一种占空比调整电路制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种占空比调整电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、和调整单元；第一晶体管的第一极与第三晶体管的第二极连接，第一晶体管的第二极与第二晶体管的第二极连接，第一晶体管的栅极用于输入占空比信号；第二晶体管的第一极接地，第二晶体管的栅极与第一晶体管的栅极连接；第三晶体管的第一极与第一电源连接；调整单元的第一输入端与第一晶体管的第二极连接，调整单元的第二输入端用于输入参考电压信号，调整单元的输出端与第三晶体管的栅极连接。本发明专利技术实施例实现了占空比调整，且电路结构简单，成本低。

A duty cycle adjusting circuit

【技术实现步骤摘要】
一种占空比调整电路
本专利技术实施例涉及电路
，尤其涉及一种占空比调整电路。
技术介绍
随着集成电路工艺的不断发展，芯片的工作速度不断提高，对时钟占空比精度的要求也越来越高。在系统工作过程中，往往需要固定的时钟占空比(通常为50％)保证数据在传输过程中正确的建立和保持。然而，实际应用时，由于电路设计本身产生的失配和芯片制造过程中工艺与方针模型的偏差，时钟在传输过程中会引起时钟的占空比失调，从而造成严重的时序错误，因此，在对占空比要求严格的场合中，加入占空比调整电路是十分必须的。占空比调整电路可分为数字式调整电路和模拟式调整电路，由于数字式调整电路受最小延迟单元的限制，时钟占空比调整电路以模拟的方式居多，但是，现有的模拟式时钟占空比调整电路均需要采用电荷泵检测产生的电压与基准占空比检测电平产生差异，电路结构复杂，且成本较高。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种占空比调整电路，以实现占空比调整，且电路结构简单，成本低。该占空比调整电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、和调整单元；所述第一晶体管的第一极与第三晶体管的第二极连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极连接，所述第一晶体管的栅极用于输入占空比信号；所述第二晶体管的第一极接地，所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极连接；所述第三晶体管的第一极与第一电源连接；所述调整单元的第一输入端与所述第一晶体管的第二极连接，所述调整单元的第二输入端用于输入参考电压信号，所述调整单元的输出端与所述第三晶体管的栅极连接，所述调整单元用于根据其第一输入端的信号和第二输入端的信号调整其输出端的电压，直至其第一输入端的信号和第二输入端的信号匹配；所述第二晶体管和所述第一晶体管的导通沟道不同。可选的，所述调整单元包括转换子单元、运算放大器和分压电路；所述转换子单元的输入端与所述第一晶体管的第二极连接，所述转换子单元的输出端与所述运算放大器的反向输入端连接，所述转换子单元用于将高频信号转换为低频信号；所述分压电路的第一端与第二电源连接，所述分压电路的第二端接地，所述分压电路的分压输出端与所述运算放大器的同向输入端连接；所述运算放大器的输出端与所述第三晶体管的栅极连接。可选的，所述转换子单元包括第一反相器和低通滤波电路；所述第一反相器的输入端与所述第一晶体管的第二极连接，所述第一反相器的输出端与所述低通滤波电路的输入端连接，所述低通滤波电路的输出端与所述运算放大器的反向输入端连接。可选的，所述低通滤波电路包括第一电阻和第一电容；所述第一电阻连接于所述第一反相器的输出端和所述运算放大器的反向输入端之间；所述第一电容的第一极与所述运算放大器的反向输入端连接，所述第一电容的第二极接地。可选的，该占空比调整电路还包括第二反相器，所述第二反相器的输入端与所述第一晶体管的第二极连接，所述第二反相器的输出端用于输出调整后的占空比信号。可选的，所述第二反相器和所述第一反相器的尺寸相同。可选的，所述分压电路包括第二电阻和第三电阻；所述第二电阻和所述第三电阻串联，所述第二电阻和所述第三电阻的非公共连接端中的一个与所述第二电源连接，另一个接地；所述第二电阻和所述第三电阻的公共连接端与所述运算放大器的同向输入端连接。可选的，所述第二电源输出电压的电压值与所述占空比信号的幅值相等。可选的，所述参考电压信号为固定电平信号，所述参考电压信号的电压值小于等于占空比信号的幅值。可选的，所述第一晶体管和所述第三晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管为N型晶体管：或者，所述第一晶体管和所述第三晶体管为N型晶体管，所述第二晶体管为P型晶体管。本专利技术实施例提供了一种占空比调整电路，通过设置第一晶体管的第一极与第三晶体管的第二极连接，第一晶体管的第二极与第二晶体管的第二极连接，第二晶体管的第一极接地，第二晶体管的栅极与第一晶体管的栅极连接；第三晶体管的第一极与第一电源连接，调整单元的第一输入端与第一晶体管的第二极连接，调整单元的第二输入端输入参考电压信号，调整单元的输出端与第三晶体管的栅极连接，使第一晶体管的栅极输入占空比信号后，调整单元的第一输入端产生信号，调整单元根据其第一输入端的信号和第二输入端的信号调整其输出端的电压，直至其第一输入端的信号和第二输入端的信号匹配，实现将输入的占空比信号调整为与第二输入端的信号相比配的占空比信号。本专利技术实施例解决了现有占空比调整电路结构复杂，成本较高的问题，实现了时钟占空比调整，且电路结构简单，成本低。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的一种占空比调整电路框图。图2为本专利技术实施例一提供的一种占空比调整电路的调整时序图。图3为本专利技术实施例二提供的一种占空比调整电路框图。图4为本专利技术实施例二提供的一种占空比调整电路的调整时序图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的一种占空比调整电路框图，参见图1，该占空比调整电路包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、和调整单元100；第一晶体管M1的第一极与第三晶体管M3的第二极连接，第一晶体管M1的第二极与第二晶体管M2的第二极连接，第一晶体管M1的栅极用于输入占空比信号CLK_IN；第二晶体管M2的第一极接地，第二晶体管M2的栅极与第一晶体管M1的栅极连接；第三晶体管M3的第一极与第一电源连接；调整单元100的第一输入端In1与第一晶体管M1的第二极连接，调整单元100的第二输入端In2用于输入参考电压信号，调整单元100的输出端Out与第三晶体管M3的栅极连接，调整单元100用于根据其第一输入端In1的信号和第二输入端In2的信号调整其输出端Out的电压，直至其第一输入端In1的信号和第二输入端In2的信号匹配；第二晶体管M2和第一晶体管M1的导通沟道不同。其中，第一电源的电压值为VDD。若调整单元100第一输入端In1的信号的有效值与调整单元100第二输入端In2输入的参考电压信号的电压值Vref相等，则为第一输入端In1的信号和第二输入端In2的信号匹配。调整单元100可以将第一输入端In1的信号进行转换，转换为低频信号。在图1中，示例性地，第一晶体管M1和第三晶体管M3为P型晶体管，第二晶体管M2为N型晶体管，这仅是本专利技术的一个具体示例，而非对本专利技术的限制，可选的，还可以为第一晶体管M1和第三晶体管M3为N型晶体管，第二晶体管M2为P型晶体管。图2为本专利技术实施例一提供的一种占空比调整电路的调整时序图，下面结合图1和图2示例性地说明本专利技术实施例提供的调整电路的工作过程。其中，CLK_IN表示输入的占空比信号，S-In1表示调整单元100第一输入端In1输入的信号，S-A表示第一输入端In1输入信号对应的共模信号的电压，其中第一输入端In1输入信号对应的共模信号的电压为将第一输入端In1输入的信号转换后的信号的共模电压值，例如转换为低频信号。S-Vref表示调整单元100第二输入端In2输入的参考电压信号。当输入的占空比信号CLK_IN由低电平上升为高电平，在上升沿电压达到第二晶体管M2的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种占空比调整电路，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、和调整单元；所述第一晶体管的第一极与第三晶体管的第二极连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极连接，所述第一晶体管的栅极用于输入占空比信号；所述第二晶体管的第一极接地，所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极连接；所述第三晶体管的第一极与第一电源连接；所述调整单元的第一输入端与所述第一晶体管的第二极连接，所述调整单元的第二输入端用于输入参考电压信号，所述调整单元的输出端与所述第三晶体管的栅极连接，所述调整单元用于根据其第一输入端的信号和第二输入端的信号调整其输出端的电压，直至其第一输入端的信号和第二输入端的信号匹配；所述第二晶体管和所述第一晶体管的导通沟道不同。

