【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶硅电池的制备设备技术,特别是一种硼扩散炉防止粘连的自热炉门。
技术介绍
目前主流的晶硅电池都是采用P型硅片作为基底,通过磷扩散制备PN结,背面印刷铝浆烧结形成铝背场。但是,由于P型晶硅衬底中的硼与氧的结合导致光致衰减,所以会导致P型硅电池在长时间使用后电池效率有15~25%的衰减。随后就改用N型晶硅代替P型晶硅作为基底以解决上述问题,并且由于N型硅有较长的少子寿命,在诸如全背接触电池等高效电池结构上有很大的发展潜力,利用N型硅衬底制备电池需要硼扩散来制备PN结。为了降低成本,未来制备电池的硅片厚度将越来越薄,当前主流电池结构中铝背场由于在热处理中铝与硅的热膨胀系数相差较大,所以制备铝背场后电池会出现翘曲的情况,在硅衬底很薄的情况下制备铝背场将会导致硅片开裂,合格率降低,而利用硼扩散形成背场的方法不会造成硅片的弯曲,同时由于硼在硅中的固溶度远大于铝在硅中的固溶度,因而硼背场比铝背场更加有效,更加有利于电池效率的提升。因而用硼扩散作为P型电池背场提升效率以及利用N型电池来进一步提高光电转换效率将是未来一个重要的发展趋势,上述两种电池技术都不可避免地要使用硼扩散技术。太阳能电池工业化生产中硼扩散常采用三溴化硼液态源管式扩散工艺,通常扩散温度在900℃到1100℃之间,在这个温度范围内扩散反应产物B2O3是液态,因而硼扩散的均匀性远不如磷扩散的均匀性,同时此过程会产生副产物BSG(硼硅玻璃)。BSG在高温为软化液态,有很强的粘性,低于450℃会硬化结晶。在扩散炉管中当BSG积累到一定程度,扩散过程中高温液态的B ...
【技术保护点】
一种硼扩散炉防止粘连的自热炉门,其特征在于:包括加热电阻丝(5)、热电偶(4)和温控仪(7),所述加热电阻丝(5)设置于靠近炉门内壁处,所述热电偶(4)测温点设置于加热电阻丝(5)的附近;所述加热电阻丝(5)的电线(9)和热电偶(4)的信号线(8)均穿过炉门连接至硼扩散炉外部的温度控仪。
【技术特征摘要】
1.一种硼扩散炉防止粘连的自热炉门,其特征在于:包括加热电阻丝(5)、热电偶(4)和温控仪(7),所述加热电阻丝(5)设置于靠近炉门内壁处,所述热电偶(4)测温点设置于加热电阻丝(5)的附近;所述加热电阻丝(5)的电线(9)和热电偶(4)的信号线(8)均穿过炉门连接至硼扩散炉外部的温度控仪。
2.根据权利要求1所述的一种硼扩散炉防...
【专利技术属性】
技术研发人员:张中伟,曹立勇,张鑫,李阳,
申请(专利权)人:中国东方电气集团有限公司,
类型:新型
国别省市:四川;51
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