An image sensor and its forming method include: providing a base, the base includes an edge area and a pixel area, the edge area is higher than the pixel area, forming a grid layer on the base surface, forming a sacrificial layer on the surface of the grid layer, and the sacrificial layer of the edge area is level with the top of the sacrificial layer of the pixel area; After forming a photoresist layer on the surface of the sacrificial layer, the photoresist layer is patterned, and the sacrificial layer and the grid layer are etched successively to expose the substrate with the patterned photoresist layer as a mask to form a discrete grid. The invention helps to prevent the photoresist layer from spalling, thereby improving the electrical performance of the image sensor.
【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器是一种将光学图像转换成电子信号的设备，它被广泛的应用在如数码相机等电子光学设备中。根据数字数据传送方式的不同，图像传感器可分为电荷耦合元件(CCD，ChargeCoupledDevice)和金属氧化物半导体元件(CMOS，ComplementaryMetal-OxideSemiconductor)两大类。其中，CMOS传感器由于具有集成度高、功耗小、速度快、成本低等特点，在近几年发展迅速。填充因子是衡量图像传感器的像素灵敏度的一个重要参数，具体的，填充因子指的是感光面积占整个像素面积的比例。当今CMOS传感器的一个重要开发目标是提高填充因子大小。随着当前像素尺寸的逐渐缩小，提高填充因子越来越困难。目前流行的技术是将CMOS传感器由传统的前感光式(FSI，FrontSideIllumination)转变为背部感光式(BSI，BackSideIllumination)，在背部感光式CMOS传感器中，放大器等晶体管以及互联电路置于CMOS传感器背部，CMO...
【技术保护点】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括边缘区域和像素区域，所述边缘区域高于所述像素区域；在所述基底表面形成栅格层；在所述栅格层表面形成牺牲层，所述边缘区域的所述牺牲层与所述像素区域的所述牺牲层顶部齐平；在所述牺牲层表面形成光刻胶层后，图形化所述光刻胶层；以所述图形化光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述牺牲层和所述栅格层至露出所述基底，形成分立的栅格。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括边缘区域和像素区域，所述边缘区域高于所述像素区域；在所述基底表面形成栅格层；在所述栅格层表面形成牺牲层，所述边缘区域的所述牺牲层与所述像素区域的所述牺牲层顶部齐平；在所述牺牲层表面形成光刻胶层后，图形化所述光刻胶层；以所述图形化光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述牺牲层和所述栅格层至露出所述基底，形成分立的栅格。2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为非晶硅或非晶碳。3.如权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的工艺为化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺。4.如权利要求3所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的工艺温度为400℃～450℃。5.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：何延强，林宗德，黄仁德，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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