电荷泵的电路装置以及半导体存储器制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种电荷泵的电路装置以及半导体存储器，所述装置包括输出电压过冲保护电路，输出电压过冲保护电路包括第一比较器和开关晶体管。第一比较器用于当输出电压过冲导致第一分压大于第一参考电压时，输出高电平，开关晶体管根据高电平控制信号导通，对电荷泵的输出端放电，从而降低输出电压。输出电压过冲保护电路不仅不会影响电荷泵电路的正常工作，还会在输出电压出现发生过冲时，及时降低输出电压，进而使被供电装置处在一个安全的电压范围之内。输出电压过冲保护电路可以应用于任何的电荷泵电路中，有效的保护芯片内的器件。

Charge Pump Circuit Device and Semiconductor Memory

The utility model provides a circuit device of a charge pump and a semiconductor memory. The device comprises an output voltage overshoot protection circuit, and an output voltage overshoot protection circuit comprises a first comparator and a switching transistor. The first comparator is used to output high level when the first partial voltage is larger than the first reference voltage due to the overshoot of the output voltage. The switching transistor turns on according to the high level control signal and discharges the output voltage of the charge pump, thereby reducing the output voltage. The output voltage overshoot protection circuit will not only not affect the normal operation of the charge pump circuit, but also reduce the output voltage in time when the output voltage overshoot occurs, thus making the power supply device in a safe voltage range. The output voltage overshoot protection circuit can be applied to any charge pump circuit to effectively protect the devices in the chip.

