【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子，尤其涉及一种封装结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着21世纪电子信息化时代的到来，外界信息采集技术已经逐渐渗透到人类生活的方方面面，传感器技术则是外界信息采集技术的主流技术之一，是人类感知外界信息的重要渠道，霍尔传感器被广泛应用到工业、汽车、消费电子等领域。而常规产品为了降低失调电压带来的干扰，通常需要额外加装磁芯通过外部施加磁场的方式来抗干扰，而且一颗产品内部通常只有一颗霍尔芯片，产品集成度不高。
2、因此，提供一种能够降低失调电压对霍尔器件的影响的封装结构及其形成方法是亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题是提供一种封装结构及其形成方法，以降低失调电压对霍尔器件的影响。
2、为了解决上述问题，本申请提供了一种封装结构，所述封装结构包括：基板；至少一置于所述基板的第一表面上方的芯片组，所述芯片组包括一位于所述芯片组远离所述基板的一侧的霍尔芯片；位于所述霍尔芯片远离所述基板的一侧的第一磁芯，且所述第一磁芯与所述霍尔芯片绝缘隔离；支撑所述第一磁芯且包裹所述芯片组、所述第一磁芯的塑封体。
3、在一些具体实施方式中，所述封装结构还包括：位于所述霍尔芯片侧面的第二磁芯，所述霍尔芯片的四个侧面于各自水平方向的投影完全落于各自对应的所述第二磁芯侧面上，所述塑封体还包裹所述第二磁芯。
4、在一些具体实施方式中，所述第一磁芯位于所述霍尔芯片的正上方，所述封装结构还包括：接触所述第一磁芯远离所述基板一侧的第一
5、在一些具体实施方式中，所述封装结构还包括：两端具有延伸部的第一散热片，所述延伸部朝向所述基板延伸并接触所述第二磁芯或覆盖所述第二磁芯的部分表面，所述塑封体包裹所述第一散热片，且所述第一散热片远离所述基板的表面暴露于所述塑封体外。
6、在一些具体实施方式中，所述封装结构还包括：接触所述第二磁芯的第二散热片，所述塑封体包裹所述第二散热片，且所述第二散热片的部分表面暴露于所述塑封体侧面。
7、在一些具体实施方式中，所述第一散热片的延伸部具有通孔，所述塑封体嵌入所述通孔中。
8、在一些具体实施方式中，所述第二散热片具有通孔，所述塑封体嵌入所述通孔中。
9、在一些具体实施方式中，所述基板为无磁基板。
10、在一些具体实施方式中，所述芯片组还包括硅通孔芯片，所述硅通孔芯片电连接至所述基板，所述霍尔芯片通过焊丝连接至所述硅通孔芯片，所述硅通孔芯片位于所述基板与所述霍尔芯片之间以将所述霍尔芯片电连接至所述基板。
11、本申请还提供了一种封装结构的形成方法，所述方法包括：提供一基板；形成至少一置于所述基板的第一表面上方的芯片组，所述芯片组包括一位于所述芯片组远离所述基板的一侧的霍尔芯片；形成位于所述霍尔芯片远离所述基板的一侧的第一磁芯，且所述第一磁芯与所述霍尔芯片绝缘隔离；形成支撑所述第一磁芯且包裹所述芯片组、第一磁芯的塑封体。
12、在一些具体实施方式中，所述形成至少一置于所述基板的第一表面上方的芯片组，所述芯片组包括一位于所述芯片组远离所述基板的一侧的霍尔芯片的步骤进一步包括：将一个或多个硅通孔芯片焊接于所述基板的表面；形成暴露所述硅通孔芯片的金属功能区的第一子塑封体；将所述霍尔芯片贴装于所述硅通孔芯片的金属功能区，所述霍尔芯片通过所述硅通孔芯片电连接至所述基板。
13、在一些具体实施方式中，所述形成位于所述霍尔芯片远离所述基板的一侧的第一磁芯，且所述第一磁芯与所述霍尔芯片绝缘隔离的步骤进一步包括：覆盖塑封材料于所述硅通孔芯片、所述霍尔芯片及所述基板未被所述初始塑封体覆盖的表面，以形成远离所述基底的一端具有阶梯状表面的第二子塑封体；于所述第二子塑封体远离所述基板的一侧贴装第一磁芯，所述第一磁芯位于所述霍尔芯片的正上方。
14、在一些具体实施方式中，在所述于所述第二子塑封体远离所述基板的一侧贴装第一磁芯的步骤之前，所述方法还包括：于所述第二子塑封体的边缘区域形成过孔；形成第二散热片于所述过孔内。
15、在一些具体实施方式中，在所述于所述第二子塑封体远离所述基板的一侧贴装第一磁芯的步骤之后，所述方法还包括:于所述霍尔芯片侧面贴装第二磁芯，所述霍尔芯片的四个侧面于各自水平方向的投影完全落于各自对应的所述第二磁芯侧面上。
16、在一些具体实施方式中，形成位于所述霍尔芯片远离所述基板的一侧的第一磁芯，且所述第一磁芯与所述霍尔芯片绝缘隔离的步骤之后，所述方法还包括：覆盖塑封材料，以形成第三塑封体。
17、上述技术方案，通过将第一磁芯集成于所述封装结构内部，能够降低失调电压对霍尔器件的影响，提高产品的精确度并提高了产品的集成度，减小霍尔器件的体积，顺应了霍尔传感器芯片高集成度、微型化发展趋势。
18、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
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1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：位于所述霍尔芯片侧面的第二磁芯，所述霍尔芯片的四个侧面于各自水平方向的投影完全落于各自对应的所述第二磁芯侧面上，所述塑封体还包裹所述第二磁芯。
