【技术实现步骤摘要】
一种集成电路动态存储电容漏电时间曲线测量装置
本专利技术涉及集成电路测试领域，尤其是一种集成电路动态存储电容漏电时间曲线测量装置。
技术介绍
在集成电路产业中，动态存储结构的应用非常广泛，例如动态随机存储器DRAM以其读写速度快、面积小、价格低的优势占有很大的存储器市场，此外在一些显示设备中也使用动态存储结构存储显示数据。与SRAM使用的双稳态电路不同的是，动态存储结构使用存储电容来存储数据，由于CMOS工艺电路中存在各种漏电流，存储电容的电压会随时间衰减，所以动态存储结构需要进行额外的刷新操作来保持存储电容上的存储数据。然而，动态存储结构CMOS器件的参数不同会导致漏电流不同，而且即使是相同的动态存储电路结构与相同的器件参数，由于集成电路制造工艺、供电电压和工作温度（PVT）的不同，也会造成漏电流的差异，这样就使得动态存储结构所需要的刷新时间不同。因此，对于动态存储结构来说，测量其动态存储电容的漏电时间曲线是非常必要的。然而，由于集成电路中的存储电容的电容量大约是飞法（fF）数量级，远小于电路板级的电容，如果直接使用市面上的示波器来测试动态电容漏电时间曲线，示波...
【技术保护点】
1.一种集成电路动态存储电容漏电时间曲线测量装置，其特征在于，该装置包括核心控制模块（1）、电平转换电路（2）、信号缓冲调理电路（3）、模数转换器（4）、显示屏（5）及电源模块（6），所述核心控制模块（1）分别与电平转换电路（2）、模数转换器（4）、显示屏（5）及电源模块（6）连接；电平转换电路（2）分别与核心控制模块（1）和电源模块（6）连接；信号缓冲调理电路（3）分别与核心控制模块（1）和电源模块（6）连接；模数转换器（4）与核心控制模块（1）、信号缓冲调理电路（3）和电源模块（6）连接；显示屏（5）与核心控制模块（1）和电源模块（6）连接；所述核心控制模块（1）由微处...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路动态存储电容漏电时间曲线测量装置，其特征在于，该装置包括核心控制模块（1）、电平转换电路（2）、信号缓冲调理电路（3）、模数转换器（4）、显示屏（5）及电源模块（6），所述核心控制模块（1）分别与电平转换电路（2）、模数转换器（4）、显示屏（5）及电源模块（6）连接；电平转换电路（2）分别与核心控制模块（1）和电源模块（6）连接；信号缓冲调理电路（3）分别与核心控制模块（1）和电源模块（6）连接；模数转换器（4）与核心控制模块（1）、信号缓冲调理电路（3）和电源模块（6）连接；显示屏（5）与核心控制模块（1）和电源模块（6）连接；所述核心控制模块（1）由微处理器（11）、时钟模块（12）、复位模块（13）及JTAG接口（14）构...
【专利技术属性】
技术研发人员：周家辉，刘一清，毛雨阳，高源，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：上海,31
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