【技术特征摘要】
1.一种占空比调整电路，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、和调整单元；所述第一晶体管的第一极与第三晶体管的第二极连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极连接，所述第一晶体管的栅极用于输入占空比信号；所述第二晶体管的第一极接地，所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极连接；所述第三晶体管的第一极与第一电源连接；所述调整单元的第一输入端与所述第一晶体管的第二极连接，所述调整单元的第二输入端用于输入参考电压信号，所述调整单元的输出端与所述第三晶体管的栅极连接，所述调整单元用于根据其第一输入端的信号和第二输入端的信号调整其输出端的电压，直至其第一输入端的信号和第二输入端的信号匹配；所述第二晶体管和所述第一晶体管的导通沟道不同。2.根据权利要求1所述的占空比调整电路，其特征在于，所述调整单元包括转换子单元、运算放大器和分压电路；所述转换子单元的输入端与所述第一晶体管的第二极连接，所述转换子单元的输出端与所述运算放大器的反向输入端连接，所述转换子单元用于将高频信号转换为低频信号；所述分压电路的第一端与第二电源连接，所述分压电路的第二端接地，所述分压电路的分压输出端与所述运算放大器的同向输入端连接；所述运算放大器的输出端与所述第三晶体管的栅极连接。3.根据权利要求2所述的占空比调整电路，其特征在于，所述转换子单元包括第一反相器和低通滤波电路；所述第一反相器的输入端与所述第一晶体管的第二极连接，所述第一反相器的输出端与所述低通滤波电路的输入端连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：方海彬，舒清明，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11