具有延伸穿过下方的中介层的散热器的半导体裸片组合件及相关技术制造技术

一种根据本技术的实施例的半导体裸片组合件包含第一半导体裸片、在所述第一半导体裸片下方的封装衬底、在所述封装衬底与所述第一半导体裸片之间的中介层、及在所述封装衬底与所述中介层之间的第二半导体裸片。所述半导体裸片组合件进一步包括散热器，所述散热器包含在第一高度处热耦合到所述第一半导体裸片的盖及在不同于所述第一高度的第二高度处热耦合到所述第二半导体裸片的柱。所述散热器经配置以分别经由所述盖及所述柱远离所述第一及第二半导体裸片转移热。所述中介层在所述第一与第二高度之间的平面中绕所述柱的周长的至少75％延伸。

Semiconductor bare-sheet assemblies with radiators extending through the underlying intermediate layer and related technologies

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有延伸穿过下方的中介层的散热器的半导体裸片组合件及相关技术
本技术涉及半导体裸片组合件。
技术介绍
包含存储器芯片、微处理器芯片及成像器芯片的封装半导体裸片通常包含含有基于半导体的集成电路的单粒化裸片及围封裸片的塑料保护罩。裸片包含例如存储器单元、处理器电路及成像器装置的功能特征件以及电连接到功能特征件的接合垫。接合垫可电连接到保护罩外部的终端以允许裸片连接到较高级电路。在一些情况中，多个半导体裸片并入单个封装中。多裸片封装中的个别半导体裸片可具有一些专属封装特征件及与封装中的其它半导体裸片共享的其它封装特征件。此方法增加可容纳在小空间中的处理能力、存储器等。一些多裸片封装包含垂直对准的半导体裸片的单个堆叠。其它多裸片封装包含在相同或不同高度处彼此横向偏移的半导体裸片。在这些及其它类型的多裸片封装中，热耗散通常是重要的设计约束。由多裸片封装中的半导体裸片产生的组合热可引起个别裸片达到高于其最大操作温度的温度。组合热还可降低裸片之间的电互连件的性能及可靠性。随着多裸片封装中的裸片的密度增加，这些及其它热相关问题通常变得更严重。因此，增强从多裸片封装中的半导体裸片的热耗散具有改善性能、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体裸片组合件，其包括：第一半导体裸片；封装衬底，其在所述半导体裸片组合件处于给定定向中时，在所述第一半导体裸片下方；中介层，其在所述封装衬底与所述第一半导体裸片之间；第二半导体裸片，其在所述封装衬底与所述中介层之间；及散热器，其经配置以远离所述第一及第二半导体裸片转移热，其中所述散热器包含‑盖，其在所述半导体裸片组合件处于所述给定定向中时，在第一高度处热耦合到所述第一半导体裸片，及柱，其在所述半导体裸片组合件处于所述给定定向中时，在不同于所述第一高度的第二高度处热耦合到所述第二半导体裸片，其中所述中介层在所述第一与第二高度之间的平面中绕所述柱的周长的至少75％延伸。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.21 US 15/386,3431.一种半导体裸片组合件，其包括：第一半导体裸片；封装衬底，其在所述半导体裸片组合件处于给定定向中时，在所述第一半导体裸片下方；中介层，其在所述封装衬底与所述第一半导体裸片之间；第二半导体裸片，其在所述封装衬底与所述中介层之间；及散热器，其经配置以远离所述第一及第二半导体裸片转移热，其中所述散热器包含-盖，其在所述半导体裸片组合件处于所述给定定向中时，在第一高度处热耦合到所述第一半导体裸片，及柱，其在所述半导体裸片组合件处于所述给定定向中时，在不同于所述第一高度的第二高度处热耦合到所述第二半导体裸片，其中所述中介层在所述第一与第二高度之间的平面中绕所述柱的周长的至少75％延伸。2.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中：所述中介层界定开口；且所述柱延伸穿过所述开口。3.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中所述中介层被塑形为在所述第一与第二高度之间的所述平面中的矩形环状物。4.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中：所述第一半导体裸片是存储器裸片；且所述第二半导体裸片是逻辑裸片。