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极紫外光微影(EUVL)反射型掩膜制造技术
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文档序号:19239841
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本发明涉及极紫外光微影(EUVL)反射型掩膜,其提供一种有埋藏吸收剂图案的反射型掩膜。该反射型掩膜可包括一低热膨胀材料(LTEM)衬底。可包括一对反射型堆叠,各反射型堆叠各自具有从该LTEM衬底延伸到一第一限度的一第一顶面。一填充堆叠在该对...
该专利属于格芯公司所有,仅供学习研究参考,未经过格芯公司授权不得商用。
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