一种半导体封装用工装及封装方法技术

技术编号:21801831 阅读:42 留言:0更新日期:2019-08-07 11:12
本发明专利技术公开了一种半导体封装用工装及封装方法,属于电子元器件封装领域。针对现有技术中边框分离仍旧需要使用刀片切割的情况,且引线框产品易发生翘曲的问题,使引线框产品整体的共面性差,易发生卡料的问题。本发明专利技术提供了一种半导体封装用工装及封装方法,包括引线框,所述的引线框产品区外部设置有边框,所述边框与引线框内部的产品区之间间隔一过渡的抓胶区,所述抓胶区内设置有一圈或多圈半蚀刻槽,还包括菲林片,所述的菲林片覆盖于引线框上,菲林片在引线框半蚀刻槽位置设置有黑色边框。它可以保证边框能够直接撕下而不影响内部器件,有效控制待切割产品区平整,传送时候不会发生卡料,提高切割品质和效率。

A Tool and Packaging Method for Semiconductor Packaging

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装用工装及封装方法
本专利技术涉及电子元器件封装领域,更具体地说,涉及一种半导体封装用工装及封装方法。
技术介绍
集成电路封装在电子学金字塔中的位置既是金字塔的尖顶又是金字塔的基座。从电子元器件(如晶体管)的密度这个角度上来说,IC代表了电子学的尖端。但是IC又是一个起始点,是一种基本结构单元,是组成我们生活中大多数电子系统的基础。同样,IC不仅仅是单块芯片或者基本电子结构,IC的种类千差万别(模拟电路、数字电路、射频电路、传感器等),因而对于封装的需求和要求也各不相同。FBP、DFN等管脚基岛密集型框架,需要进行切割工序将器件进行分离。现有技术中,也相应的对切割方式进行了一定的改进,如中国专利申请号201120121602.4,公开日2011年11月23日,公开了一种QFN框架,包括核心器件框架和外框架,其特征是还设置有可分离节点,可分离节点与核心器件框架、外框架均固定连接。核心器件框架在注塑完后通过切断可分离节点而从整条框架上脱离开,因而在切割过程中避免对外框架的切割而减少刀具对铜材的切割。上述专利公开的一种QFN框架还存在以下不足和缺陷:核心器件框架、外框架之间仅通过可分离节点连接,其支撑强度低,因此在进行生产加工的过程中,很容易发生翘曲,共面性差,在产品进行传送的时候容易发生卡料,在切割工序中受翘曲影响已发生切偏的问题,产品整体翘曲程度越大,切偏的风险也越高;并且其依旧需要使用切割的方式进行边框的分离,需要使用刀片,在切割形成单个封装产品时,切割刀片依旧会对边框进行切割,增加切割刀具磨损。
技术实现思路
1.要解决的技术问题针对现有技术中框架分离依旧需要使用刀片切割,在进行生产加工的过程中,因引线框与塑封料存在较大的热膨胀系数差异,在包封完成后,会发生翘曲,使引线框产品整体的共面性差,进而在后续制程引线框产品进行传送时易发生卡料的问题,及在切割工序中受翘曲影响已发生切偏的问题,本专利技术提供了一种半导体封装用工装及封装方法。它可以保证边框能够直接撕下而不影响内部器件,撕去过程中保证产品区平整,传送时候不会发生卡料,也有利于提高切割的精度,提高切割工序作业质量。2.技术方案本专利技术的目的通过以下技术方案实现。一种半导体封装用工装,包括引线框,所述的引线框设置有一个或多个产品区,产品区外部为边框,边框与每一个产品区之间设置有抓胶区,所述抓胶区内围绕产品区设置有一圈半蚀刻槽。更进一步的,还包括菲林片,所述的菲林片覆盖于引线框背面,菲林片在引线框半蚀刻槽位置设置有黑色边框。黑色边框产品区遮住蓝膜,使蓝膜曝光后可以将黑色边框遮住的蓝膜显影去除掉,然后无蓝膜覆盖的半蚀刻槽剩余的金属可以进行全部蚀刻掉,形成全蚀刻环,可以通过蚀刻出的全蚀刻环释放应力,从而减小产品整体翘曲程度。更进一步的,边框与每一个产品区之间设置的抓胶区为一圈。更进一步的,抓胶区内于半蚀刻槽内外两侧皆设置镂空的抓胶槽。抓胶区内的半蚀刻槽和抓胶槽都起到抓胶作用,另外半蚀刻槽后期蚀刻完剩余的金属后又起到撕除边框的作用,并且半蚀刻槽与产品区之间布设了抓胶槽,可以避免撕除边框时对产品的影响,如撕除边框时产生的毛刺,即使有毛刺也只是存在抓胶区,或者撕除边框时引起塑封料断裂,若半蚀刻槽直接设置在产品区边缘处,塑封料的断面凹凸不平会影响产品区边缘处产品的外观。更进一步的,所述的引线框为金属制成。使用酸性溶液进行最后的全蚀刻,方便快捷,可使用现有的蚀刻溶液进行工作。更进一步的,所述的引线框半蚀刻槽内或外侧设置有切割标识孔,在切割前先进行刀具的对位工作。更进一步的,所述的切割标识孔为十字形切割状。更进一步的,所述的引线框一短边于边框边缘位置设置有把手,如有必要也可以设置在其他方便抓住的部位,方便后期撕除时候直接用手或镊子抓取。一种半导体封装方法,具体的步骤如下:包括如下步骤,A、制作上述封装用工装,在引线框上设置有半蚀刻槽;B、在引线框上进行装片、进行球焊工序;C、包封、后固化后的产品背面压上一层感光薄膜,贴菲林片,菲林片覆盖于引线框背面;菲林片在引线框半蚀刻槽位置设置有黑色边框;另外,菲林片在产品区的管脚以外金属位置设置黑色图案;D、进行曝光、显影、蚀刻后,引线框露出全蚀刻环,管脚以外金属蚀刻掉之后露出管脚,后对管脚露出部位进行电镀,电镀一般进行镀锡,便于后面的工序进行上电路板。