The utility model relates to a defect monitoring sheet for key size scanning electron microscopy, which is used to monitor the defect status of key size scanning electron microscopy, including: bare wafer; photoresist bar, formed on the surface of bare wafer; photoresist bar collapses when the key size scanning electron microscopy has air flow defect, and the user passes through supervision. The collapse of the photometric bar determines whether the key size of the scanning electron microscope has air flow defects. The defect monitoring sheet of the key size scanning electron microscope of the utility model has a photoresistive bar. By monitoring the collapse of the defect monitoring sheet of the key size scanning electron microscope, the gas flow defect of the key size scanning electron microscope can be detected, and the particle defect monitoring of the key size scanning electron microscope can also be realized, which is simple and convenient.
【技术实现步骤摘要】
关键尺寸扫描电子显微镜缺陷监测片
本技术涉及晶圆生产领域，具体涉及一种关键尺寸扫描电子显微镜缺陷监测片。
技术介绍
随着半导体器件关键尺寸的不断缩小，关键尺寸扫描电子显微镜(CDSEM，CriticalDimensionScanningElectronMicroscopy)被广泛的应用于半导体器件的制造领域，以在线进行关键尺寸的测量，从而提升半导体器件在工艺生产过程中的良率，因此，关键尺寸扫描电子显微镜的缺陷监测显得尤为重要。在现有技术中，通常采用定期使用颗粒片监控所述关键尺寸扫描电子显微镜的颗粒情况的方法，来监控所述关键尺寸扫描电子显微镜的颗粒缺陷。但是该方法只能用来监控关键尺寸扫描电子显微镜在传输过程中的颗粒缺陷，对于某些特殊类型缺陷，并不能起到监控作用。如何在监控颗粒情况的同时，进一步的把控关键尺寸监测扫描电子显微镜的缺陷，使经所述关键尺寸监测扫描电子显微镜监测关键尺寸后的半导体器件具有更高的良率，是本领域亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种关键尺寸扫描电子显微镜缺陷监测片，能够进一步把控关键尺寸监测扫描电子显微镜的缺陷，使经所述关键尺寸监测扫描...
【技术保护点】
1.一种关键尺寸扫描电子显微镜缺陷监测片，用于监测关键尺寸扫描电子显微镜的缺陷状况，其特征在于，包括：裸晶圆；光阻条，形成于所述裸晶圆上表面，所述光阻条在所述关键尺寸扫描电子显微镜具有气流缺陷时发生崩塌，用户通过监测所述光阻条的崩塌状况来确定所述关键尺寸扫描电子显微镜是否有气流缺陷；所述关键尺寸扫描电子显微镜的气流缺陷包括：所述关键尺寸扫描电子显微镜的样品室释放真空时的气流大小超过阈值造成的气流缺陷。
【技术特征摘要】
1.一种关键尺寸扫描电子显微镜缺陷监测片，用于监测关键尺寸扫描电子显微镜的缺陷状况，其特征在于，包括：裸晶圆；光阻条，形成于所述裸晶圆上表面，所述光阻条在所述关键尺寸扫描电子显微镜具有气流缺陷时发生崩塌，用户通过监测所述光阻条的崩塌状况来确定所述关键尺寸扫描电子显微镜是否有气流缺陷；所述关键尺寸扫描电子显微镜的气流缺陷包括：所述关键尺寸扫描电子显微镜的样品室释放真空时的气流大小超过阈值造成的气流缺陷。2.根据权利要求1所述的关键尺寸扫描电子显微镜缺陷监测片，其特征在于，所述光阻条包括相互垂直的横向光阻条和纵向光阻条。3.根据权利要求2所述的关键尺寸扫描电子显微镜缺陷监测片，其特征在于...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。