An image sensor and its forming method include: providing a substrate comprising a pixel region and an isolation region adjacent to the isolation region, which surrounds the pixel region; forming a photosensitive structure within the pixel region of the substrate; forming an initial grid layer on the surface of the substrate isolation region, with an initial exposure of the pixel region within the initial grid layer. The side wall of the initial grid layer is thinned to form a grid layer on the surface of the isolation area, and there are grooves in the grid layer that expose the pixel area. The method improves the performance of the image sensor.
【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器是一种将光信号转化为电信号的半导体器件。图像传感器分为互补金属氧化物(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器。CMOS图像传感器具有工艺简单、易与其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小和成本低等优点。目前，CMOS图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、数码摄像机、医疗用摄像装置和车用摄像装置等。CMOS图像传感器包括前照式(FSI)图像传感器和背照式(BSI)图像传感器。在背照式图像传感器中，光从图像传感器的背面入射到图像传感器中的感光二极管上，从而将光能转化为电能。图像传感器中采用栅格层隔离滤光层以减小相邻像素单元之间的串扰，然而随着器件集成度的提高，图像传感器中像素单元密度随之增大，栅格层尺寸较大，影响了图像传感器的性能。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种图像传感器及其形成方法，以提高图像传感器的性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种图像传感器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括像素区和隔离区，所述像素区与隔离区相...
【技术保护点】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括像素区和隔离区，所述像素区与隔离区相邻，且所述隔离区包围所述像素区；在所述衬底像素区内形成感光结构；在所述衬底隔离区表面形成初始栅格层，所述初始栅格层内具有暴露出像素区的初始凹槽；对所述初始栅格层的侧壁进行减薄，以在所述隔离区表面形成栅格层，且所述栅格层内具有暴露出像素区的凹槽。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括像素区和隔离区，所述像素区与隔离区相邻，且所述隔离区包围所述像素区；在所述衬底像素区内形成感光结构；在所述衬底隔离区表面形成初始栅格层，所述初始栅格层内具有暴露出像素区的初始凹槽；对所述初始栅格层的侧壁进行减薄，以在所述隔离区表面形成栅格层，且所述栅格层内具有暴露出像素区的凹槽。2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述初始栅格层和初始凹槽的形成方法包括：在所述衬底像素区和隔离区表面形成初始栅格材料层；在所述初始栅格材料层表面形成图形化层，所述图形化层暴露出像素区初始栅格材料层；以所述图形化层为掩膜刻蚀所述初始栅格材料层，直至暴露出衬底表面，形成初始栅格层和初始凹槽，所述初始凹槽暴露出衬底表面。3.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成初始栅格材料层之前，还包括：在所述衬底像素区和隔离区表面形成保护层；所述初始栅格材料层位于所述保护层表面；所述初始凹槽暴露出所述保护层表面。4.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，对所述初始栅格层进行减薄的工艺包括：各向同性的湿法刻蚀工艺或者各向同性的干法刻蚀工艺。5.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟俊生，李志伟，黄仁德，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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