E、整条产品完成切割前贴膜后,放置在切割设备工作台上,通过切割标识孔对刀具进行定位,通过工作台上的真空吸住产品区,夹持引线框边缘设置的把手手动撕除边框;F、切割形成单个封装产品。更进一步的,贴膜后,使用镊子夹住边框或者按住把手后,撕除边框。3.有益效果相比于现有技术,本专利技术的优点在于:本方案的工装,保证在现有工艺条件下,框架正面每个产品区周围带有半蚀刻槽的基础上改进菲林设计,经贴膜、曝光、显影蚀刻工艺在此半蚀刻对应的框架背面再进行一次蚀刻,使蚀刻后的框架背面形成一个全蚀刻环,切割工序贴膜后,可以直接将产品区四周边框手动撕除,省去切割边框的步骤,它可以保证边框能够直接撕下而不影响内部器件,撕去过程中保证产品区平整,传送时候不会发生卡料,减少员工工作时间和加工周期,提高切割效率,降低制造成本;同时减少切割刀具的磨损,降低材料成本;减少切割应力,提高产品可靠性,同时降低产品切偏风险。附图说明图1为引线框结构示意图;图2引线框拐角和边缘部分区域放大图。图中标号说明:1、把手;2、切割标识孔;3、边框;4、抓胶槽;5、半蚀刻槽;6、产品区;7、抓胶区。具体实施方式下面结合说明书附图和具体的实施例,对本专利技术作详细描述。实施例1如图1、2所示,本方案设计了一种半导体封装用工装,包括引线框,是一种针对于半导体封装领域需用切割进行器件分离的引线框,引线框内设置有多个排列的产品区6,每个产品区6外部设置的边框3,相邻产品区6以边框3相连,边框3与引线框内部的产品区6之间设置一过渡的抓胶区7,抓胶区7内设置有一圈半蚀刻槽5,抓胶区7内于半蚀刻槽5内外两侧皆设置多个镂空的抓胶槽4,半蚀刻槽5内侧保留的部分抓胶区可以使在切割前直接撕下边框而不影响内部器件,也可以保护产品区6不会被蚀刻液侵蚀。半蚀刻槽5设计不影响蚀刻工序的UPH,可以在产包封和后固化后蚀刻管脚的时候同步进行。半蚀刻是用酸性溶剂,如蚀刻液,将框架的抓胶区蚀刻出一定形状的凹槽而不至于将引线框蚀刻穿。半蚀刻槽5在包封工序的作用为抓胶,提高包封工序塑封料与引线框的结合能力,在需要去除的时候,用蚀刻去除;在产品包封后蚀刻,将此处金属全部蚀去,不需要切割,则可以直接撕边框,无需切边框,因为半蚀刻区域不涉及到产品区,直接将边框和内部的产品区分离,蚀刻后边框能够直接撕下而不影响内部器件,直接提高切割效率。蚀刻边框3,对上道工序蚀刻UPH无影响,同时减少切割应力,防止芯片在切割时候发生损坏。所述的引线框半蚀刻槽外或者内侧设置有切割标识孔2。本方案的切割标识孔2为十字形,也可以选择其他形状,只要保证定位即可,切割标识孔2作为切割对位标记,设置在半蚀刻槽外围,产品贴膜后,固定在切割机的工作台上,同时工作台有真空吸附,确保产品区域固定不动。此外,切割标识孔2作为切割对位标记,可以设置在半蚀刻槽内侧,在进行撕边框后,仍然可以进行定位。所述的引线框一短边于边本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装用工装,包括引线框,其特征在于:所述的引线框设置有一个或多个产品区(6),产品区(6)外部为边框(3),边框(3)与每一个产品区(6)之间设置有抓胶区(7),所述抓胶区(7)内围绕产品区(6)设置有一圈半蚀刻槽(5)。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装用工装,包括引线框,其特征在于:所述的引线框设置有一个或多个产品区(6),产品区(6)外部为边框(3),边框(3)与每一个产品区(6)之间设置有抓胶区(7),所述抓胶区(7)内围绕产品区(6)设置有一圈半蚀刻槽(5)。2.根据权利要求1所述的一种半导体封装用工装,其特征在于:还包括菲林片,所述的菲林片覆盖于引线框背面,菲林片在引线框半蚀刻槽(5)位置设置有黑色边框。3.根据权利要求1所述的一种半导体封装用工装,其特征在于:边框(3)与每一个产品区(6)之间设置的抓胶区(7)为一圈。4.根据权利要求1所述的一种半导体封装用工装,其特征在于:所述抓胶区(7)内于半蚀刻槽(5)内外两侧皆设置多个镂空的抓胶槽(4)。5.根据权利要求1或4所述的一种半导体封装用工装,其特征在于:所述的引线框半蚀刻槽(5)内或外侧设置有若干个切割标识孔(2)。6.根据权利要求5所述的一种半导体封装用工装,其特征在于:所述的切割标识孔(2)为十字形切割状。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴奇斌吴靖宇吴涛岳茜峰吕磊汪阳邱冬冬
申请(专利权)人:长电科技滁州有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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