3.根据权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，所述第一磁芯位于所述霍尔芯片的正上方，所述封装结构还包括：接触所述第一磁芯远离所述基板一侧的第一散热片，所述塑封体包裹所述第一散热片，且所述第一散热片远离所述基板的表面暴露于所述塑封体外。
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：两端具有延伸部的第一散热片，所述延伸部朝向所述基板延伸并接触所述第二磁芯或覆盖所述第二磁芯的部分表面，所述塑封体包裹所述第一散热片，且所述第一散热片远离所述基板的表面暴露于所述塑封体外。
5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：接触所述第二磁芯的第二散热片，所述塑封体包裹所述第二散热片，且所述第二散热片的部分表面暴露于所述塑封体侧面。
6.
7.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二散热片具有通孔，所述塑封体嵌入所述通孔中。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基板为无磁基板。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片组还包括硅通孔芯片，所述硅通孔芯片电连接至所述基板，所述霍尔芯片通过焊丝连接至所述硅通孔芯片，所述硅通孔芯片位于所述基板与所述霍尔芯片之间以将所述霍尔芯片电连接至所述基板。
10.一种封装结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
11.根据权利要求10所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述形成至少一置于所述基板的第一表面上方的芯片组，所述芯片组包括一位于所述芯片组远离所述基板的一侧的霍尔芯片的步骤进一步包括：
12.根据权利要求11所述的霍尔芯片组合封装结构的形成方法，其特征在于，所述形成位于所述霍尔芯片远离所述基板的一侧的第一磁芯，且所述第一磁芯与所述霍尔芯片绝缘隔离的步骤进一步包括：
13.根据权利要求12所述的霍尔芯片组合封装结构的形成方法，其特征在于，在所述于所述第二子塑封体远离所述基板的一侧贴装第一磁芯的步骤之前，所述方法还包括：
14.根据权利要求12所述的霍尔芯片组合封装结构的形成方法，其特征在于，在所述于所述第二子塑封体远离所述基板的一侧贴装第一磁芯的步骤之后，所述方法还包括:
15.根据权利要求12所述的霍尔芯片组合封装结构的形成方法，其特征在于，形成位于所述霍尔芯片远离所述基板的一侧的第一磁芯，且所述第一磁芯与所述霍尔芯片绝缘隔离的步骤之后，所述方法还包括：覆盖塑封材料，以形成第三子塑封体。
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：位于所述霍尔芯片侧面的第二磁芯，所述霍尔芯片的四个侧面于各自水平方向的投影完全落于各自对应的所述第二磁芯侧面上，所述塑封体还包裹所述第二磁芯。
3.根据权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，所述第一磁芯位于所述霍尔芯片的正上方，所述封装结构还包括：接触所述第一磁芯远离所述基板一侧的第一散热片，所述塑封体包裹所述第一散热片，且所述第一散热片远离所述基板的表面暴露于所述塑封体外。
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：两端具有延伸部的第一散热片，所述延伸部朝向所述基板延伸并接触所述第二磁芯或覆盖所述第二磁芯的部分表面，所述塑封体包裹所述第一散热片，且所述第一散热片远离所述基板的表面暴露于所述塑封体外。
5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：接触所述第二磁芯的第二散热片，所述塑封体包裹所述第二散热片，且所述第二散热片的部分表面暴露于所述塑封体侧面。
6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一散热片的延伸部具有通孔，所述塑封体嵌入所述通孔中。
7.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二散热片具有通孔，所述塑封体嵌入所述通孔中。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基板为无磁基...
【专利技术属性】
技术研发人员：岳茜峰，柳家乐，
申请(专利权)人：长电科技滁州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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