一种对MTJ电阻进行筛选的电路制造技术

本发明专利技术公开了一种对MTJ电阻进行筛选的电路，所述筛选电路包括信号控制电路、并行电路、电流镜和参考电阻单元；所述并行电路至少为二路电路，所述并行电路为所述电流镜的辅路，所述并行电路与所述信号控制电路连接，根据所述信号控制电路的控制信号进行电路的开与闭，通过与所述参考电阻单元进行比较，从而控制所述电流镜的比例，对MTJ电阻进行筛选。本发明专利技术能够筛选掉与参考电阻太接近的MTJ电阻，提高MRAM的读正确率。同时，能够很好地兼容原电路，无需额外的电路设计。

【技术实现步骤摘要】
一种对MTJ电阻进行筛选的电路
本专利技术属于半导体芯片存储器领域中的存储器电路设计，尤其涉及一种对MTJ电阻进行筛选的电路。
技术介绍
磁性随机存储器(MRAM)是一种新兴的非挥发性存储技术。它拥有高速的读写速度和高集成度，且可以被无限次的重复写入。MRAM可以像SRAM/DRAM一样快速随机读写，还可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据MRAM具有很好的经济性和性能，它的单位容量占用的硅片面积比SRAM有很大的优势，比在此类芯片中经常使用的NORFlash也有优势，比嵌入式NORFlash的优势更大。MRAM读写时延接近最好的SRAM，功耗则在各种内存和存储技术最好；而且MRAM与标准CMOS半导体工艺兼容，DRAM以及Flash与标准CMOS半导体工艺不兼容；MRAM还可以和逻辑电路集成到一个芯片中。MRAM基于MTJ(磁性隧道结)结构。由两层铁磁性材料夹着一层非常薄的非铁磁绝缘材料组成的，如图1所示：下面的一层铁磁材料是具有固定磁化方向的参考层，上面的铁磁材料是可变磁化方向的记忆层，它的磁化方向可以和固定磁化层相平行或反平行。由于量子物理的效应，电流可以穿过中间的隧道势本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对MTJ电阻进行筛选的电路，其特征在于，所述筛选电路包括信号控制电路、并行电路、电流镜和参考电阻单元；所述并行电路至少为二路电路，所述并行电路为所述电流镜的辅路，所述并行电路与所述信号控制电路连接，根据所述信号控制电路的控制信号进行电路的开与闭，从而控制所述电流镜的比例，通过与所述参考电阻单元进行比较，对MTJ电阻进行筛选。

【技术特征摘要】
1.一种对MTJ电阻进行筛选的电路，其特征在于，所述筛选电路包括信号控制电路、并行电路、电流镜和参考电阻单元；所述并行电路至少为二路电路，所述并行电路为所述电流镜的辅路，所述并行电路与所述信号控制电路连接，根据所述信号控制电路的控制信号进行电路的开与闭，从而控制所述电流镜的比例，通过与所述参考电阻单元进行比较，对MTJ电阻进行筛选。2.如权利要求1所述的对MTJ电阻进行筛选的电路，其特征在于，所述并行电路为三路并行电路，其中一路为主路，另外两路为辅路，打开主路与一辅路为正常工作模式，打开主路与二辅路为筛选低阻态，仅打开主路为筛选高阻态。3.如权利要求2所述的对MTJ电阻进行筛选的电路，其特征在于，所述信号控制电路由NMOST2和T3组成：若T2/T3只有一路打开时，所述并行电路处于正常工作模式；若T2/T3全部打开或全...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏文斌，戴瑾，刘慧博，
申请(专利权)人：上海磁宇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31