【技术实现步骤摘要】
等离子化学气相沉积装置
本专利技术涉及化学气相沉积领域，特别涉及等离子化学气相沉积装置。
技术介绍
在等离子化学气相沉积设备中，反应气体在射频电源作用下可以转变成等离子体从而进行化学反应生成需要的纳米膜材料。而在制备纳米材料膜时，一般需要对基底材料进行预处理，常用的预处理包括等离子处理，即射频电源将反应气体电离成离子，在预处理时，反应气体可能是氩气，氧气，氢气。而为了达到较好的预处理效果，需要控制离子轰击基底材料的能量，以便改善基底表面材料的特性，提高表面结合力、提高材料的质量。另外，在等离子化学气相沉积制备过程中，反应气体为硅烷等，反应气体开始时被电离成离子，通过控制离子对成膜面的轰击，可以更好改善膜的密度和释放应力。但是，由于离子的通量由通入的射频能量决定，离子能量是由阳极电压的大小决定。而对于传统等离子化学气相沉积设备来说，电压和射频能量往往是正向关系，即射频能量越高，阳极电压越高。也就是说，在传统的等离子化学气相沉积设备中，在同样的射频功率下，离子通量和能量不是独立控制的，等离子化学气相沉积设备不具备独立地调节等离子轰击能量的功能。而为了实现对离子轰击能量...
【技术保护点】
1.一种等离子化学气相沉积装置，其特征在于，包括阳极、阴极及至少一个调节电路；所述阳极上连接有基底；通过调节所述调节电路的阻抗，能够调节所述阳极的电压，以控制等离子对所述基底的轰击能量。
【技术特征摘要】
1.一种等离子化学气相沉积装置，其特征在于，包括阳极、阴极及至少一个调节电路；所述阳极上连接有基底；通过调节所述调节电路的阻抗，能够调节所述阳极的电压，以控制等离子对所述基底的轰击能量。2.根据权利要求1所述的等离子化学气相沉积装置，其特征在于，所述调节电路包括一电感及一电容；所述电容的一端连接所述阳极，另一端通过所述电感接地。3.根据权利要求2所述的等离子化学气相沉积装置，其特征在于，所述阴极通过一匹配电路连接至射频电源。4.根据权利要求1所述的等离子化学气相沉积装置，其特征在于，所述调节电路有两个，所述阴极及所述阳极分别通过一个所述调节电路接地；所述调节电路包括一电容及所述电容串联的电感。5.根据权利要求4所述的等离子化学气相沉积装置，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张志强，彭帆，杨平，
申请(专利权)人：上海稷以科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。