一种气相沉积腔室制造技术

本申请公开一种气相沉积腔室，包括真空外腔室和真空内腔室均包括围合成相应腔室的腔壁，真空内腔室设置于真空外腔室的腔室内；真空外腔室和真空内腔室设置有与抽真空装置连接的真空管道；喷淋电极和下电极设置在真空内腔室的内部，下电极位于喷淋电极的下方。真空外腔室为不锈钢材质，真空内腔室为全铝质腔室，既满足镀膜的工艺需求，也降低了设备的制造难度和成本，具有很高的性价比；且该结构还可以减少热量外传，从而维持了真空内腔室镀膜工艺所需的温度环境，以及能够对两个腔室进行独立的抽真空，保证真空内腔室中工艺气体的纯度，有利于产品的稳定性和一致性。

A vapor deposition chamber

The present application discloses a vapor deposition chamber, which includes both a vacuum chamber and a vacuum chamber, including the wall of the chamber enclosed with the corresponding synthesis chamber. The vacuum chamber is arranged in the chamber of the vacuum chamber; the vacuum chamber and the vacuum chamber are provided with a vacuum pipeline connected with the vacuum pumping device; the spray electrodes and the lower electrodes are arranged in the interior of the vacuum chamber, and the lower electrodes are located in the spray electrodes. Below. The vacuum chamber is made of stainless steel and the vacuum chamber is made of aluminium, which not only meets the technological requirements of coating, but also reduces the manufacturing difficulty and cost of equipment, and has a high cost performance ratio. Moreover, the structure can also reduce the heat transfer, thus maintaining the temperature environment required for the coating process of the vacuum chamber, and can vacuum two chambers independently to ensure the truth. The purity of the process gas in the cavity is beneficial to the stability and consistency of the product.

【技术实现步骤摘要】
一种气相沉积腔室
本申请涉及等离子体
，具体涉及一种气相沉积腔室。
技术介绍
随着多晶硅太阳能电池片生产技术的日渐成熟，行业对生产电池片的设备精度要求越来越高。太阳能硅片在加工的过程中需要用到PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，是指等离子体增强化学的气相沉积法。其原理是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜)设备。但是现有的PECVD设备在生产太阳能电池片的过程中无法满足对非晶硅薄膜沉积所需的严格工艺环境和可靠性要求，而且PECVD设备制造成本较高，加工难度较大。
技术实现思路
本申请提供一种气相沉积腔室，包括：真空外腔室、真空内腔室、喷淋电极以及下电极；其中，所述真空外腔室和真空内腔室均包括围合成相应腔室的腔壁，所述真空内腔室设置于所述真空外腔室的腔室内；所述真空外腔室和真空内腔室设置有与抽真空装置连接的真空管道；所述喷淋电极和所述下电极设置在所述真空内腔室的内部，所述下电极位于所述喷淋电极的下方。可选的，所述真空外腔室的腔壁环绕所述真本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气相沉积腔室，其特征在于，包括：真空外腔室、真空内腔室、喷淋电极以及下电极；其中，所述真空外腔室和真空内腔室均包括围合成相应腔室的腔壁，所述真空内腔室设置于所述真空外腔室的腔室内；所述真空外腔室和真空内腔室设置有与抽真空装置连接的真空管道；所述喷淋电极和所述下电极设置在所述真空内腔室的内部，所述下电极位于所述喷淋电极的下方。

【技术特征摘要】
1.一种气相沉积腔室，其特征在于，包括：真空外腔室、真空内腔室、喷淋电极以及下电极；其中，所述真空外腔室和真空内腔室均包括围合成相应腔室的腔壁，所述真空内腔室设置于所述真空外腔室的腔室内；所述真空外腔室和真空内腔室设置有与抽真空装置连接的真空管道；所述喷淋电极和所述下电极设置在所述真空内腔室的内部，所述下电极位于所述喷淋电极的下方。2.根据权利要求1所述的气相沉积腔室，其特征在于，所述真空外腔室的腔壁环绕所述真空内腔室的腔壁设置，且分布在各个方向上的二者的腔壁之间设有距离。3.根据权利要求1所述的气相沉积腔室，其特征在于，所述真空外腔室的腔壁环绕所述真空内腔室的腔壁设置，且分布在其中一个方向上的腔壁为二者共用腔壁，其余分布在各个方向上的二者的腔壁之间设有距离。4.根据权利要求3所述的气相沉积腔室，其特征在于，所述共用腔壁为盖体，且为不锈钢材质；所述共用腔壁设置的方向为上方。5.根据权利要求4所述的气相沉积腔室，其特征在于，在所述共用腔壁朝向所述真空内腔室的一侧上设置有凹槽，所述喷淋电极的端部卡装在所述凹糟中。6.根据权利要求4所述的气相沉积腔室，其特征在于，还包括：密封圈，所述密封圈设置在与所述共用腔壁相连接的所述真空外腔室的腔壁上；和/或所述密封圈设置在与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张迎春，刘洁雅，
申请(专利权)人：北京捷造光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11