An electron beam detection sample and a detection method include providing a wafer with a semiconductor device formed on the wafer surface, covering the semiconductor device with an oxide layer, irradiating the semiconductor device with an electron beam, reacting with the escaped secondary electrons to the surface morphological characteristics of the detected semiconductor device, and forming the oxygen on the surface of the semiconductor device. When irradiated by an electron beam, the oxide layer passes through the oxide layer and then enters the surface of the semiconductor structure. The oxide layer avoids the direct irradiation of the electron beam energy into the inner part of the semiconductor device, prevents the large ER in the semiconductor device from generating arc breakdown, and improves the detection efficiency.
【技术实现步骤摘要】
电子束检测样品及检测方法
本专利技术涉及半导体检测领域，特别涉及一种电子束检测样品及检测方法。
技术介绍
集成电路制造工艺一般都经过很多复杂的工序，任何环节的微小错误都将导致整个芯片失效，特别是随着电路关键尺寸的不断缩小，其对工艺控制的要求就越严格，所以在生产过程中，为能及时的发现和解决问题，就必须配备相应的缺陷检测设备以对晶圆进行缺陷检测。电子束(E-Beam)机台是一种缺陷检测设备，E-Beam机台通过直接发射电子束至待测晶圆的表面，实现对所述待检测晶圆进行内部缺陷检测。需要说明的是，如果样品表面光滑平整(无形貌特征)，则不形成衬度；而对于表面有一定形貌的样品，其形貌可看成由许多不同倾斜程度的面构成的凸尖、台阶、凹坑等细节组成，这些细节的不同部位发射的二次电子数不同，从而产生衬度，衬度的形成主要取于样品表面相对于入射电子束的倾角，所以，电子束检测时，利用二次电子来反应被检测样品表面的形貌特征。但是，使用E-Beam机台对晶圆进行内部缺陷检测时，特别是对结构尺寸很小的待测晶圆进行内部缺陷检测时，需要通过增大入射电子束的能量以得到更清晰的图像；而随着入射电子束能量...
【技术保护点】
1.一种电子束检测方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆表面形成有半导体器件；在所述半导体器件表面覆盖氧化层；电子束通过所述氧化层对所述半导体器件进行检测。
【技术特征摘要】
1.一种电子束检测方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆表面形成有半导体器件；在所述半导体器件表面覆盖氧化层；电子束通过所述氧化层对所述半导体器件进行检测。2.如权利要求1所述电子束检测方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为1nm-5nm。3.如权利要求1所述电子束检测方法，其特征在于，形成所述氧化层的方法为化学气相沉工艺积或扩散工艺。4.如权利要求3所述电子束检测方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺为常压化学气相沉积法或低压化学气相沉积法。5.如权利要求1所述电子束检测方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李丰阳，黄仁德，方桂芹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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