晶圆位置检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆位置检测装置。本实用新型专利技术提供了一种晶圆位置检测装置，包括：加热盘，用于承载并加热晶圆；至少一组温度传感器，设置于所述加热盘表面，每组温度传感器包括关于所述加热盘的中心对称分布的两个温度传感器；控制器，同时连接多组所述温度传感器，用于判断是否存在一组温度传感器内的两个温度传感器检测到的温度值不同，若是，则确认所述晶圆的位置发生偏移。本实用新型专利技术可以及时了解晶圆在反应腔室内的位置是否发生偏移，提高了晶圆的生产效率，减少了晶圆返工及报废的概率。

Wafer Position Detection Device

The utility model relates to the technical field of semiconductor manufacturing, in particular to a wafer position detection device. The utility model provides a wafer position detection device, which includes: a heating disk for carrying and heating the wafer; at least one set of temperature sensors, which are arranged on the surface of the heating disk, each set of temperature sensors includes two temperature sensors with symmetrical distribution of the center of the heating disk; a controller, which is connected with a plurality of said temperature sensors simultaneously, for judging whether there is one or not. The temperature values detected by the two temperature sensors in the group temperature sensor are different. If so, it is confirmed that the position of the wafer is offset. The utility model can timely understand whether the position of the wafer in the reaction chamber is offset, improve the production efficiency of the wafer, and reduce the probability of wafer rework and scrap.

【技术实现步骤摘要】
晶圆位置检测装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆位置检测装置。
技术介绍
随着智能手机、平板电脑等移动终端向小型化、智能化、节能化的方向发展，芯片的高性能、集成化趋势明显，促使芯片制造企业积极采用先进工艺，对制造出更快、更省电的芯片的追求愈演愈烈。尤其是许多无线通讯设备的主要元件需用40nm以下先进半导体技术和工艺，因此对先进工艺产能的需求较之以往显著上升，带动集成电路厂商不断提升工艺技术水平，通过缩小晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸以提高芯片性能和可靠性，以及通过3D结构改造等非几何工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能等方式实现硅集成的提高，以迎合市场需求。然而，这些技术的革新或改进都是以晶圆的生成、制造为基础。在半导体的制造工艺中，为了设置分立器件和集成电路，需要在晶圆表面沉积不同的膜层。现有的膜层沉积方法包括化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积等。在现有的半导体加工制造过程中，经常会出现晶圆进入膜层沉积装置的腔体后位置发生偏移的情况。一旦晶圆在腔体内部的位置发生偏移，晶圆表面沉积的膜层在膜厚、膜层均匀性等相关参数会出现异常，进而需要重新进行膜层沉积工艺甚至是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆位置检测装置，其特征在于，包括：加热盘，用于承载并加热晶圆；至少一组温度传感器，设置于所述加热盘表面，每组温度传感器包括关于所述加热盘的中心对称分布的两个温度传感器；控制器，同时连接多组所述温度传感器，用于判断是否存在一组温度传感器内的两个温度传感器检测到的温度值不同，若是，则确认所述晶圆的位置发生偏移。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆位置检测装置，其特征在于，包括：加热盘，用于承载并加热晶圆；至少一组温度传感器，设置于所述加热盘表面，每组温度传感器包括关于所述加热盘的中心对称分布的两个温度传感器；控制器，同时连接多组所述温度传感器，用于判断是否存在一组温度传感器内的两个温度传感器检测到的温度值不同，若是，则确认所述晶圆的位置发生偏移。2.根据权利要求1所述的晶圆位置检测装置，其特征在于，至少一组温度传感器包括多组温度传感器，且所有的温度传感器以所述加热盘的中心为圆心呈圆环状分布。3.根据权利要求2所述的晶圆位置检测装置，其特征在于，所有的温度传感器构成的圆环的直径大于所述晶圆的直径。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王昕昀，孟杰，薛波，吴龙江，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32