量测结构制造技术

一种量测结构，其于介电层上形成一具有两圈环体的震荡量测组，以于单一次量测介电常数的作业中，能量测出两个频率峰值。

【技术实现步骤摘要】
量测结构
本专利技术关于一种量测结构，特别是关于一种用以量测介电常数的量测结构。
技术介绍
因应下一世代电讯传输频率的第五代移动通信系统(5thgenerationmobilenetworks或5thgenerationwirelesssystems，简称5G)，其传输频率介于23至40GHz之间，故对于半导体封装件的线路结构的布设中，其所用的介电材的介电常数的准确性要求极高，否则制得的半导体封装件无法达到传输频率介于23至40GHz之间的需求，也就是该半导体封装件无法达到5G电子产品的需求。此外，目前封装厂于使用介电材料时，一定会考量该介电材料的特性，如介电常数，且该介电材料的特性均由材料供应商定义，而该定义仅为该介电材料于特定温度下的数值(如该介电材料于液态时的介电常数)，并未呈现该介电材料于其它温度下的数值(如该介电材料于固态时的介电常数)。然而，于制作半导体封装件的过程中，该介电材料会从液态(或熔融态)转变成固态，其介电常数的数值会大幅变动，故若参考该材料供应商所定义的液态介电常数，则制作出的半导体封装件的线路结构的传输频率容易受干扰而无法有效传输讯号，进而导致5G电子产品无法符合高频的需求。因此，封装厂通常会自行量测该介电材料于固态时的介电常数，再依据该自行量测的介电常数判断该介电材料是否符合需求。如图1A至图1B所示，封装厂将欲判断是否符合需求的介电材料来模拟欲制的线路结构1a(如图1C所示的产品介电层10a与线路层11a)，而制作出一仿制结构1(不含图1C所示的线路层11a)，其包括至少一量测介电层10及一设于该量测介电层10上的震荡量测部11，该量测介电层10的材质特性相同于该产品介电层10a的材质特性，且该震荡量测部11具有一圆形环线111及两传输线113,114。具体地，该圆形环线111间隔地位于该两传输线113,114之间，使该圆形环线111与该两传输线113,114之间具有间隙e，且令该圆形环线111与该两传输线113,114能产生电性耦合，其中，该圆形环线111对应该间隙e的周面范围L可定义该电性耦合的耦合量的大小，而该震荡量测部11的预设传输频率(如28GHz)可定义出该圆形环线111的周长(或该圆形环线111的外径R)，即该预设传输频率的波长可为该圆形环线111的周长(如1/28纳米)。此外，于制作该线路结构1a前，会先量测该仿制结构1的量测介电层10于固态时的介电常数，以判断该产品介电层10a是否能采用。具体地，于量测该量测介电层10于固态时的介电常数时，先调整环境温度，使该量测介电层10维持固体状态，再将一量测仪器(图未示)的电流依序耦合通过其中一传输线113、圆形环线111及另一传输线114，以得到该预设传输频率(如28GHz)的峰值，之后电脑借由该峰值依据现有物理公式演算出该量测介电层10(即该产品介电层10a)于固态时的介电常数的数值。因此，封装厂可将该量测介电层10于固态时介电常数的数值输入模拟软体中，以进行半导体封装件1’(如图1D所示，其包含半导体晶片12、线路结构1a及封装材13)的模拟作业，借此判断该产品介电层10a是否符合该线路结构1a的需求，也就是当符合需求时，才会开始进行该线路结构1a的制作。然而，现有仿制结构1的量测震荡部11，其传输线113,114的端部为直线端，因而该圆形环线111仅于极小的周面范围L之处产生电性耦合，致使于进行量测作业时，该电流的耦合量极小，因而量测讯号容易受杂讯干扰，特别是当量测仪器的动态范围不足时，其所得的量测讯号大多为杂讯，故将影响所撷取的峰值或频带的准确度。此外，现有仿制结构1的量测震荡部11仅能用于量测单一频带(该预设传输频率)的介电常数，若需量测多个频带(如预设传输频率为38GHz及23.75GHz)的介电常数，则需设计多组该仿制结构1(不同的量测震荡部11的圆形环线111的周长)，因而耗时及耗成本。因此，如何克服上述现有技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺失，本专利技术遂提供一种量测结构，能减少制作该量测结构的数量。