本发明专利技术涉及极紫外光微影(EUVL)反射型掩膜，其提供一种有埋藏吸收剂图案的反射型掩膜。该反射型掩膜可包括一低热膨胀材料(LTEM)衬底。可包括一对反射型堆叠，各反射型堆叠各自具有从该LTEM衬底延伸到一第一限度的一第一顶面。一填充堆叠在该对反射型堆叠之间，该填充堆叠具有从该LTEM衬底延伸到一第二限度的一第二顶面，该第二限度低于该对反射型堆叠的该第一限度。该对反射型堆叠中的每一者的一延伸部高于该填充堆叠藉此在该对反射型堆叠之间形成一凹井，该凹井具有被该填充堆叠的该第二顶面分离的实质垂直壁。衬里该凹井的一吸收剂层。
【技术实现步骤摘要】
极紫外光微影(EUVL)反射型掩膜
本揭示内容大体涉及一种微影掩膜，且更特别的是，涉及一种极紫外光微影反射型掩膜(extremeultravioletlithographyreflectivemask)及其制法。
技术介绍
典型EUV光掩膜建立有图案化于反射型堆叠上面的吸收剂层的掩膜图案。以对于法线有一角度地照射EUV光掩膜以便将掩膜图案反映到晶圆上。EUV掩膜的非正交照射造成与入射光束垂直的线路的阴影效应(shadowing)。此外，出现远心误差(telecentricityerror)的结果为通过聚焦而发生的图案偏移。再者，有由于反射型堆叠的反射型掩膜涂层的阳极化引起的影像对比损失。
技术实现思路
本揭示内容的第一方面提供一种反射型掩膜，其具有一反射型图案，以及埋藏在该反射型图案内的一吸收剂图案(absorberpattern)，其中该吸收剂图案的顶面是在或低于该反射型图案的顶面。本揭示内容的第二方面提供一种反射型掩膜，其包括：一低热膨胀材料(lowtermalexpansionmaterial；LTEM)衬底；一对反射型堆叠，各反射型堆叠各自有从该LTEM衬底延伸到一第一限度的一第一顶面；在该对反射型堆叠之间的一填充堆叠(fillstack)，该填充堆叠有从该LTEM衬底延伸到一第二限度的一第二顶面，该第二限度低于该对反射型堆叠的该第一限度，其中该对反射型堆叠中的每一者的一延伸部高于该填充堆叠藉此在该对反射型堆叠之间形成一凹井(recesswell)，该凹井具有被该填充堆叠的该第二顶面分离的实质垂直壁；以及衬里(line)该凹井的一吸收剂层。本揭示内容的第三方面提供一种方法，其包括：沉积一填充材料于经极紫外光(EUV)蚀刻掩膜上，该经EUV蚀刻掩膜包括一低热膨胀材料(LTEM)衬底、一对反射型堆叠以及在该对反射型堆叠之间暴露该LTEM衬底的一沟槽，该填充材料填充该沟槽；通过蚀刻该填充材料来形成一凹井；沉积一吸收剂层于该对反射型堆叠上面及于该凹井中，其中在该凹井内留有一间隙；沉积一牺牲性填充材料于该吸收剂层上面且填充该间隙；平坦化该牺牲性填充材料到该对反射型堆叠的顶面；以及移除在该间隙中的该牺牲性填充材料。本揭示内容的解释性方面经设计成可解决描述于本文的问题及/或未被论及的其他问题。附图说明由以下本揭示内容各方面结合描绘本专利技术各种具体实施例的所附图式的详细说明可更加明白本揭示内容以上及其他的特征，其中：图1的横截面图图示可使用于极紫外光微影(EUVL)制程的先前技术微影掩膜的一部分。图2的横截面图根据本揭示内容的具体实施例图示处于制造阶段的初始掩膜结构。图3的横截面图根据本揭示内容的具体实施例图示处于中间制造阶段的掩膜结构。图4的横截面图根据本揭示内容的具体实施例图示处于中间制造阶段的掩膜结构。图5的横截面图根据本揭示内容的具体实施例图示处于中间制造阶段的掩膜结构。图6的横截面图根据本揭示内容的具体实施例图示处于中间制造阶段的掩膜结构。图7的横截面图根据本揭示内容的具体实施例图示处于中间制造阶段的掩膜结构。图8的横截面图根据本揭示内容的数个方面图示反射型掩膜的示范具体实施例。应注意，本揭示内容的图式并非按比例绘制。图式旨在仅描绘本揭示内容的典型方面，因此不应被视为用来限制本揭示内容的范畴。图式中，类似的元件用类似的元件符号表示。符号说明：100微影掩膜结构105衬底110反射层115覆盖层120厚吸收剂膜125深紫外光(DUV)抗反射涂层(ARC)130反射表面、表面135有效反射平面140EUV光145反射EUV光150角度155法线160受阻EUV光波165路径170光束175反射光束200初始结构202反射型堆叠202a、202b、202c、202d反射镜区204衬底、LTEM衬底206沟槽208覆盖层210填充材料、填充堆叠、填充材料堆叠210a、210b、210c残留物212顶面、第二顶面214顶面、第一顶面220侧面、垂直侧面222凹井224吸收剂层224a、224b、224c吸收剂区226间隙228抗反射涂层、抗反射层230牺牲性填充材料230a、230b、230c牺牲性填充材料残留物250反射型掩膜252吸收剂堆叠260吸收剂图案262反射型图案E1第一限度E2第二限度。具体实施方式用于本文的术语只为了要描述特定具体实施例而非旨在限制本揭示内容。如本文所使用的，单数形式“一(a)”、“一(an)”、及“该(the)”旨在也包括复数形式，除非上下文中另有明确指示。