电子封装件及其制法制造技术

一种电子封装件及其制法，先于两侧设有第一电子元件与第二电子元件的承载结构上形成包覆该第一电子元件的封装层，再将具有调控层的强化件以其调控层包覆该第二电子元件，以藉由调整该强化件的形状及该调控层的用量，而调整该电子封装件的最终结构的翘曲程度。

Electronic Package and Its Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其制法
本专利技术有关一种半导体封装技术，尤指一种多晶片的电子封装件及其制法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。为了满足电子封装件微型化(miniaturization)的封装需求，发展出晶片级封装(ChipScalePackage，简称CSP)的技术。图1A至图1E为悉知晶片级封装的半导体封装件1的制法的剖面示意图。如图1A所示，形成一热化离形胶层(thermalreleasetape)100于一承载件10上。接着，置放多个半导体晶片11于该热化离形胶层100上，该些半导体晶片11具有相对的作用面11a与非作用面11b，各该作用面11a上均具有多个电极垫110，且各该作用面11a粘着于该热化离形胶层100上。如图1B所示，形成一封装胶体14于该热化离形胶层100上，以包覆该半导体晶片11。如图1C所示，烘烤该封装胶体14以硬化该热化离形胶层100而移除该热化离形胶层100与该承载件10，以外露出该半导体晶片11的作用面11a。如图1D所示，形成一线路结构16于该封装胶体14与该半导体晶片11的作用面11a上，令该线路结构16电性连接该电极垫110。接着，形成一绝缘保护层18于该线路结构16上，且该绝缘保护层18外露该线路结构16的部分表面，以供结合如焊球的导电元件17。如图1E所示，沿如图1D所示的切割路径L进行切单制程，以获取多个CSP封装结构的半导体封装件1，俾供电性连接于电路板(MotherBoard)上。然而，悉知半导体封装件1仅有单侧设置该半导体晶片11，使该半导体封装件1的功能及效能受限，而为了符合终端产品的多功能及高功效的需求，故于切单制程时，将多个半导体晶片11形成于同一平面上(如图1E所示)，因而使整体封装结构的平面面积过大，故难以缩小终端产品的体积。此外，如图1F所示，业界虽开发出另一种半导体封装件1’，其线路结构16的上、下侧均配置有电子元件(半导体晶片11或被动元件12)，以强化终端产品的功能及效能，但因该线路结构16的上、下侧所接置的电子元件的数量不同，且该些电子元件的尺寸大小也不相同，故该线路结构16的上、下侧的封装胶体14,15的厚度t1,t2及体积也不相同，因而造成该半导体封装件1’呈现不对称状态而发生翘曲(warpage)的情况，进而无法有效设置于终端产品(如行动电话)的电路板(如软板基板)上。另一方面，制作该半导体封装件1’时，因采用整组模具同时形成该封装胶体14,15，故无法调控该封装胶体14,15的厚度t1,t2，因而难以改变该半导体封装件1’的翘曲程度。因此，如何克服悉知技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述悉知技术的缺失，本专利技术提供一种电子封装件及其制法，藉由调整该强化件的形状及该调控层的用量，而调整该电子封装件的最终结构的翘曲程度。本专利技术的电子封装件，包括：承载结构，其具有相对的第一侧与第二侧；第一电子元件，其设于该承载结构的第一侧上；封装层，其包覆该第一电子元件；第二电子元件，其设于该承载结构的第二侧上；调控层，其包覆该第二电子元件；以及强化件，其设于该调控层上。本专利技术亦提供一种电子封装件的制法，包括：提供一封装组构及一包含有调控层的强化件，其中，该封装组构包含有具相对的第一侧与第二侧的承载结构、设于该第一侧上的第一电子元件、包覆该第一电子元件的封装层及设于该第二侧上的第二电子元件；以及将该强化件设于该承载结构的第二侧上，并使该调控层包覆该第二电子元件。前述的制法中，还包括将该强化件设于该承载结构的第二侧上的前，形成应力部于该承载结构的第二侧上。于一实施例中，该应力部对应位于切单制程的切割路径上前述的电子封装件及其制法中，该第一电子元件的部分表面外露出该封装层。前述的电子封装件及其制法中，该强化件为使用热膨胀系数小于20的材质。前述的电子封装件及其制法中，该调控层为绝缘材。前述的电子封装件及其制法中，该封装层的厚度等于该强化件的厚度与该调控层的厚度的总和。前述的电子封装件及其制法中，还包括形成多个导电元件于该封装层上，且该导电元件延伸至该承载结构的第一侧以电性连接该承载结构。