温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种竖直存储器装置。所述竖直存储器装置包括衬底上的栅电极结构以及沟道。栅电极结构包括在基本垂直于衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开的栅电极。沟道在衬底上在竖直方向上延伸穿过栅电极结构。沟道包括：具有相对于衬底的上表面的倾斜侧壁的第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。