一种测试方法及装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种测试方法及装置，涉及测试技术领域，其中，上述方法包括：确定对以Flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点，其中，所述测试点包括：用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、所述第一类参数的取值和所述第二类参数的取值；按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行第一类参数所指示的操作，进而构建所述测试点对应的测试环境；按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行第二类参数所指示的操作；读取所述存储设备的各个存储单元的阈值电压，得到所述存储设备针对所述测试点的测试结果。应用本申请实施例提供的方案，能够实现对以Flash颗粒为存储介质的存储设备的测试。

【技术实现步骤摘要】
一种测试方法及装置
本申请涉及测试
，特别是涉及一种测试方法及装置。
技术介绍
随着硬件技术的快速发展，以Flash颗粒作为存储介质的存储设备得到了越来越广泛的应用。下面以SSD(SolidStateDisk，固态硬盘)为例进行说明。SSD是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储介质组成。SSD的接口规范和定义、功能及使用方法与普通硬盘完全相同，在产品外形和尺寸上也与普通硬盘一致。目前，SSD已被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空等领域。可以看出，SSD的应用范围已非常广泛，因此为保障使用SSD过程中，从SSD中所读取的数据准确，在生产过程中对SSD进行严格的测试。鉴于上述情况，需要提供一种对以Flash颗粒作为存储介质的存储设备进行测试的方法。
技术实现思路
本申请实施例的目的在于提供一种测试方法及装置，以实现对以Flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试。具体技术方案如下：第一方面，本申请实施例提供了一种测试方法，所述方法包括：确定对以Flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点，其中，所述测试点包括：用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、所述第一类参数的取值和所述第二类参数的取值；按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行所述第一类参数所指示的操作，进而构建所述测试点对应的测试环境；按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行所述第二类参数所指示的操作；读取所述存储设备的Flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，得到所述存储设备针对所述测试点的测试结果。第二方面，本申请实施例提供了一种测试装置，所述装置包括：测试点确定模块，用于确定对以Flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点，其中，所述测试点包括：用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、所述第一类参数的取值和所述第二类参数的取值；第一存储设备操作模块，用于按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行所述第一类参数所指示的操作，进而构建所述测试点对应的测试环境；第二存储设备操作模块，用于按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行所述第二类参数所指示的操作；电压读取模块，用于读取所述存储设备的Flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，得到所述存储设备针对所述测试点的测试结果。第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括处理器和机器可读存储介质，所述机器可读存储介质存储有能够被所述处理器执行的机器可执行指令，所述处理器被所述机器可执行指令促使：实现本申请实施例所述的方法步骤。第四方面，本申请实施例提供了一种机器可读存储介质，存储有机器可执行指令，在被处理器调用和执行时，所述机器可执行指令促使所述处理器：实现本申请实施例所述的方法步骤。由以上可见，本申请实施例提供的方案中，确定对以Flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点后，按照用于构建测试环境的第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作，构建测试点对应的测试环境，按照用于描述测试目的的第二类参数的取值对存储设备进行第二类参数所指示的操作，然后读取存储设备的Flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，从而得到存储设备针对测试点的测试结果。可见，应用本申请实施例提供的方案能够实现对以Flash颗粒为存储介质的存储设备的测试。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的第一种测试方法的流程示意图；图2为本申请实施例提供的第二种测试方法的流程示意图；图3为本申请实施例提供的第三种测试方法的流程示意图；图4为本申请实施例提供的第一种测试装置的结构示意图；图5为本申请实施例提供的第二种测试装置的结构示意图；图6为本申请实施例提供的第三种测试装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。由于以Flash颗粒为存储介质的存储设备应用范围越来越广，需要对上述存储设备进行严格的测试，为此本申请实施例提供了一种测试方法及装置。下面先对本申请各个实施例的执行主体进行介绍。本申请各个实施例的执行主体可以是任意一台电子设备，例如，服务器、台式计算机、笔记本计算机等等。上述电子设备执行本申请实施例提供的方案对存储设备进行测试时，上述电子设备可以通过数据线直接连接，也可以通过交换机等中转设备间接连接，本申请并不对此进行限定。下面先对本申请实施例提供的测试方法进行说明。图1为本申请实施例提供的第一种测试方法的流程示意图，该方法包括：S101：确定对以Flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点。其中，上述存储设备可以为以Flash颗粒为存储介质的硬盘，例如，SSD等，还可以是以Flash颗粒为存储介质的存储卡等，本申请并不对此进行限定。