由上可知，本专利技术的电子封装件及其制法，主要藉由先制作该封装组构，再将该强化件及调控层设于该承载结构的第二侧上，因而能预先模拟得知该封装组构的预估翘曲量，以调整该强化件的形状及该调控层的用量，故相较于悉知技术的整组模具同时形成上下侧的封装胶体，本专利技术的强化件与制作该封装层的模具互为独立治具，因而能控制该强化件的厚度与体积及该调控层的厚度与体积，进而能调整该电子封装件的最终结构的翘曲程度。附图说明图1A至图1E为悉知半导体封装件的制法的剖面示意图；图1F为另一种悉知半导体封装件的剖面示意图；以及图2A至图2E为本专利技术的电子封装件的制法的剖面示意图；其中，图2D’为图2D的另一实施例。符号说明1,1’半导体封装件10承载件100热化离形胶层11半导体晶片11a,21a,22a作用面11b,21b,22b非作用面110电极垫12被动元件14,15封装胶体16线路结构17,27导电元件18绝缘保护层2电子封装件2a封装组构20承载结构20a第一侧20b第二侧200线路层201绝缘层21第一电子元件210,220导电凸块22第二电子元件23强化件24应力部25封装层25b外表面26调控层d,h1,h2,t,t1,t2厚度L,S切割路径。具体实施方式以下藉由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技艺的人士的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如「上」、「第一」、「第二」及「一」等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。请参阅图2A至图2E，其为本专利技术的电子封装件2的制法的剖面示意图。如图2A所示，提供一封装组构2a与一强化件23，其中，该封装组构2a包含一承载结构20、至少一第一电子元件21、至少一第二电子元件22及一封装层25，且该强化件23上形成有调控层26。所述的承载结构20具有相对的第一侧20a与第二侧20b。于本实施例中，该承载结构20为例如具有核心层与线路部的封装基板(substrate)或具有线路部的无核心层(coreless)式封装基板，其线路部具有至少一绝缘层201与设于该绝缘层201上的线路层200，该线路层200例如扇出(fanout)型重布线路层(redistributionlayer，简称RDL)，并可依需求形成防焊层(图略)于该第一侧20a与第二侧20b上。例如，形成该线路层200的材质为铜，且形成该绝缘层201的材质为如聚对二唑苯(Polybenzoxazole，简称PBO)、聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)、预本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子封装件，其特征为，该电子封装件包括：承载结构，其具有相对的第一侧与第二侧；第一电子元件，其设于该承载结构的第一侧上；封装层，其包覆该第一电子元件；第二电子元件，其设于该承载结构的第二侧上；调控层，其包覆该第二电子元件；以及强化件，其设于该调控层上。

【技术特征摘要】
2018.01.22 TW 1071021961.一种电子封装件，其特征为，该电子封装件包括：承载结构，其具有相对的第一侧与第二侧；第一电子元件，其设于该承载结构的第一侧上；封装层，其包覆该第一电子元件；第二电子元件，其设于该承载结构的第二侧上；调控层，其包覆该第二电子元件；以及强化件，其设于该调控层上。2.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该第一电子元件的部分表面外露出该封装层。3.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该强化件为使用热膨胀系数小于20的材质。4.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该调控层为绝缘材。5.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该封装层的厚度等于该强化件的厚度与该调控层的厚度的总和。6.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征为，该电子封装件还包括多个导电元件，其形成于该封装层上并延伸至该承载结构的第一侧以电性连接该承载结构。7.一种电子封装件的制法，其特征为，该制法包括：提供一封装组构及一包含有调控层的强化件，其中，该封装组构包...

【专利技术属性】
技术研发人员：许智勋，杨子庆，陈姿颖，程吕义，曾景鸿，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71