长于所述n型单晶硅片基底层的外延层；在所述衬底层上形成pn结；为所述pn结的p区和n区制作出用于导电的金属电极以得到旋转整流器芯片胚体；对所述旋转整流器芯片胚体进行钝化保护以得到旋转整流器芯片拼版；对所述旋转整流器芯片拼版进行晶圆减薄与切割以得到多个旋转整流器芯片；对所述多个旋转整流器芯片进行芯片测试与分选。

2.根据权利要求1所述的旋转整流芯片的生产方法，其特征在于，在所述衬底层上形成pn结，包括：通过热氧化在所述衬底层的表面生长一层二氧化硅以得到掩蔽层；在所述掩蔽层上涂覆光刻胶，并通过带有特定图形的掩膜版进行紫外线曝光，再通过显影在所述掩蔽层上形成窗口图形；通过刻蚀工艺腐蚀掉所述窗口图形中暴露出来的二氧化硅以露出位于其下的所述衬底层；通过高温扩散或离子注入工艺，将p型杂质掺入所述窗口图形下方的所述外延层以得到所述pn结。

3.根据权利要求2所述的旋转整流芯片的生产方法，其特征在于，对所述多个旋转整流器芯片进行芯片测试与分选，包括：响应于晶圆良率低于预设阈值，基于所述多个旋转整流器芯片的测试结果，构造晶圆图图像矩阵；基于所述晶圆图图像矩阵进行良率空间分布图的模式识别与归因以得到根源诊断建议。

4.根据权利要求3所述的旋转整流芯片的生产方法，其特征在于，响应于晶圆良率低于预设阈值，基于所述多个旋转整流器芯片的测试结果，构造晶圆图图像矩阵，包括：构建晶圆图图像元矩阵；遍历所述多个旋转整流器芯片的测试结果并执行如下操作：如果旋转整流器芯片的测试结果为不合格，在所述晶圆图图像元矩阵的对应位置填入零，如果旋转整流器芯片的测试结果为合格，在所述晶圆图图像元矩阵的对应位置填入一。

5.根据权利要求4所述的旋转整流芯片的生产方法，其特征在于，基于所述晶圆图图像矩阵进行良率空间分布图的模式识别与归因以...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐明星，张朝奇，夏东生，张逢森，陈茂文，
申请(专利权)人：山东芯诺电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：