高频基体、高频封装件以及高频模块制造技术

本发明专利技术的高频基体具备：绝缘基体、第1线路导体和第2线路导体。绝缘基体在上表面具有凹部。第1线路导体位于绝缘基体的上表面。第2线路导体位于绝缘基体的上表面，并且在俯视下与第1线路导体空出间隔并与第1线路导体并行地延伸。凹部位于第1线路导体与第2线路导体之间，并且凹部的介电常数比绝缘基体低。

High Frequency Matrix, High Frequency Package and High Frequency Module

The high frequency substrate of the invention comprises an insulating substrate, a first line conductor and a second line conductor. The insulating substrate has a concave part on the upper surface. The first line conductor is located on the upper surface of the insulating matrix. The second line conductor is located on the upper surface of the insulating matrix, and is separated from the first line conductor and extended in parallel with the first line conductor under the overlook. The concave part is between the first line conductor and the second line conductor, and the dielectric constant of the concave part is lower than that of the insulating matrix.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频基体、高频封装件以及高频模块
本专利技术涉及高频基体、使用高频基体的高频封装件、以及高频模块。
技术介绍
近年来，由于便携电话等的普及，在无线通信设备中，为了传输更高速化、更大容量的信息，高频化被推进。其中，已知为了去除传输高频信号的直流电压分量而在信号线路之间设有电容器的高频基体(参照JP特开2008-311682号公报)。在JP特开2008-311682号公报所公开的技术中，在电介质基板设有传输信号的第1线路导体以及第2线路导体。第1线路导体与第2线路导体并行地延伸。但是，在专利文献1的技术中，有可能第1线路导体与第2线路导体之间的阻抗的值变低，高频的信号的传输中损耗变大。
技术实现思路
本专利技术的一实施方式所涉及的高频基体具备绝缘基体、第1线路导体、和第2线路导体。绝缘基体在上表面具有凹部。第1线路导体位于绝缘基体的上表面。第2线路导体位于绝缘基体的上表面，并且在俯视下与第1线路导体空出间隔并与第1线路导体并行地延伸。凹部位于第1线路导体与第2线路导体之间，并且凹部的介电常数比绝缘基体低。本专利技术的一实施方式所涉及的高频封装件具备基板、壳体、以及上述的高频基体。壳体被接合于基板的上表面，并具有贯通孔。高频基体被固定于壳体的贯通孔。本专利技术的一实施方式所涉及的高频模块具备上述的高频封装件、半导体元件、和盖体。半导体元件被收纳于上述的高频封装件，与高频基体电连接。盖体被接合于壳体的上端，覆盖半导体元件并且覆盖高频封装件的内部。附图说明图1是本专利技术的一实施方式所涉及的高频基体的立体图。图2是图1所示的本专利技术的一实施方式所涉及的高频基体，图2的(a)是本专利技术的一实施方式所涉及的高频基体的俯视图，图2的(b)是以图1的A表示的放大立体图。图3是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的立体图。图4是图3所示的本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体，图4的(a)是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的俯视图，图4的(b)是以图3的B表示的放大立体图。图5是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的立体图。图6是图5所示的本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体，图6的(a)是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的俯视图，图6的(b)是以图5的C表示的放大立体图。图7是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的立体图。图8是图7所示的本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体，图8(a)是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的俯视图，图8(b)是以图7的D表示的放大立体图。图9是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的立体图。图10是图9所示的本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体，图10的(a)是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的俯视图，图10的(b)是以图9的E表示的放大立体图。图11是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的分解立体图。图12是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体，图12的(a)是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的立体图，图12的(b)是表示图12的(a)的F的放大立体图。