一种阈值电压调试方法、装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提出一种阈值电压调试方法、装置及电子设备，涉及存储数据纠错领域。该方法包括：获取步骤以及校验步骤，获取步骤包括依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据。校验步骤包括对存储数据进行校验纠错。当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，调整阈值电压并重新执行获取步骤和校验步骤直至存储数据校验纠错成功。在纠错编码对存储数据进行差错检测失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，由于通过调整阈值电压直至校验纠错成功，解决仅采用纠错编码进行差错检测会导致纠错性能变差甚至不能纠错的问题。

A Threshold Voltage Debugging Method, Device and Electronic Equipment

The embodiment of the present invention provides a threshold voltage debugging method, device and electronic equipment, which relates to the field of storage data error correction. The method includes acquisition steps and verification steps. The acquisition steps include acquiring the storage data corresponding to the original voltage data stored in the storage unit according to the threshold voltage. The checking step includes checking and correcting the stored data. When the error correction fails and the cumulative number of failures is less than the preset threshold, the threshold voltage is adjusted and the acquisition and verification steps are re-executed until the error correction of stored data is successful. When error detection fails by error correction coding for stored data and the cumulative number of failures is less than the preset threshold, the problem that error detection by error correction coding alone will lead to error correction performance deterioration or even no error correction can be solved by adjusting the threshold voltage until the error correction is successful.

【技术实现步骤摘要】
一种阈值电压调试方法、装置及电子设备
本专利技术涉及存储数据纠错领域，具体而言，涉及一种阈值电压调试方法、装置及电子设备。
技术介绍
基于闪存的固态硬盘具有容量较大，改写速度快等优点，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。固态硬盘在读取存储单元中的数据时，通常依据阈值电压读取存储单元中的电压数据获得存储数据，并采用纠错编码对存储数据进行差错检测以纠正错误。但随着存储单元的擦除次数增加，依旧仅采用纠错编码进行差错检测会导致纠错性能变差甚至不能纠错的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种阈值电压调试方法、装置及电子设备，在纠错编码对存储数据进行差错检测失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，通过调整阈值电压直至校验纠错成功，解决仅采用纠错编码进行差错检测会导致纠错性能变差甚至不能纠错的问题。为了实现上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案如下：第一方面，本专利技术实施例提出一种阈值电压调试方法，方法包括：获取步骤以及校验步骤，获取步骤包括依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据。校验步骤包括对存储数据进行校验纠错。当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，调整阈值电压并重新执行获取步骤和校验步骤直至存储数据校验纠错成功；当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数大于预设阈值时，则判断存储单元失效，结束阈值电压地调试。第二方面，本专利技术实施例还提出一种阈值电压调试装置，包括获取模块，用于执行获取步骤：依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据；校验模块，用于执行校验步骤：对存储数据进行校验纠错；阈值电压调整模块，用于当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，调整阈值电压，并控制获取模块重新执行获取步骤，以及控制校验模块重新执行校验步骤，直至存储数据校验纠错成功；阈值电压调整模块，还用于当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数大于预设阈值时，则判断存储单元失效，结束阈值电压地调试。第三方面，本专利技术实施例还提出一种电子设备，包括控制芯片、存储器、通信端口，实现上述阈值电压调试方法。本专利技术实施例所提供的一种阈值电压调试方法、装置及电子设备，该方法包括：获取步骤以及校验步骤，获取步骤包括依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据。校验步骤包括对存储数据进行校验纠错。当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，调整阈值电压并重新执行获取步骤和校验步骤直至存储数据校验纠错成功。该电子设备包括该装置，该装置可以通过执行上述方法完成阈值电压的调试。在纠错编码对存储数据进行差错检测失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，由于通过调整阈值电压直至校验纠错成功，或者判断存储单元失效，结束阈值电压地调试，解决仅采用纠错编码进行差错检测会导致纠错性能变差甚至不能纠错的问题。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术实施例了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1示出了本专利技术实施例所提供的原始电压数据以及阈值电压的坐标示意图。图2示出了本专利技术实施例所提供的原始电压数据以及阈值电压偏移前后的坐标示意图。图3示出了本专利技术实施例所提供的一种阈值电压调试方法的流程示意图。图4示出了本专利技术实施例所提供的另一种阈值电压调试方法的流程示意图。图5示出了基于图4新增第一修正阈值电压的坐标示意图。图6示出了基于图4新增第二修正阈值电压的坐标示意图。图7示出了基于图5的第一比特翻转数的坐标示意图。图8示出了基于图6的第二比特翻转数的坐标示意图。图9示出了本专利技术实施例所提供的阈值电压调试装置的功能模块示意图。图10示出了本专利技术实施例所提供的电子设备的结构框图。图标：100-阈值电压调试装置；101-获取模块；102-校验模块；103-阈值电压调整模块；200-电子设备；210-存储器；220-控制芯片；230-通信接口。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。现有技术在实现读取存储于存储单元的电压数据以获得存储数据的过程中，通常依据阈值电压获取存储单元中电压数据对应的存储数据，如图1所示，通常设置一个原始阈值电压V0，将对读取到的小于V0的电压数据对应bit为“0”的存储数据，将读取到的大于V0的电压数据对应bit为“1”的存储数据。由于存储于存储单元中的电压数据可能出错，因此需要对获得的存储数据进行校验纠错。以NAND闪存(Nand-flash，Nandflash)为例，通常通过低密度奇偶校验码(LowDensityParityCheckCode，LDPC)或BCH码(Bose、Ray、Hocquenghem，BCH)对从NAND闪存的存储单元中获得的存储数据进行校验纠错。由于随着NANDFlash的写入擦除次数的增加，阈值电压会发生偏移，如图2所示，原始阈值电压V0发生偏移，实际阈值电压VT位于原始阈值电压V0的右边，如果现在仍然使用原始阈值电压V0去读取并使用LDPC或BCH对存储数据进行纠错，会出现校验纠错失败的概率增加，甚至不能校验纠错的问题。为了解决上述技术问题，下面给出一种阈值电压调试方法的可能的实现方式，具体的，请参照图3，为本专利技术实施例所提供的一种阈值电压调试方法的流程示意图。方法包括如下步骤：S10，获取步骤：依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据。S20，校验步骤：对存储数据进行校验纠错，判断校验纠错是否失败。S30，当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，调整阈值电压并重新执行获取步骤和校验步骤直至存储数据校验纠错成功。S40，当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数大于预设阈值时，则判断存储单元失效，结束阈值电压地调试。具体的，在依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据后，使用LDPC或BCH对得到的存储数据进行校验纠错，并判断校验纠错是否失败，当校验纠错失败时，依据预设值对阈值电压进行调整，其中，调整后的阈值电压可以大于或小于原来的阈值电压。然后再重新执行S11以及S12，当再次校验纠错失败时，再依据预设值对阈值电压进行调整。可知，S11本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阈值电压调试方法，其特征在于，所述方法包括：获取步骤：依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据；校验步骤：对所述存储数据进行校验纠错；当所述校验纠错失败且所述校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，调整所述阈值电压并重新执行所述获取步骤和所述校验步骤直至所述存储数据校验纠错成功；当所述校验纠错失败且所述校验纠错的累计失败次数大于所述预设阈值时，则判断所述存储单元失效，结束阈值电压地调试。

