立式扩散炉制造技术

一种立式扩散炉，包括竖向设置的炉体，所述炉体的内腔中安装有隔板，所述隔板位于炉体的顶部，并将内腔分隔为位于其上方的扩散腔和位于其下方的工作腔；所述炉体底部设置有与工作腔相连通出气管，所述炉体上安装有进气管，所述进气管内端伸入到炉体内的扩散腔中；所述隔板为设置有连通孔的孔板。立式扩散炉的炉体竖向设置，高温的工艺气体先进入扩散腔中水平分散，再通过隔板上的连通口向下流动到工作腔中，对工作腔中的硅片进行掺杂处理。工艺气体由隔板阻挡，再扩散腔中水平分散，能够消除气体自身重力对气体扩散的影响，使气体在扩散腔中能够扩散均匀，从而使工艺气体均匀的通过隔板的连通孔，对硅片进行掺杂作业，提高硅片的加工质量。

Vertical Diffusion Furnace

A vertical diffuser includes a furnace body vertically arranged. The inner chamber of the furnace body is provided with a partition board, which is located at the top of the furnace body and separates the inner chamber into a diffusion chamber located above and a working chamber located below it. The bottom of the furnace body is provided with an outlet pipe connected with the working chamber, and an intake pipe is installed on the furnace body, and the inner end of the intake pipe extends into the furnace body. In the diffusion chamber, the separator is an orifice plate with a connecting hole. The furnace body of vertical diffuser is vertically arranged. The high temperature process gas first enters the diffuser chamber and disperses horizontally. Then it flows down to the working chamber through the connecting port of the baffle. The silicon wafers in the working chamber are doped. The process gas is blocked by the separator and dispersed horizontally in the diffusion chamber, which can eliminate the influence of the gravity of the gas on the gas diffusion and make the gas diffuse uniformly in the diffusion chamber, so that the process gas can dope the silicon wafer evenly through the connecting hole of the separator and improve the processing quality of the silicon wafer.

【技术实现步骤摘要】
立式扩散炉
本技术属于半导体制造领域，尤其涉及一种用于硅片加工的立式扩散炉。
技术介绍
随着电子信息产业的持续高速发展，激励和带动了集成电路产业的发展，这就为微电子产业发展提供了空前广阔的发展空间，也为半导体专用设备提供了巨大的市场潜力。从微电子行业发展看，半导体器件设计向高密度、高集成度的方向迅速发展，对半导体集成电路新工艺、新技术、新设备提出了越来越高的要求。当前硅片的尺寸由直径150mm发展到300mm，超大规模集成电路ULSI的特征尺寸已从0.5μm、0.35μm发展到0.25μm，集成密度高达1千万个元件。在所有半导体专用设备中，扩散炉是集成电路生产线前工序的重要工艺设备之一，它的主要用途是对半导体进行掺杂，即在高温条件下将掺杂材料扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。随着硅片直径的增大，传统扩散炉在满足工艺要求方面面临很大困难，因此出现了卧式扩散炉。卧式扩散炉虽然能够应用在大尺寸硅片的，但也存在以下缺点：1.扩散炉的炉口因硅片尺寸的变大而变大，使卧式扩散炉恒温区的横截面上下温度差大；2.由于工艺气体相比于空气更容易下沉，卧室本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种立式扩散炉，其特征在于，包括竖向设置的炉体(1)，所述炉体(1)的内腔中安装有隔板(2)，所述隔板(2)位于炉体(1)的顶部，并将内腔分隔为位于其上方的扩散腔(11)和位于其下方的工作腔(12)；所述炉体(1)底部设置有与工作腔(12)相连通出气管(3)，所述炉体(1)上安装有进气管(4)，所述进气管(4)内端伸入到炉体(1)内的扩散腔(11)中；所述隔板(2)为设置有连通孔(21)的孔板。

【技术特征摘要】
1.一种立式扩散炉，其特征在于，包括竖向设置的炉体(1)，所述炉体(1)的内腔中安装有隔板(2)，所述隔板(2)位于炉体(1)的顶部，并将内腔分隔为位于其上方的扩散腔(11)和位于其下方的工作腔(12)；所述炉体(1)底部设置有与工作腔(12)相连通出气管(3)，所述炉体(1)上安装有进气管(4)，所述进气管(4)内端伸入到炉体(1)内的扩散腔(11)中；所述隔板(2)为设置有连通孔(21)的孔板。2.根据权利要求1所述的立式扩散炉，其特征在于，所述炉体(1)顶端的炉壁(13)中心向下凹陷，在扩散腔(11)中形成环状空间(14)。3.根据权利要求2所述的立式扩散炉，其特征在于，所述进气管(4)的内端位于环状空间(14)中。4.根据权利要求1所述的立式扩散炉，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海林，刘国霞，
申请(专利权)人：青岛赛瑞达电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37