【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及IGBT、MOSFET以及二极管(Diode)等半导体装置，特别地涉及能够对在半导体芯片和绝缘基板之间的接合材料的内部产生的孔洞(void)进行抑制、使可靠性提高的半导体装置。
技术介绍
就通常的半导体装置而言，采用经由接合材料而将半导体芯片与绝缘基板等的图案进行接合的构造。近年来，半导体芯片以成本削减以及能量损耗的削减等电气特性的改善作为目的而正在推进薄型化，但相反，存在半导体芯片的翘曲向凸方向增大的倾向。其结果，在接合材料的接合工序中，沿着半导体芯片的翘曲而在接合材料的内部残留孔洞，因此半导体装置的散热性能下降。并且，在长期使用了半导体装置的情况下，由于在接合材料的内部残留的孔洞而使半导体装置的可靠性下降这一问题变得显著。例如，在专利文献1中，公开了以下技术，即，通过在半导体芯片的上表面侧，更具体而言，在发射极电极侧的外周部由绝缘性厚膜形成框，从而能够通过双金属效应而抑制半导体芯片的翘曲。进而，通过以将该框连接起来的方式形成梁，从而通过双金属效应而对半导体芯片的翘曲进行抑制，减少孔洞。另外，例如，在专利文献2中，公开了以下技术，即，通...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具备：半导体芯片(1)，其具有凹形状的翘曲；绝缘基板(3)，在该绝缘基板通过接合而搭载有所述半导体芯片(1)；基座板(4)，在该基座板安装有所述绝缘基板(3)，且该基座板具有散热性；树脂部(6)，其将所述绝缘基板(3)及所述半导体芯片(1)进行封装；以及凸块(10)，其配置于所述半导体芯片(1)和所述绝缘基板(3)之间的接合部，所述半导体芯片(1)的凹形状的翘曲量为大于或等于1μm且小于所述凸块(10)的高度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其具备：半导体芯片(1)，其具有凹形状的翘曲；绝缘基板(3)，在该绝缘基板通过接合而搭载有所述半导体芯片(1)；基座板(4)，在该基座板安装有所述绝缘基板(3)，且该基座板具有散热性；树脂部(6)，其将所述绝缘基板(3)及所述半导体芯片(1)进行封装；以及凸块(10)，其配置于所述半导体芯片(1)和所述绝缘基板(3)之间的接合部，所述半导体芯片(1)的凹形状的翘曲量为大于或等于1μm且小于所述凸块(10)的高度。2.一种半导体装置，其具备：半导体芯片(1)，其具有凹形状的翘曲；绝缘基板(3)，在该绝缘基板通过接合而搭载有所述半导体芯片(1)；基座板(4)，在该基座板安装有所述绝缘基板(3)，且该基座板具有散热性；以及树脂部(6)，其将所述绝缘基板(3)及所述半导体芯片(1)进行封装，在所述半导体芯片(1)的上表面设置有上表面电极(7、8)，引线框(5b、5c)被接合至所述上表面电极(7、8)。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，在所述半导体芯片(1)和所述绝缘基板(3)之间的接合部配置有凸块(10)。4.根据权利要求1至...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉冈佑毅，佐佐木太志，原田启行，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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