5.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中：所述散热器包含经配置以通过对流而转移热的鳍片；且当所述半导体裸片组合件处于所述给定定向中时，所述鳍片在所述柱上方。6.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中所述盖及所述柱是所述散热器的连续组件。7.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中：所述第一半导体裸片是电耦合到所述中介层的多个第一半导体裸片中的第一者；所述多个第一半导体裸片中的所述第一者在第一方向上与所述柱横向隔开；所述半导体裸片组合件进一步包括所述多个第一半导体裸片中的第二者；且所述多个第一半导体裸片中的所述第二者在与所述第一方向相反的第二方向上与所述柱横向隔开。8.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中所述盖及所述柱是所述散热器的不连续组件。9.根据权利要求8所述的半导体裸片组合件，其中所述盖在所述第一高度处绕所述柱的周长的至少75％延伸。10.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其进一步包括：第一热界面特征件，所述盖通过其在所述第一高度处热耦合到所述第一半导体裸片；及第二热界面特征件，所述柱通过其在所述第二高度处热耦合到所述第二半导体裸片。11.根据权利要求10所述的半导体裸片组合件，其中所述第一及第二热界面特征件分别是第一热界面胶带片及第二热界面胶带片。12.根据权利要求10所述的半导体裸片组合件，其中所述第一及第二热界面特征件分别是第一体积的热界面膏及第二体积的热界面膏。13.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中：所述第一半导体裸片是电耦合到所述中介层的多个第一半导体裸片中的第一者；所述中介层具有-第一主表面，及第二主表面，其与所述中介层的第一主表面相对；与所述中介层的所述第一主表面相比，所述第二半导体裸片更接近所述中介层的所述第二主表面；所述多个第一半导体裸片中的所述第一者经由所述中介层的所述第一主表面电耦合到所述中介层；所述半导体裸片组合件进一步包括所述多个第一半导体裸片中的第二者；且所述多个第一半导体裸片中的所述第二者经由所述中介层的所述第二主表面电耦合到所述中介层。14.根据权利要求13所述的半导体裸片组合件，其中：所述封装衬底具有-第一主表面，及第二主表面，其与所述封装衬底的第一主表面相对；与所述封装衬底的所述第二主表面相比，所述第一半导体裸片更接近所述封装衬底的所述第一主表面；所述半导体裸片组合件进一步包括在所述封装衬底的所述第一主表面处的热转移材料；且所述热转移材料热耦合到所述多个第一半导体裸片中的所述第二者。15.根据权利要求14所述的半导体裸片组合件，其中所述热转移材料是在所述半导体裸片组合件处于所述给定定向中时，上覆所述封装衬底的金属膜。16.根据权利要求14所述的半导体裸片组合件，其中：所述热转移材料包含在所述半导体裸片组合件处于所述给定定向中时，横向延伸超出所述中介层的边缘部分的周长部分；所述半导体裸片组合件进一步包括在所述热转移材料的所述周长部分处热耦合到所述热转移材料的鳍片；且所述鳍片经配置以通过对流而转移热。17.根据权利要求14所述的半导体裸片组合件，其进一步包括热界面特征件，所述热转移材料通过其热耦合到所述第一半导体裸片。18.根据权利要求17所述的半导体裸片组合件，其中所述热界面特征件是热界面胶带片。19.根据权利要求17所述的半导体裸片组合件，其中所述热界面特征件是一体积的热界面膏。20.一种用于制造半导体裸片组合件的方法，所述方法包括：将第一半导体裸片电耦合到中介层；将第二半导体裸片电耦合到封装衬底；将所述中介层电耦合到所述封装衬底；将散热器的盖热耦合到所述第一半导体裸片，其中所述散热器经配置以经由所述盖远离所述第一半导体裸片...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤玛士·H·金斯利，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US