本专利技术的量测结构包括：介电层；第一导线，其设于该介电层上且具有第一端部；第二导线，其设于该介电层上且具有对应该第一端部的第二端部；第一环体，其设于该介电层上并间隔地位于该第一端部与该第二端部之间，且电性耦合该第一端部与该第二端部；以及第二环体，其设于该介电层上并间隔地环绕于第一环体外，且间隔地包围该第一端部与该第二端部，并与该第一端部及该第二端部电性耦合。前述的量测结构中，该第一端部的形状对应该第一环体或第二环体的侧面轮廓。前述的量测结构中，该第二端部的形状对应该第一环体或第二环体的侧面轮廓。前述的量测结构中，该第一端部与第二端部构成一框体，使该第一环体位于该框体中。例如，该框体的形状对应该第一环体的侧面轮廓。前述的量测结构中，该第一环体与该第一端部之间及该第二端部之间分别形成间隙，且令该第一环体对应该间隙的侧面范围定义该第一环体所产生的电性耦合的耦合量。前述的量测结构中，该第二环体与该第一端部之间及该第二端部之间分别形成间隙，且令该第二环体对应该间隙的侧面范围定义该第二环体所产生的电性耦合的耦合量。前述的量测结构中，该量测结构用以量测该介电层的介电常数，且该介电常数对应讯号的传输频率。例如，该第一环体或该第二环体的边长对应该传输频率的波长。由上可知，本专利技术的量测结构，主要借由两环体(第一环体与第二环体)的设计，以于单一次量测介电常数的作业中，能量测出两个频率峰值，故相较于现有仿制结构，若使用本专利技术的量测结构量测多个频带的介电常数时，能减少制作该量测结构的数量，因而能减少材料成本，且能大幅缩短量测作业的时间。此外，该导线的端部形状对应该环体的侧面轮廓，以增加该环体用以产生电性耦合的侧面范围，故相较于现有技术，于进行量测作业时，能增加该电流的耦合量，以避免杂讯干扰，且即使该量测仪器的动态范围不足，能大幅减少所得的杂讯，因而能提高所撷取的频率峰值或频带的准确度。附图说明图1A为现有仿制结构的平面示意图；图1B为现有仿制结构的剖面示意图；图1C为现有线路结构的剖面示意图；图1D为现有半导体封装件的剖面示意图；图2A为本专利技术的量测结构的平面示意图；图2B为图2A的B-B剖面线的剖面示意图；图3为对应图2A的实际封装基板的剖面示意图；以及图4为图2A的量测结构于量测作业中所测得的频率点的图表。符号说明：1仿制结构1’半导体封装件1a线路结构10量测介电层10a产品介电层11震荡量测部11a,31线路层111圆形环线113,114传输线12半导体晶片13封装材2量测结构2a震荡量测组2b承载体20介电层21第一环体22第二环体22a,22b环部23第一导线230第一端部24第二导线240第二端部25接地层3实际封装基板30实际介电层A框体a,d1,d2,t1,t2,e间隙f1,f2频率点h厚度L周面范围L1,L2侧面范围R外径R1第一外径R2第二外径W线宽。具体实施方式以下借由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量测结构，其特征在于，该量测结构包括：介电层；第一导线，其设于该介电层上且具有第一端部；第二导线，其设于该介电层上且具有对应该第一端部的第二端部；第一环体，其设于该介电层上并间隔地位于该第一端部与该第二端部之间，且电性耦合该第一端部与该第二端部；以及第二环体，其设于该介电层上并间隔地环绕于第一环体外，且间隔地包围该第一端部与该第二端部，并与该第一端部及该第二端部电性耦合。

【技术特征摘要】
2017.12.20 TW 1061448121.一种量测结构，其特征在于，该量测结构包括：介电层；第一导线，其设于该介电层上且具有第一端部；第二导线，其设于该介电层上且具有对应该第一端部的第二端部；第一环体，其设于该介电层上并间隔地位于该第一端部与该第二端部之间，且电性耦合该第一端部与该第二端部；以及第二环体，其设于该介电层上并间隔地环绕于第一环体外，且间隔地包围该第一端部与该第二端部，并与该第一端部及该第二端部电性耦合。2.根据权利要求1所述的量测结构，其特征在于，该第一端部的形状对应该第一环体或第二环体的侧面轮廓。3.根据权利要求1所述的量测结构，其特征在于，该第二端部的形状对应该第一环体或第二环体的侧面轮廓。4.根据权利要求1所述的量测结构，其特征在于，该第一端部与第二端部构成一框体，使该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖佳助，方柏翔，林河全，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71