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本实用新型公开了一种MOSFET晶圆，涉及半导体领域。用以解决基于现有晶圆存在电阻比较大，在晶圆表面电流容易形成热点效应的问题。本实用新型实施例提供一种MOSFET晶圆，包括：衬底层，S极表面金属层和晶圆表面金属层；所述S极表面金属层覆盖在...
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