一种芯片转移基板和芯片转移方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种芯片转移基板和芯片转移方法。芯片转移基板包括：第一基底层，排布于第一基底层上的芯片底座，以及设置于相邻芯片底座之间的伸缩膜层；伸缩膜层，用于在执行第一操作时产生拉伸的形变，在执行第二操作时产生收缩的形变。本发明专利技术实施例解决了现有微元件制作过程中，对芯片进行巨量转移的效率、良品率和转移精度难以达到微元件制作要求的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片转移基板和芯片转移方法
本申请涉及但不限于显示技术和半导体工艺
，尤指一种芯片转移基板和芯片转移方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，微元件化的制作工艺成为显示面板的一种发展趋势，例如微型发光二极管(LightEmittingDiode，简称为：LED)(即Mirco-LED)技术。在微元件的制作过程中，首先要在施体基板上形成微元件，再将微元件转移到接收基板上。基于目前的工艺制造基础，制作薄膜晶体管(Thinfilmtransistor，简称为：TFT)阵列、Mirco-LED芯片和驱动集成电路(IntegratedCircuit，简称为：IC)芯片都已具有比较成熟的工艺方式；然而，Mirco-LED芯片的巨量转移是制作过程的一个难点。由于Micro-LED芯片非常细小，对其进行巨量转移要求非常高的效率、良品率和转移精度，因此，巨量转移技术成为Mirco-LED面板制作过程中最大的技术难点，阻碍了Mirco-LED技术的推广与使用。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种芯片转移基板和芯片转移方法，以解决现有微元件制作过程中，对芯片进行巨量转移的效率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片转移基板，其特征在于，包括：第一基底层，排布于所述第一基底层上的芯片底座，以及设置于相邻芯片底座之间的伸缩膜层；所述伸缩膜层，用于在执行第一操作时产生拉伸的形变，在执行第二操作时产生收缩的形变。

【技术特征摘要】
1.一种芯片转移基板，其特征在于，包括：第一基底层，排布于所述第一基底层上的芯片底座，以及设置于相邻芯片底座之间的伸缩膜层；所述伸缩膜层，用于在执行第一操作时产生拉伸的形变，在执行第二操作时产生收缩的形变。2.根据权利要求1所述的芯片转移基板，其特征在于，所述芯片底座上一一对应的设置有发光二极管芯片。3.根据权利要求1所述的芯片转移基板，其特征在于，所述伸缩膜层设置于第一方向上排列的相邻芯片底座之间，并且设置于第二方向上排列的相邻芯片底座之间；所述第二方向与所述第一方向垂直。4.根据权利要求1所述的芯片转移基板，其特征在于，所述伸缩膜层包括相对设置的第一电极层和第二电极层，以及设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间的弹性膜层，所述伸缩膜层产生拉伸的形变以及产生收缩的形变，包括：所述伸缩膜层，用于在所述第一电极层和所述第二电极层之间施加第一电压时产生拉伸的形变，在所述第一电极层和所述第二电极层之间施加第二电压时产生收缩的形变。5.根据权利要求1～4中任一项所述的芯片转移基板，其特征在于，所述伸缩膜层的拉伸形变量与收缩形变量相等。6.根据权利要求1～4中任一项所述的芯片转移基板，其特征在于，所述伸缩膜层的材料为硅树脂或丙烯酸树脂。7.根据权利要求1～4中任一项所述的芯片转移基板，其特征在于，所述第一基底层和所述伸缩膜层都采用柔性材料。8.根据权利要求1～4中任一项所述的芯片转移基板，其特征在于，所述芯片底座阵列排布于所述第一基板层上；或者，奇数行的芯片底座与偶数行的芯片底座在第一方向上交叉排列，且奇数列...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨啸剑，郑辉，张明辉，朴仁镐，崔晓鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11