【技术实现步骤摘要】
电荷泵的电路装置以及半导体存储器
本技术涉及半导体集成电路
，具体涉及一种电荷泵的电路装置以及半导体存储器。
技术介绍
电荷泵也称为开关负载电容式电压变换器，是一种利用所谓的“快速”或“泵送”负载电容(而非负载电阻或变压器)来储能的变换器。能使输入电压升高或降低，也可以用于产生负电压。其内部的FET开关阵列以一定方式控制快速负载电容器的充电和放电，从而使输入电压以一定因数倍增或降低，从而得到所需要的输出电压。由于负载或芯片内部环境变化时，会使得电荷泵电路输出电压过冲，这会导致器件的可靠性差等问题。在
技术介绍
中公开的上述信息仅用于加强对本技术的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。
技术实现思路
本技术提供一种电荷泵的电路装置以及半导体存储器，以克服或缓解
技术介绍
中存在的一个或者更多个问题，至少提供一种有益的选择。提供了一种电荷泵的电路装置，包括：所述电路装置包括电荷泵和由至少两个分压电阻串联构成的分压支路，其特征在于，还包括输出电压过冲保护电路，所述输出电压过冲保护电路包括第一比较器和开关晶体管；所述第一比较器包括第一输入端、第二输入端以及第一输出端，所述第一输入端用于接收第一参考电压，所述第二输入端连接至所述分压支路上的第一连接点，所述第一连接点位于两个所述分压电阻之间，所述第二输入端用于接收第一分压，所述第一输出端连接至所述开关晶体管的栅极；所述开关晶体管包括所述栅极、漏极和源极，所述漏极连接到所述输出电压，所述源极接地；所述第一比较器用于当输出电压过冲导致所述第一分压大于所述第一参考电压时，输出高电平；所述开关晶体管用于根据所述高电平控制所述开关晶体管接通，降低所述输出电压。在一种实施方式中，还包括第二比较器，所述第二比较器包括第三输入端、第四输入端以及第二输出端，所述第三输入端用于接收第二参考电压，所述第四输入端用于接收第二分压，所述第二输出端连接至所述电荷泵的输入端，所述电荷泵的输出端连接至被供电装置；所述第二比较器用于当所述第二分压小于或等于所述第二参考电压时，输出升压信号，所述电荷泵用于根据所述升压信号升高所述输出电压。在一种实施方式中，所述第四输入端连接至所述分压支路上的第二连接点，所述第二连接点与所述第一连接点之间设置有至少一个所述分压电阻，所述第二分压大于所述第一分压。在一种实施方式中，所述第四输入端连接至所述分压支路上的第一连接点，所述第二分压等于所述第一分压。在一种实施方式中，所述第一比较器用于当所述第一分压小于所述第一参考电压时，输出低电平；所述开关晶体管用于根据所述低电平控制所述开关晶体管关闭。在一种实施方式中，还包括负载电容和负载电阻，所述负载电容的一端和所述负载电阻的一端均连接至所述电荷泵的输出端，所述负载电容的另一端和所述负载电阻的另一端均接地。本技术还提供了一种半导体存储器，包括如上述任一项的电路装置。本技术采用上述技术方案，具有如下优点：输出电压过冲保护电路不仅不会影响电荷泵电路的正常工作，还会在输出电压发生过冲时，及时降低输出电压，进而使被供电装置处在一个安全的电压范围之内。输出电压过冲保护电路可以应用于任何的电荷泵电路中，可以有效的保护被供电装置。上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本技术进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。附图说明在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本技术公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本技术范围的限制。图1绘示本技术实施例提供的一种电荷泵的电路装置结构示意图。图2绘示本技术实施例提供的另一种电荷泵的电路装置结构示意图。图3绘示本技术实施例提供的另一种电荷泵的电路装置结构示意图。图4绘示本技术实施例提供的一种电荷泵的输出电压过冲保护方法流程图。其中：4-输出电压过冲保护电路；13-接地端；40-第一比较器；41-第一输入端；42-第二输入端；43-第一输出端；50-开关晶体管；53-栅极；51-漏极；52-源极；30-第二比较器；31-第三输入端；32-第四输入端；33-第二输出端；VA-第一分压；VREF1-第一参考电压；VREF2-第二参考电压；VB-第二分压；VOUT-输出电压；10-电荷泵；11-电荷泵的输入端；12-电荷泵的输出端；20-被供电装置；60-第一分压电阻；70-第二分压电阻；80-第三分压电阻；61-第一分压电阻的一端；62-第一分压电阻的另一端；71-第二分压电阻的一端；72-第二分压电阻的另一端；81-第三分压电阻的一端；82-第三分压电阻的另一端；90-负载电容；91-负载电容的一端；92-负载电容的另一端；100-负载电阻；101-负载电阻的一端；102-负载电阻的另一端；120-振荡器；110-电荷泵核心电路。具体实施方式在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本技术的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本实用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电荷泵的电路装置，所述电路装置包括电荷泵和由至少两个分压电阻串联构成的分压支路，其特征在于，还包括输出电压过冲保护电路，所述输出电压过冲保护电路包括第一比较器和开关晶体管；所述第一比较器包括第一输入端、第二输入端以及第一输出端，所述第一输入端用于接收第一参考电压，所述第二输入端连接至所述分压支路上的第一连接点，所述第一连接点位于两个所述分压电阻之间，所述第二输入端用于接收第一分压，所述第一输出端连接至所述开关晶体管的栅极；所述开关晶体管包括所述栅极、漏极源极，所述漏极连接到所述输出电压，所述源极接地；所述第一比较器用于当输出电压过冲导致所述第一分压大于所述第一参考电压时，输出高电平；所述开关晶体管用于根据所述高电平控制所述开关晶体管接通，降低所述输出电压。

【技术特征摘要】
1.一种电荷泵的电路装置，所述电路装置包括电荷泵和由至少两个分压电阻串联构成的分压支路，其特征在于，还包括输出电压过冲保护电路，所述输出电压过冲保护电路包括第一比较器和开关晶体管；所述第一比较器包括第一输入端、第二输入端以及第一输出端，所述第一输入端用于接收第一参考电压，所述第二输入端连接至所述分压支路上的第一连接点，所述第一连接点位于两个所述分压电阻之间，所述第二输入端用于接收第一分压，所述第一输出端连接至所述开关晶体管的栅极；所述开关晶体管包括所述栅极、漏极源极，所述漏极连接到所述输出电压，所述源极接地；所述第一比较器用于当输出电压过冲导致所述第一分压大于所述第一参考电压时，输出高电平；所述开关晶体管用于根据所述高电平控制所述开关晶体管接通，降低所述输出电压。2.如权利要求1所述的电路装置，其特征在于，还包括第二比较器，所述第二比较器包括第三输入端、第四输入端以及第二输出端，所述第三输入端用于接收第二参考电压，所述第四输入端用于接收第二分压，所述第二输出端连接至所述电荷泵的输入端，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34