图13是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体，图13的(a)是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的立体图，图13的(b)是表示图13的(a)的G的放大立体图。图14是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体，图14的(a)是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的立体图，图14的(b)是表示图14的(a)的H的放大立体图。图15是表示本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的阻抗的值的图表。图16是本专利技术的一实施方式所涉及的高频封装件的立体图。图17是本专利技术的一实施方式所涉及的高频封装件的分解立体图。图18是本专利技术的一实施方式所涉及的高频模块的立体图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式所涉及的高频基体进行说明。<高频基体的结构>图1表示本专利技术的一实施方式所涉及的高频基体1的立体图，图2是图1所示的本专利技术的一实施方式所涉及的高频基体，图2的(a)是本专利技术的一实施方式所涉及的高频基体的俯视图，图2的(b)是以图1的A表示的放大立体图。图3、图5、图7以及图9是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的立体图。图4、图6、图8以及图10分别是图3、图5、图7以及图9所示的本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体，图4的(a)、图6的(a)、图8(a)以及图10的(a)是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的俯视图，图4的(b)、图6的(b)、图8(b)以及图10的(b)分别是以图3的B、图5的C、图7的D以及图9的E表示的放大立体图。图11是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的分解立体图。图12、图13以及图14是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体，图12的(a)、图13的(a)以及图14的(a)是本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的立体图，图12的(b)是表示图12的(a)的F的放大立体图，图13的(b)是表示图13的(a)的G的放大立体图，图14的(b)是表示图14的(a)的H的放大立体图。并且，图15是表示本专利技术的其他实施方式所涉及的高频基体的阻抗的值的图表。在这些图中，高频基体1具备绝缘基体2、第1线路导体3和第2线路导体4。绝缘基体2是包含多个电介质的绝缘层2a、2b、2c、2d以及2e被层叠而成。绝缘基体2例如在俯视下为矩形状，大小为4mm×4mm～50mm×50mm，高度为1mm～10mm。构成绝缘基体2的绝缘层的各层包含电介质材料。作为电介质材料，例如能够利用氧化铝质烧结体、莫来石质烧结体、碳化硅质烧结体、氮化铝质烧结体或者氮化硅质烧结体这种的陶瓷材料、或者玻璃陶瓷材料。在绝缘基体2的上表面，设有将绝缘层2a贯通的凹部21。凹部21在俯视下例如为矩形状，大小为0.2mm×2mm～1mm×10mm。也可以凹部21在俯视下为椭圆形状、正方形状、角部为圆形的矩形状。此外，凹部21在剖视下例如为矩形状，与绝缘基体2的上表面平行的方向的长度为0.2mm～2mm，与绝缘基体2的上表面垂直的方向的长度、即凹部21的深度为0.2mm～2mm。也可以凹部21在剖视下为锥状、倒锥状以及阶梯形状。凹部21是空间或者由包含树脂材料、玻璃材料等的电介质材料填满，介电常数比绝缘基体2低。在绝缘层2b、2c、2d的上表面，在俯视下与凹部21重叠的位置的周围以及与第1线路导体3以及第2线路导体4重叠的位置，设有多个接地导体2bg、2cg以及2dg，通过贯通导体等而上下的接地导体2bg、2cg以及2dg被电连接。图11中，在四边形部P1、P2以及P3示出与凹部21重叠的位置，在其周围设有接地导体2bg、2cg、2dg。也就是说，接地导体2bg、2cg、2dg在俯视下与凹部21重叠的以四边形部P1、P2以及P3所示的位置并未设置。此外，可以在绝缘层2e的上表面设置接地导体2eg，可以在绝缘基体2的下表面、即绝缘层2e的下表面设置下表面接地导体层21eg。接地导体2eg、下表面接地导体层21eg经由贯通导体而电连接于各层的接地导体2bg、2cg、2dg、2eg。接地导体2eg或者下表面接地导体层21eg例如可以设置在绝缘层2e的上表面或者下表面的整体，此外，也可以设置在俯视下为矩形状且与凹部21重叠的以四边形部P1、P2以及P3表示的位置。另外，表示在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频基体，其特征在于，具备：绝缘基体，在上表面具有凹部；第1线路导体，位于所述绝缘基体的上表面；和第2线路导体，位于所述绝缘基体的上表面，并且在俯视下与所述第1线路导体空出间隔并与所述第1线路导体并行地延伸，所述凹部位于所述第1线路导体与所述第2线路导体之间，并且所述凹部的介电常数比所述绝缘基体的介电常数低。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.21 JP 2016-2066731.一种高频基体，其特征在于，具备：绝缘基体，在上表面具有凹部；第1线路导体，位于所述绝缘基体的上表面；和第2线路导体，位于所述绝缘基体的上表面，并且在俯视下与所述第1线路导体空出间隔并与所述第1线路导体并行地延伸，所述凹部位于所述第1线路导体与所述第2线路导体之间，并且所述凹部的介电常数比所述绝缘基体的介电常数低。2.根据权利要求1所述的高频基体，其特征在于，所述第1线路导体具有分离的第1分离部，所述第2线路导体具有分离的第2分离部，第1电容器位于所述第1分离部的上表面，并且第2电容器位于所述第2分离部的上表面，在俯视下，所述凹部从所述第1分离部的端部至所述第2分离部的端部的位置，与所述第1线路导体以及所述第2线路导体并行地延伸。3.根据权利要求2所述的高频基体，...

【专利技术属性】
技术研发人员：川头芳规，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP