发光二极管制造技术

本发明专利技术提供一种发光二极管。所述发光二极管包含：透明衬底，具有第一表面、第二表面以及侧表面；第一导电型半导体层，位于所述透明衬底的所述第一表面上；第二导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上；作用层，位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间；第一衬垫，电连接到所述第一导电型半导体层；以及第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层。此外，由所述作用层产生的光通过所述透明衬底的所述第二表面发射到所述透明衬底外部，并且所述发光二极管在至少一个轴向方向上具有至少140度的光束角。因此，可以提供一种适合于背光单元或表面照明设备的发光二极管。

light-emitting diode

【技术实现步骤摘要】
发光二极管本专利技术是2013年10月22日所提出的申请号为201380072266.0、专利技术名称为《发光二极管、照明模块、照明设备和背光单元》的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种发光二极管，并且更具体地说，涉及一种具有改良的光束角的倒装芯片型发光二极管。
技术介绍
已开发氮化镓(GaN)类发光二极管，且GaN类LED已经广泛地用于各种应用中，包括全色LED显示器、LED交通标志牌、背光单元、照明装置等等。一般来说，氮化镓类发光二极管通过使外延层在例如蓝宝石衬底等衬底上生长来形成，并且包含N型半导体层、P型半导体层以及插入其间的作用层。另一方面，将N-电极衬垫形成于N型半导体层上并且将P-电极衬垫形成于P型半导体层上。发光二极管通过电极衬垫电连接到外部电源并由此进行操作。这里，电流通过半导体层从P-电极衬垫流动到N-电极衬垫。另一方面，倒装芯片型发光二极管用于防止P-电极衬垫的光损失，同时提高热耗散效率。倒装芯片型发光二极管发光穿过生长衬底，并因此相比于发光穿过其外延层的垂直型发光二极管，可以减少P-电极衬垫的光损失。此外，侧向型发光二极管被配置成将热通过例如蓝宝石本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，包括：衬底，具有第一表面及作为所述第一表面的相反面的第二表面；第一导电型半导体层，置于所述衬底的所述第一表面上；凸台，置于所述第一导电型半导体层上，具有作用层及第二导电型半导体层，使所述第一导电型半导体层暴露于外侧；下部绝缘层，覆盖所述凸台及所述第一导电型半导体层，具有沿着所述衬底的边缘使所述第一导电型半导体层暴露的多个第一开口；第一衬垫，通过所述第一开口电连接到所述第一导电型半导体层；以及第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层。

【技术特征摘要】
2012.12.06 KR 10-2012-0140991;2012.12.28 KR 10-2011.一种发光二极管，包括：衬底，具有第一表面及作为所述第一表面的相反面的第二表面；第一导电型半导体层，置于所述衬底的所述第一表面上；凸台，置于所述第一导电型半导体层上，具有作用层及第二导电型半导体层，使所述第一导电型半导体层暴露于外侧；下部绝缘层，覆盖所述凸台及所述第一导电型半导体层，具有沿着所述衬底的边缘使所述第一导电型半导体层暴露的多个第一开口；第一衬垫，通过所述第一开口电连接到所述第一导电型半导体层；以及第二衬垫，电连接到所述第二导电型半导体层。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述凸台具有4个侧表面，与所述凸台的各侧表面相邻地配置所述下部绝缘层的所述第一开口。3.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括：反射电极，置于所述第二导电型半导体层上，所述下部绝缘层包括使所述反射电极暴露的第二开口。4.根据权利要求3所述的发光二极管，还包括：电流扩展层，置于所述下部绝缘层上，所述电流扩展层通过所述第一开口电连接到所述第一导电型半导体层，所述第一衬垫连接到所述电流扩展层。5.根据权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡钟炫，李俊燮，卢元英，姜珉佑，张锺敏，金贤儿，徐大雄，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR