【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET晶圆
本技术涉及半导体器件晶圆表面处理领域，更具体的涉及一种MOSFET晶圆。
技术介绍
随着功率MOSFET制造工艺的提升和新材料、新器件结构的不断涌现，功率MOSFET晶圆的导通损耗得到了大幅降低，体现在得到了更低的导通压降和开关损耗(缩小了开关时间)及更大的SOA。源于晶片性能的提升，特别是在一些高端应用场合，传统的ALWire和RibbonBonding工艺已经很难将晶圆的性能发挥到极致，这就要求半导体制造的后道工艺也必须进行优化改革。其中CuClipBonding工艺，在降低产品的导通损耗和寄生电感方面得到了很大的提升，主要是因为其具有很高的键合面积和电流流通截面积，以及很低的欧姆接触电阻及高可靠性。但由于CuClipBonding工艺较为复杂，封装成本较高，设备投入及工艺成本投入较大，对部分封装厂实施起来难度较大；若考虑在Fab厂直接将晶圆表面金属层加厚，因为Fab厂的功率MOSFET晶圆表面铝层是通过溅射工艺实现的，若将铝层加层到10～20um，时间成本是无法批量实现。
技术实现思路
本技术实施例提供一种MOSFET晶圆，用以解决基于现有晶圆...
【技术保护点】
1.一种MOSFET晶圆，其特征在于，包括：衬底层，S极表面金属层和晶圆表面金属层；所述S极表面金属层覆盖在所述衬底层上，所述晶圆表面金属层设置在所述S极表面金属层上；所述晶圆表面金属层从下至上包括5层不同金属制备的金属化金属层。
【技术特征摘要】
1.一种MOSFET晶圆，其特征在于，包括：衬底层，S极表面金属层和晶圆表面金属层；所述S极表面金属层覆盖在所述衬底层上，所述晶圆表面金属层设置在所述S极表面金属层上；所述晶圆表面金属层从下至上包括5层不同金属制备的金属化金属层。2.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆表面金属层包括的第一层金属化金属层为金属钛层，所述金属钛层的厚度为左右。3.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆表面金属层包括的第二层金属化金属层为第一金属铜层，所述第一金属铜层的厚度为左右。4.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆表面金属层包括的第三层金属化金属层为第二金属铜层，所述第二金属铜层的厚度为5～20um左右。5.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：宁波，刘义芳，
申请(专利权)人：华羿微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61
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