The invention discloses a vapor deposition reaction device, which comprises a vacuum outer chamber, a vacuum inner chamber, a heating device, a heating drainage structure and a heating source, wherein the vacuum outer chamber and the vacuum inner chamber all comprise a wall enclosing the corresponding chamber, the vacuum inner chamber is arranged in the chamber of the vacuum outer chamber, and the heating device is arranged in the vacuum inner chamber. The outer side of the chamber wall is extended to the outside of the vacuum outer chamber wall through the heating drainage structure, and is connected with the heating source. The vacuum outer chamber and the vacuum inner chamber are provided with channels connected with the vacuum pumping device. The vacuum inner chamber is arranged in the chamber of the vacuum outer chamber. Since there is no heat transfer medium in the vacuum environment, the introduction of a heating device outside the wall of the vacuum inner chamber can avoid the heat loss of the vacuum inner chamber, thereby ensuring the constant temperature and adiabatic state of the PECVD reaction chamber.
【技术实现步骤摘要】
一种气相沉积反应装置
本专利技术涉及真空腔室
,具体涉及一种对PECVD镀膜工艺的真空腔室
技术介绍
PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)是指等离子体增强化学的气相沉积法。工作原理是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。现有技术中,用于PECVD镀膜工艺的反应结构设备恒温性偏差,工艺进程中较差的温度恒定性和较大的耗能问题及热能损失导致工艺重复的一致性。
技术实现思路
本专利技术提供一种气相沉积反应装置,以解决现有技术中存在的上述问题。本专利技术提供一种气相沉积反应装置,其特征在于,包括:真空外腔室,真空内腔室,加热装置,加热引流结构,加热源;其中,所述真空外腔室及所述真空内腔室均包括围合成相应腔室的腔壁,所述真空内腔室设置于所述真空外腔室的腔室内;所述加热装置设置于所述真空内腔室腔壁外侧,并通过所述加热引流结构延伸至真空外腔室腔壁之外,与所述加热源相连接;所述真空外腔室和所述真空内腔室设置有与抽真空装置连接的通道。可选的,所述真空内腔室腔壁独立于所述真空外腔室腔壁设置,所述加热装置设置包覆于所述真空内腔室的外腔壁。可选的,所述真空内腔室和所述真空外腔室包括共同的上腔壁,所述真空内腔室的其它腔壁独立于所述真空外腔室的腔壁;所述加热装置设置包覆于所述真空内腔室的独立腔壁外侧。可选的,所述加热装置具体为加热管。可选的,所述加热管为中空管道,用于通过流体加热介质。可选的,所述加热装置具体为加热装置为加热丝或 ...
【技术保护点】
1.一种气相沉积反应装置,其特征在于,包括:真空外腔室,真空内腔室,加热装置,加热引流结构,加热源;其中,所述真空外腔室及所述真空内腔室均包括围合成相应腔室的腔壁,所述真空内腔室设置于所述真空外腔室的腔室内;所述加热装置设置于所述真空内腔室腔壁外侧,并通过所述加热引流结构延伸至真空外腔室腔壁之外,与所述加热源相连接;所述真空外腔室和所述真空内腔室设置有与抽真空装置连接的通道。
【技术特征摘要】
1.一种气相沉积反应装置,其特征在于,包括:真空外腔室,真空内腔室,加热装置,加热引流结构,加热源;其中,所述真空外腔室及所述真空内腔室均包括围合成相应腔室的腔壁,所述真空内腔室设置于所述真空外腔室的腔室内;所述加热装置设置于所述真空内腔室腔壁外侧,并通过所述加热引流结构延伸至真空外腔室腔壁之外,与所述加热源相连接;所述真空外腔室和所述真空内腔室设置有与抽真空装置连接的通道。2.根据权利要求1所述的气相沉积反应装置,其特征在于,所述真空内腔室腔壁独立于所述真空外腔室腔壁设置,所述加热装置设置包覆于所述真空内腔室的外腔壁。3.根据权利要求1所述的气相沉积反应装置,其特征在于,所述真空内腔室和所述真空外腔室包括共同的上腔壁,所述真空内腔室的其它腔壁独立于所述真空外腔室的腔壁;所述加热装置设置包覆于所述真空内腔室的独立腔壁外侧。4.根据权利要求1至3任一所述的气相沉积...
【专利技术属性】
技术研发人员:张迎春,刘洁雅,
申请(专利权)人:北京捷造光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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