上述Flash颗粒是一种内存器件，具体可以是TLC颗粒、SLC颗粒、MLC颗粒等。一个存储设备可以包含至少一个Flash颗粒，而一个Flash颗粒又包括至少一个存储单元。另外，上述测试点包括：用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、第一类参数的取值和第二类参数的取值。例如，上述第一参数可以是PE(ProgramErase，擦除)次数、上述存储设备所处环境的温度等，上述第二参数可以是RD(ReadDisturb，读干扰)次数、DR(DataRetention，数据保持)时长等等。如，上述PE次数的取值可以为：500次、1000次、2000次等，存储设备所处环境温度的温度值可以为：25度、40度等，RD次数的取值可以为：2000次、5000次等，DR时长的取值可以为：1天、1星期、1个月等等。基于上述举例，一个测试点包括的信息可以为：第一参数包括：PE次数、存储设备所处环境的温度，其中，PE次数的取值为500，存储设备所处环境温度的温度值为25度；第二参数包括：RD次数，RD次数的取值为500次。对存储设备进行测试时，可以通过多个不同测试点进行测试。不同测试点可以是第一类参数和第二类参数相同、但第一类参数的取值和/或第二类参数的取值不同的测试点，还可以是第一类参数和/或第二类参数不同的测试点。S102：按照第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作，进而构建测试点对应的测试环境。由于第一类参数是用于构建测试环境的参数，所以按照第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作后，即成功构建了测试点所要求的测试环境。另外，按照第一类参数的取值对存储设备进行第一类参数所指示的操作时，因参数的具体内容不同，对存储设备所进行的操作而不同。例如，第一类参数为PE次数时，PE次数所指示的操作为PE操作，这样按照PE次数的取值对存储设备进行PE次数所指示的操作时，可以理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试方法，其特征在于，所述方法包括：确定对以Flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点，其中，所述测试点包括：用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、所述第一类参数的取值和所述第二类参数的取值；按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行所述第一类参数所指示的操作，进而构建所述测试点对应的测试环境；按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行所述第二类参数所指示的操作；读取所述存储设备的Flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，得到所述存储设备针对所述测试点的测试结果。

【技术特征摘要】
1.一种测试方法，其特征在于，所述方法包括：确定对以Flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点，其中，所述测试点包括：用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、所述第一类参数的取值和所述第二类参数的取值；按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行所述第一类参数所指示的操作，进而构建所述测试点对应的测试环境；按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行所述第二类参数所指示的操作；读取所述存储设备的Flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，得到所述存储设备针对所述测试点的测试结果。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一类参数包括擦除PE次数和第一环境温度的情况下，所述按照所述第一类参数的取值对所述存储设备进行所述第一类参数所指示的操作，包括：控制所述存储设备所处环境的温度，使得所述存储设备所处环境的温度值达到所述测试点中包括的所述第一环境温度的取值；控制所述存储设备进行PE操作，使得所述存储设备进行的PE操作的次数达到所述测试点中包括的PE次数的取值。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一类参数还包括第二环境温度、所述第二类参数包括读干扰RD次数的情况下，所述按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行第二类参数所指示的操作，包括：控制所述存储设备所处环境的温度，使得所述存储设备所处环境的温度值达到所述测试点中包括的所述第二环境温度的取值；控制所述存储设备进行RD操作，使得所述存储设备进行的RD操作的次数达到所述测试点中包括的RD次数的取值。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一类参数还包括第三环境温度和第四环境温度、所述第二类参数包括数据保持DR时长的情况下，所述按照所述第二类参数的取值对所述存储设备进行所述第二类参数所指示的操作，包括：控制所述存储设备所处环境的温度，使得所述存储设备所处环境的温度值达到所述测试点中包括的所述第三环境温度的取值；关闭所述存储设备的电源对所述存储设备进行DR操作，直至电源关闭时长达到所述测试点中包括的DR时长的取值；所述读取所述存储设备的Flash颗粒中各个存储单元的阈值电压，包括：控制所述存储设备所处环境的温度，使得所述存储设备所处环境的温度值达到所述测试点中包括的所述第四环境温度的取值；开启所述存储设备的电源，读取所述存储设备的Flash颗粒中各个存储单元的阈值电压。5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：获得所述存储设备针对各个测试点的测试结果后，对所获得测试结果进行分析，得到以下信息中的至少一种信息：随着所述第一类参数、第二类参数的变化，所述存储设备的各个存储单元的数据读取参考电压的分布信息；随着所述第一类参数、第二类参数的变化，所述存储设备的各个存储单元的裸误码分布信息。6.一种测试装置，其特征在于，所述装置包括：测试点确定模块，用于确定对以Flash颗粒为存储介质的存储设备进行测试的测试点，其中，所述测试点包括：用于构建测试环境的第一类参数、用于描述测试目的的第二类参数、所述第一类参数的取值和所述第二类参数的取值；第一存储设...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘定星，唐侃毅，程博锋，
申请(专利权)人：新华三技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33