更应了解，用语“包括(comprises)”及/或“包含(comprising)”在使用于说明书中时系具体描述提及的特征、整数、步骤、操作、元件及/或组件的存在，但不排除存在或加入一或更多其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件及/或彼等的群组。所有手段或步骤的对应结构、材料、动作以及均等物加上下列申请专利范围之中的功能元件旨在包括用于与其他主张元件结合一起按具体主张方式完成功能的任何结构、材料或动作。提出本揭示内容的描述是为了图解说明而非旨在穷尽或以所揭示的形式限制本揭示内容。本领域技术人员明白有许多修改及变体而不脱离本揭示内容的范畴及精神。该具体实施例经选择及描述成可最佳地解释本揭示内容的原理及其实际应用，且使得本领域其他技术人员能够了解本揭示内容有不同修改的不同具体实施例适合使用于想到的特定用途。图1的横截面图图示先前技术反射型掩膜的一部分。如图示，微影掩膜结构100包括衬底105，例如石英衬底或低热膨胀材料(LTEM)衬底，以及有一或更多反射层110在衬底上面，例如多对交错的钼层及硅层。经常可包括覆盖层(cappinglayer)115以保护一或更多反射层110以免在蚀刻或掩膜清洗制程期间受损。厚吸收剂膜120设置在覆盖层115上面，且厚吸收剂膜120的数个部分已被蚀刻或以其他方式移除以形成让掩膜结构的一或更多反射表面130暴露的掩膜图案。如使用于极紫外微影(EUVL)制程，厚吸收剂膜120部分在待保护晶圆上为电路结构的线路或其他所欲区域或结构，同时厚吸收剂膜120部分之间的空间为电路结构特征之间的空间，从而为在晶圆或晶圆上面的层上将会被蚀刻的空间。厚吸收剂膜120也包括深紫外光(DUV)抗反射涂层(ARC)125，这有助于用深紫外光图案检验工具检验EUVL掩膜图案。在使用如图1所示的掩膜结构的EUVL制程中，可提供入射于微影掩膜结构100上以对法线155有角度150的EUV光140，例如约13.5纳米(nm)的光。入射EUV光可在表面130反射，但是替换地可穿过表面130而在一或更多反射层110内的较深层反射。在多个不同层被反射的个别光波之间的建设性干涉产生在表面130下面的“有效反射平面”135。然后，反射EUV光145传送到晶圆。此传送可经由一序列的反射镜(未图示)实现。不过，应入射于反射表面130上的一些EUV光可能反而被厚吸收剂膜120的一部分阻挡，如受阻EUV光波160所示，否则它应继续沿着路径165而被反射。同样，有些EUV光可反射但是随后被厚吸收剂膜120的一部分阻挡，如光束170所示，它的反射光束175被阻挡致使它无法传送到正在进行加工的晶圆。EUV光有此非所欲阻挡可能造成晶圆图案化的数种缺本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种反射型掩膜，其包含：一反射型图案；以及一吸收剂图案，埋藏在该反射型图案内，该吸收剂图案的顶面是在或低于该反射型图案的顶面。
【技术特征摘要】
2017.04.12 US 15/485,4981.一种反射型掩膜，其包含：一反射型图案；以及一吸收剂图案，埋藏在该反射型图案内，该吸收剂图案的顶面是在或低于该反射型图案的顶面。2.如权利要求1所述的反射型掩膜，其特征在于，该反射型图案包括从一低热膨胀材料(LTEM)衬底延伸的多个反射型堆叠。3.如权利要求2所述的反射型掩膜，其特征在于，该多个反射型堆叠中的每一者具有一钌(Ru)帽盖。4.如权利要求2所述的反射型掩膜，其特征在于，该多个反射型堆叠中的每一者包括至少一钼层与一硅层。5.如权利要求2所述的反射型掩膜，其特征在于，该吸收剂图案包括在该多个反射型堆叠中的一对之间从该低热膨胀材料衬底延伸的一吸收剂堆叠，其中，该吸收剂图案覆迭一填充材料于该多个反射型堆叠之间。6.如权利要求5所述的反射型掩膜，其特征在于，该吸收剂堆叠包括在该填充材料上面的一吸收剂层及一抗反射涂层。7.如权利要求1所述的反射型掩膜，其特征在于，该吸收剂图案包括覆迭一填充材料的一抗反射涂层。8.如权利要求1所述的反射型掩膜，其特征在于，该吸收剂图案包括从一低热膨胀材料(LTEM)衬底延伸的多个吸收剂堆叠，各吸收剂堆叠在一对反射型堆叠之间水平地延伸。9.如权利要求8所述的反射型掩膜，其特征在于，该多个吸收剂堆叠各自包括一填充材料、一吸收剂层及一抗反射涂层。10.如权利要求1所述的反射型掩膜，更包含多个凹井，各凹井具有被一实质水平表面分离的实质垂直表面，以及其中，埋藏在该反射型图案内的该吸收剂图案包括衬里该多个凹井的该实质垂直表面及该实质水平表面的一吸收剂层。11.如权利要求10所述的反射型掩膜，其特征在于，该多个凹井各具有在约100至150纳米之间的一深度。12.如权利要求1所述的反射型掩膜，其特征在于，该吸收剂图案对于入射光波具有实质零反射率。13.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：许杰安·希恩，尚尼尔·K·辛，索汉·S·米塔，
申请(专利权)人：格芯公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY
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