The present invention relates to margin testing of multiple programmable memory (MTPM) with split word lines. The present disclosure relates to a structure comprising a dual-cell memory comprising a first device and a second device, and is configured to store data corresponding to a threshold voltage difference between a first device controlled by a first word line and a second device controlled by a second word line.
【技术实现步骤摘要】
用于具有分割字线的多次可编程存储器(MTPM)的裕度测试
本公开涉及裕度测试，更特别地，涉及用于具有分割(split)字线的多次可编程存储器(MTPM)阵列的裕度测试的电路和方法。
技术介绍
在高密度存储器系统中，典型的非易失性存储器单元可以包括具有参数(例如，晶体管器件阈值电压(Vt))的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，该参数可以例如通过将电荷注入到浮置栅极或栅极氧化物中而改变以用于存储期望的信息。因此，存储器单元在确定偏置状态时灌入(sink)的电流依赖于存储在其中的信息而变化。例如，为了将信息存储在典型的双晶体管存储器单元中，为该单元提供两个不同的阈值电压(Vt)值，每个不同的阈值电压(Vt)值与不同的逻辑或比特值相关联。现有的双单元多次可编程存储器(MTPM)利用两个晶体管来存储1位信息，并且为每个单元使用局部化的参考晶体管。在MTPM开放位线架构中使用双单元可提供最高的密度，但会受到感测裕度问题的困扰。在电荷俘获存储器中，通过改变场效应晶体管(FET)的阈值电压(Vt)来实现编程。在常规的双单元电荷俘获存储器中，一对场效应晶体管(FET)连...
【技术保护点】
1.一种包括双单元存储器的结构，所述双单元存储器包括第一器件和第二器件，并且被配置为存储对应于由第一字线控制的所述第一器件和由第二字线控制的所述第二器件之间的阈值电压差的数据。
【技术特征摘要】
2017.10.11 US 15/7300781.一种包括双单元存储器的结构，所述双单元存储器包括第一器件和第二器件，并且被配置为存储对应于由第一字线控制的所述第一器件和由第二字线控制的所述第二器件之间的阈值电压差的数据。2.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一器件和所述第二器件是所述双单元存储器的场效应晶体管(FET)，并且所述结构是多次可编程存储器(MTPM)阵列。3.根据权利要求2所述的结构，其中所述第一器件和所述第二器件是NFET。4.根据权利要求2所述的结构，其中所述第一器件和所述第二器件是PFET。5.根据权利要求1所述的结构，其中在信号裕度测试操作期间，所述第一字线被以与所述第二字线不同的电压电势启用。6.根据权利要求5所述的结构，其中在所述信号裕度测试操作的真数据类型测试期间，所述第一字线具有比所述第二字线高的电压电势。7.根据权利要求5所述的结构，其中在所述信号裕度测试操作的补数据类型测试期间，所述第一字线具有比所述第二字线低的电压电势。8.根据权利要求1所述的结构，其中在非信号裕度测试读取操作期间，所述第一字线被以与所述第二字线相同的电压电势启用。9.根据权利要求8所述的结构，其中在所述非信号裕度测试读取操作期间，所述相同的电压电势是所述双单元存储器的阈值电压加上大约50-200mV。10.一种包括多次可编程存储器(MTPM)阵列的结构，所述多次可编程存储器阵列包括以多行和多列排列的多个双单元存储单元，使得所述多个双单元存储单元中的每一个包括第一NFET器件和第二NFET器件并且被配置为存储对应于由第一字线控制的所述第一器件和由第二字线控制的所述第二器件之间的阈值电压差的数据。11.根据权利要求10...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·A·法菲尔德，E·D·亨特施罗德，D·L·阿南德，
申请(专利权)人：格芯公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY
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