【技术实现步骤摘要】
一种选择最佳NANDFlash读操作电平的方法
本专利技术涉及一种选择最佳NANDFlash读操作电平的方法，属于存储器
技术介绍
NANDFlash存储器是Flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NANDFlash存储器具有容量较大，体积小、读写速度快、掉电数据不丢失等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。由于硬件电气特性的影响，当读取存储在NANDFlash存储器中的数据时，部分数据位会发生反转。当前使用NANDFlash存储器的产品中，都会通过硬件纠错模块恢复发生反转的数据，当发生反转的数据量较大并超出硬件纠错模块的纠错能力时，使用者必须调整NANDFlash存储器的读操作电平并进行额外的读操作，将反转的数据量降低至纠错模块的能力范围内，从而获得正确的数据。但是，频繁引入额外的读操作会大幅降低产品的读操作性能。传统的NANDFlash访问方法中，每次对NANDFlash的读操作都首先使用默认的读电平。默认的读电平获取数据错误过多并且超出硬件纠错模块的纠错能力时，用户...
【技术保护点】
1.一种选择最佳NAND Flash读操作电平的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、对多个或者单个NAND Flash进行批量测试，得到PE、Retention Time、Read Disturb处于不同阶段时对应的最佳读电平的值，并进行记录，PE指NAND Flash块的磨损次数，Retention Time指从数据写入NAND Flash开始，到第一次读取数据的时间长度，Read Disturb是指NAND Flash块的读操作次数；S02）、将批量测试得到的数据输入机器学习的线性回归模型，得出最佳读电平与PE、Retention Time、Read Distur...
【技术特征摘要】
1.一种选择最佳NANDFlash读操作电平的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、对多个或者单个NANDFlash进行批量测试，得到PE、RetentionTime、ReadDisturb处于不同阶段时对应的最佳读电平的值，并进行记录，PE指NANDFlash块的磨损次数，RetentionTime指从数据写入NANDFlash开始，到第一次读取数据的时间长度，ReadDisturb是指NANDFlash块的读操作次数；S02）、将批量测试得到的数据输入机器学习的线性回归模型，得出最佳读电平与PE、RetentionTime、ReadDisturb之间的线性函数；S03）、用户在对NANDFlash进行读操作之前，将当前PE、RetentionTime、ReadDisturb参数传入步骤S02得到的线性函数，从而得到当前最佳的读电平。2.根据权利要求1所述的选择最佳NANDFlash读操作电平的方法，其特征在于：对多个或者单个NANDFlash进行批量测试的方法为：取同一批次的多块NANDFlash或者单块NANDFlash的多个block块作为样本，使多块NANDFlash或者单块NANDFlash样本下的多个block块处于不同的PE、RetentionTime、ReadDisturb的状态下...
【专利技术属性】
技术研发人员：王彬，李铁，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37
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