【技术特征摘要】
1.一种阈值电压调试方法，其特征在于，所述方法包括：获取步骤：依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据；校验步骤：对所述存储数据进行校验纠错；当所述校验纠错失败且所述校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，调整所述阈值电压并重新执行所述获取步骤和所述校验步骤直至所述存储数据校验纠错成功；当所述校验纠错失败且所述校验纠错的累计失败次数大于所述预设阈值时，则判断所述存储单元失效，结束阈值电压地调试。2.如权利要求1所述的阈值电压调试方法，其特征在于，所述调整所述阈值电压的步骤包括：依据第一预设值调整所述阈值电压以得到第一修正阈值电压，其中，所述第一修正阈值电压小于所述阈值电压。3.如权利要求2所述的阈值电压调试方法，其特征在于，当依据所述第一修正阈值电压获取的存储数据校验纠错失败时，所述调整所述阈值电压的步骤包括：依据第二预设值调整所述阈值电压以得到第二修正阈值电压，其中,所述第二修正阈值电压大于所述阈值电压。4.如权利要求3所述的阈值电压调试方法，其特征在于，当依据所述第二修正阈值电压获取的存储数据校验纠错失败时，所述调整所述阈值电压的步骤包括：依据所述第一修正阈值电压获取的存储数据和所述原始电压数据获取的存储数据得到第一比特翻转数；依据所述第二修正阈值电压获取的存储数据和所述原始电压数据获取的存储数据得到第二比特翻转数；依据所述第一比特翻转数以及所述第二比特翻转数获取第三修正阈值电压。5.如权利要求4所述的阈值电压调试方法，其特征在于，所述依据所述第一比特翻转数以及所述第二比特翻转数获取第三修正阈值电压的步骤包括：当所述第一比特翻转数小于所述第二比特翻转数时，获取所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑文霞，
申请(专利权)人：湖南国科微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43