This application provides a vertical memory device. The vertical memory device comprises a gate electrode structure on a substrate and a channel. The gate electrode structure includes grid electrodes spaced apart from each other in a vertical direction substantially perpendicular to the upper surface of the substrate. The channel extends vertically across the gate electrode structure on the substrate. The channel includes a first part of an inclined sidewall having an upper surface relative to the substrate and a second part of an inclined sidewall contacting the upper surface of the first part and having an upper surface relative to the substrate. The width of the upper surface of the second part is smaller than that of the first part. The impurity region doped with carbon or p-type impurities is formed on the upper part of the substrate. Channel contact impurity area.
【技术实现步骤摘要】
竖直存储器装置相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月30日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2017-0163653的优先权，该申请的内容通过引用方式整体并入本文中。
本专利技术构思涉及竖直存储器装置。
技术介绍
随着VNAND闪速存储器装置中的模制结构的堆叠数量增加，穿过模制结构延伸的沟道孔的深度可具有分布。因此，在用于形成沟道孔的蚀刻工艺中，模制结构可被过度蚀刻以使得所有沟道孔可暴露出衬底的上表面，这样可在衬底上形成凹陷。随着ONO层可形成在所述凹陷上，可产生寄生电容，从而VNAND闪速存储器装置的电特性可变差。
技术实现思路
示例实施例提供了一种具有良好特性的竖直存储器装置。根据本专利技术构思的一方面，一种竖直存储器装置可包括衬底、栅电极结构和沟道。栅电极结构可位于衬底上。衬底的上部可包括掺有碳或p型杂质的杂质区。栅电极结构可包括在实质上垂直于衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开的栅电极。沟道可在衬底上在竖直方向上延伸穿过栅电极结构。沟道可包括第一部分和第二部分。第一部分可具有相对于衬底的上表面的倾斜侧壁。第二部分可接触第一部分的上...
【技术保护点】
1.一种竖直存储器装置，包括：衬底，所述衬底的上部包括掺有碳或p型杂质的杂质区；所述衬底上的栅电极结构，所述栅电极结构包括在实质上垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开的栅电极；以及沟道，其在所述衬底上在所述竖直方向上延伸穿过所述栅电极结构，所述沟道包括第一部分和第二部分，所述第一部分具有相对于所述衬底的上表面的倾斜侧壁，所述第二部分接触所述第一部分的上表面，所述第二部分具有相对于所述衬底的上表面的倾斜侧壁，所述第二部分的上表面的宽度小于所述第一部分的上表面的宽度，并且所述沟道接触所述杂质区。
【技术特征摘要】
2017.11.30 KR 10-2017-01636531.一种竖直存储器装置，包括：衬底，所述衬底的上部包括掺有碳或p型杂质的杂质区；所述衬底上的栅电极结构，所述栅电极结构包括在实质上垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开的栅电极；以及沟道，其在所述衬底上在所述竖直方向上延伸穿过所述栅电极结构，所述沟道包括第一部分和第二部分，所述第一部分具有相对于所述衬底的上表面的倾斜侧壁，所述第二部分接触所述第一部分的上表面，所述第二部分具有相对于所述衬底的上表面的倾斜侧壁，所述第二部分的上表面的宽度小于所述第一部分的上表面的宽度，并且所述沟道接触所述杂质区。2.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，还包括：电荷存储结构，其覆盖所述衬底上的所述沟道的外侧壁，其中，所述电荷存储结构包括第一部和第二部，所述第一部具有相对于所述衬底的上表面的倾斜侧壁，并且所述第二部接触所述第一部的上表面，所述第二部具有相对于所述衬底的上表面的倾斜侧壁，并且所述第二部的上表面的宽度小于所述第一部的上表面的宽度。3.根据权利要求2所述的竖直存储器装置，其中所述沟道的所述第一部分的中心下部延伸穿过所述杂质区的上部，并且所述电荷存储结构的所述第一部的下部覆盖接触所述杂质区的上表面的所述沟道的所述第一部分的所述中心下部外侧壁。4.根据权利要求2所述的竖直存储器装置，其中所述电荷存储结构包括在实质上平行于所述衬底的上表面的水平方向上从所述沟道的外侧壁顺序堆叠的隧道势垒图案、电荷存储图案和阻挡图案。5.根据权利要求2所述的竖直存储器装置，还包括：填充图案；以及所述填充图案、所述沟道和所述电荷存储结构上的焊盘，其中所述沟道具有中空圆柱形，并且所述填充图案填充由所述沟道的内侧壁限定的内部空间。6.根据权利要求5所述的竖直存储器装置，其中，所述焊盘直接接触所述填充图案的上表面、所述沟道的上表面和所述电荷存储结构的上表面。7.根据权利要求5所述的竖直存储器装置，其中，所述栅电极结构包括至少一个第一栅电极、所述至少一个第一栅电极上的多个第二栅电极以及所述多个第二栅电极上的至少一个第三栅电极。8.根据权利要求7所述的竖直存储器装置，其中所述至少一个第一栅电极包括相对于所述衬底的上表面分别布置在两个水平处的两个第一栅电极，所述两个第一栅电极中的每一个在实质上平行于所述衬底的上表面的水平方向上与所述沟道的所述第一部分重叠，并且与所述两个第一栅电极中的位于较上水平的一个第一栅电极的上表面相对应的电荷存储结构的最大宽度等于或小于所述焊盘的上表面的宽度。9.根据权利要求7所述的竖直存储器装置，其中所述至少一个第一栅电极用作地选择线，所述多个第二栅电极用作字线，并且所述至少一个第三栅电极用作串选择线。10.根据权利要求5所述的竖直存储器装置，其中所述栅电极结构包括第一栅电极、所述第一栅电极上的多个第二栅电极和所述多个第二栅电极上的至少一个第三栅电极，所述第一栅电极和所述多个第二栅电极中的最下方的一个第二栅电极相对于所述衬底的上表面分别布置在两个水平处，所述第一栅电极和所述多个第二栅电极中的最下方的一个第二栅电极中的每一个在实质上平行于所述衬底的上表面的水平方向上与所述沟道的所述第一部分重叠，并且与所述多个第二栅电极中的最下方的一个第二栅电极的上表面相对应的电荷存储结构的最大宽度等于或小于所述焊盘的上表面的宽度。11.根据权利要求1所述的竖直存储器装置，其中所述沟道还包括第三部分和第四部分，所述第三部分接触所述沟道的所述第二部分的上表面，所述第三部分具有相对于所述衬底的上表面的倾斜侧壁，所述第四部分接触所述第三部分的上表面，所述第四部分具有相对于所述衬底的上表面的倾斜侧壁，并且...
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