EUV掩模坯料和光掩模制造技术

提供了一种极紫外(EUV)掩模坯料。EUV掩模坯料包括：基板，具有彼此相对的第一表面和第二表面；反射层，具有交替堆叠在所述基板的第一表面上的第一反射层和第二反射层；覆盖层，在所述反射层上；以及吸氢层，在所述反射层和所述覆盖层之间，所述吸氢层配置为存储氢并与所述覆盖层接触。

【技术实现步骤摘要】
EUV掩模坯料和光掩模相关申请的交叉引用本申请要求于2017年12月21日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0176846的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本公开涉及半导体器件制造，更具体地，涉及极紫外(EUV)掩模坯料和关联的光掩模、光刻装置和制造半导体器件的方法。
技术介绍
随着信息媒体的快速发展，半导体器件的功能得到了极大的发展。为了具有竞争力，需要低成本、高质量半导体器件的高度集成。为了高集成度，可以逐渐减小半导体器件的图案之间的间隔。使用ArF准分子激光器作为光源的光刻工艺在实现32nm或更小线宽方面具有局限性。为了实现32nm或更小的线宽，已经引入了浸没式光刻、双重图案化等，其中每种都具有其自身的局限性。为了解决上述和其他问题，已经引入了使用极紫外(EUV)光作为光源的光刻装置。然而，极紫外光可以被大气大幅衰减并且可以被许多材料吸收，并且可以与ArF光刻工艺中使用的透射光掩模不相容。因此，包括反射层的光掩模通常用于极紫外光刻工艺中。
技术实现思路
本公开的各方面提供了一种极紫外(EUV)掩模坯料，所述极紫外(EUV)掩模坯料包括能够存储和/或溶解氢的吸氢层。本公开的各方面还提供了一种可以用于EUV光刻工艺并且包括能够存储和/或溶解氢的吸氢层的光掩模。本公开的各方面还提供一种光刻装置，在所述光刻装置中可以使用包括吸氢层的光掩模。本公开的各方面还提供了一种使用包括吸氢层的光掩模来制造半导体器件的方法。根据本专利技术的实施例，一种极紫外(EUV)掩模坯料包括：基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；反射层，包括交替堆叠在所述基板的第一表面上的第一反射层和第二反射层；覆盖层，在所述反射层上；以及吸氢层，在所述反射层和所述覆盖层之间，所述吸氢层配置为存储氢并与所述覆盖层接触。根据本专利技术的实施例，一种极紫外(EUV)掩模坯料包括：低热膨胀材料(LTEM)基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；反射层，在所述LTEM基板的第一表面上包括钼(Mo)/硅(Si)周期性多层；第一吸收层，在所述反射层上，所述第一吸收层由过渡金属形成，并包括以下项中的至少一项：钛(Ti)、钒(V)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、锆(Zr)、钼(Mo)、钯(Pd)、铪(Hf)、钽(Ta)、铑(Rh)或金(Au)；覆盖层，在所述第一吸收层上，所述覆盖层由钌(Ru)和钌化合物之一形成；以及第二吸收层，在所述覆盖层上与所述第一吸收层相对。根据本公开的实施例，一种光掩模包括：基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；反射层，在所述基板的第一表面上，所述反射层是钼(Mo)/硅(Si)周期性多层；覆盖层，在所述反射层上；吸氢层，在所述反射层和所述覆盖层之间，所述吸氢层配置为存储氢并与所述覆盖层接触；吸光图案，在所述覆盖层上，所述吸光图案包括用于使极紫外光通过的开口；以及导电覆膜，在所述基板的第二表面上。根据本公开的实施例，一种制造半导体器件的方法，包括：在基板上形成掩模膜；以及通过使用光掩模的光刻工艺来蚀刻所述掩模膜，以在基板上形成掩模图案，其中所述光掩模包括：掩模基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；反射层，在所述掩模基板的第一表面上，所述反射层是钼(Mo)/硅(Si)周期性多层；覆盖层，在所述反射层上；吸氢层，在所述反射层和所述覆盖层之间，所述吸氢层配置为存储氢并与所述覆盖层接触；吸光图案，在所述覆盖层上，所述吸光图案包括用于使极紫外光通过的开口；以及导电覆膜，在所述掩模基板的第二表面上。根据本公开的实施例，一种光刻装置包括：光源，被配置为提供曝光光；第一子腔室，其中至少一个配置为反射所述曝光光的照明系统反射镜被设置在所述第一子腔室中；台模块，所述台模块包括被配置为反射已经穿过所述第一子腔室的曝光光的光掩模；第二子腔室，其中至少一个配置为将被反射的曝光光投影到晶片上的投影光学系统反射镜被设置在所述第二子腔室中；以及晶片台，所述晶片台被配置为支撑所述晶片，其中所述光掩模包括：掩模基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；反射层，在所述掩模基板的第一表面上，所述反射层是钼(Mo)/硅(Si)周期性多层；覆盖层，在所述反射层上；吸氢层，在所述反射层和所述覆盖层之间，所述吸氢层配置为存储氢并与所述覆盖层接触；吸光图案，在所述覆盖层上，所述吸光图案包括用于使极紫外光通过的开口；以及导电覆膜，在所述掩模基板的第二表面上。然而，本公开的各方面不限于本文所阐述的那些。通过参考下面给出的详细描述，本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加显而易见。附图说明通过参考附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上和其他方面和特征将变得被更清楚，在附图中：图1是示出了根据本公开的一些实施例的极紫外(EUV)掩模坯料的图；图2是示出了根据本公开的一些实施例的EUV掩模坯料的图；图3是示出了根据本公开的一些实施例的EUV掩模坯料的图；图4是示出了根据本公开的一些实施例的光掩模的图；图5是示出了根据本公开的一些实施例的光掩模的图；图6示意性地示出了根据本公开的一些实施例的光刻装置；图7A和图7B是用于说明可比较的光掩模的问题和根据本公开的一些实施例的光掩模的吸氢层的效果的图；以及图8至图11是示出了根据本公开的一些实施例的制造半导体器件的方法的中间步骤的图。具体实施方式可以夸大或减少本说明书中示出的一些元件以便于理解。也就是说，一些附图可能是未按比例绘制的附图。图1是示出了根据本公开的一些实施例的极紫外(EUV)掩模坯料的图。例如，极紫外掩模坯料100可以是用于制造光掩模的基板，所述光掩模可以安装在使用极紫外光作为光源的光刻装置中。参考图1，根据本公开的一些实施例的EUV掩模坯料100包括掩模基板110、反射层120、吸氢层130、覆盖层140、吸光层150和导电覆膜160。掩模基板110可以由电介质、玻璃、半导体或金属材料制成。在一些实施例中，掩模基板110可以由具有低热膨胀系数的材料制成。例如，掩模基板110在20℃下的热膨胀系数可以为0±1.0×10-7/℃。此外，掩模基板110可以由具有期望光滑度、期望平坦度和/或对清洁溶液具有期望抵抗力的材料制成。术语“和/或”包括关联列出的一个或多个项目的任意和所有组合。例如，掩模基板110可以由合成石英玻璃、石英玻璃、铝硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、诸如SiO2-TiO2基玻璃(二元(SiO2-TiO2)或三元玻璃(SiO2-TiO2-SnO2))等低热膨胀材料(LTEM)玻璃、通过使β-石英固溶体沉淀而获得的结晶玻璃、单晶硅或SiC。在EUV掩模坯料中包括的掩模基板110需要具有较低的热膨胀特性。因此，在一些实施例中，掩模基板110可以由例如多组分玻璃材料制成。掩模基板110可以包括彼此相对的第一表面110a和第二表面110b。例如，掩模基板110的第一表面110a的平坦度可以为约50nm或更小。掩模基板110的第二表面110b的平坦度可以为约500nm或更小。掩模基板110的第一表面110a和第二表面110b中的每一个的均方根(RMS)表面粗糙度可以为约0.15nm或更小，但是本公开不限于此。如本文所用，术语第一、第二、第三等仅用于将一个方向、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种极紫外EUV掩模坯料，包括：基板，包括第一表面；反射层，包括交替堆叠在所述基板的第一表面上的第一反射层和第二反射层；覆盖层，在所述反射层上；以及吸氢层，在所述反射层和所述覆盖层之间，所述吸氢层配置为存储氢并与所述覆盖层接触。

【技术特征摘要】
2017.12.21 KR 10-2017-01768461.一种极紫外EUV掩模坯料，包括：基板，包括第一表面；反射层，包括交替堆叠在所述基板的第一表面上的第一反射层和第二反射层；覆盖层，在所述反射层上；以及吸氢层，在所述反射层和所述覆盖层之间，所述吸氢层配置为存储氢并与所述覆盖层接触。2.根据权利要求1所述的EUV掩模坯料，其中所述吸氢层包括以下项中的至少一项：钛(Ti)、钒(V)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、锆(Zr)、钼(Mo)、钯(Pd)、铪(Hf)、钽(Ta)、铑(Rh)、金(Au)、钾(K)、铯(Cs)或碳化硼(B4C)。3.根据权利要求2所述的EUV掩模坯料，其中所述吸氢层包括氢溶解反应的热函变化为约0.5(eV/吸收氢)或更低的金属。4.根据权利要求1所述的EUV掩模坯料，其中所述吸氢层包括Ti-Fe基合金、Ti-Mn基合金、Ti-Cr基合金或Ti-Fe-V基合金中的一种。5.根据权利要求1所述的EUV掩模坯料，其中所述吸氢层与所述反射层接触。6.根据权利要求1所述的EUV掩模坯料，还包括：在所述吸氢层和所述反射层之间的界面硅化物层。7.根据权利要求6所述的EUV掩模坯料，其中所述吸氢层包括金属M，并且所述界面硅化物层包括所述金属的硅化物。8.根据权利要求1所述的EUV掩模坯料，其中所述第一反射层是硅(Si)，并且所述第二反射层是钼(Mo)。9.根据权利要求1所述的EUV掩模坯料，其中所述覆盖层是钌(Ru)膜或钌化合物膜。10.根据权利要求1所述的EUV掩模坯料，还包括：在所述覆盖层上的吸光层，其中所述吸光层包括配置为吸收极紫外光的材料。11.根据权利要求1所述的EUV掩模坯料，还包括：导电覆膜，在所述基板的与所述第一表面相对的第二表面上。12.一种极紫外EUV掩模坯料，包括：低热膨胀材料LTEM基板，包括第一表面；反射层，在所述LTEM基板的第一表面上，包括钼(Mo)...

【专利技术属性】
技术研发人员：金昊炼，洪成哲，金成洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR