一种封装基板及其制作方法、集成电路芯片技术

本发明专利技术的实施例提供一种封装基板及其制作方法、集成电路芯片，可降低高频信号或高速信号在封装基板内传输时产生的链路损耗。该封装基板包括相对设置的第一参考层和第二参考层，该第一参考层靠近该第二参考层的一侧设置有第一复合层，该第二参考层靠近该第一参考层的一侧设置有第二复合层，该第一复合层与该第二复合层之间压合有金属走线；其中，该第一复合层和该第二复合层均包括相对且接触设置的第一介质层和第二介质层，该第一介质层与该金属走线接触；并且，该第二介质层的刚度大于该第一介质层的刚度。

A Packaging Substrate and Its Fabrication Method, Integrated Circuit Chip

The embodiment of the present invention provides a package substrate, its fabrication method and an integrated circuit chip, which can reduce the link loss caused by transmission of high-frequency signal or high-speed signal in the package substrate. The package substrate comprises a first reference layer and a second reference layer which are relatively arranged, and a first composite layer is arranged on one side of the first reference layer near the second reference layer, and a second composite layer is arranged on one side of the second reference layer near the first reference layer, and a metal line is pressed between the first composite layer and the second composite layer, in which both the first composite layer and the second composite layer are arranged. The first dielectric layer and the second dielectric layer, which are relative and contacted, are in line contact with the metal, and the stiffness of the second dielectric layer is greater than that of the first dielectric layer.

【技术实现步骤摘要】
一种封装基板及其制作方法、集成电路芯片
本专利技术涉及通信
，尤其涉及一种封装基板及其制作方法、集成电路芯片。
技术介绍
封装基板是指制造集成电路(IntegrateCircuit，IC)芯片或印制电路板(PrintedCircuitBoard，PCB)的母板。如图1所示，封装基板由导电的参考层11和不导电的介质层12依次交替堆叠而成。介质层12内压合有信号电路，该信号电路通常由一条或多条金属走线13构成，参考层11一般用于承载电源或接地信号，而各金属走线13中承载的信号最终引出至IC芯片或PCB的各个输入/输出(I/O，in/out)接口。然而，当信号的速率或频率越高时，信号在金属走线13上传输时的衰减现象越严重，产生的链路损耗越大。通常，可采用增大金属走线13的宽度的方式降低链路损耗，但走线宽度的变化会引起金属走线13的阻抗变化，那么，为保证阻抗不变，需要根据信号的速率设计介质层12的厚度，如图2所示，以一层介质层12为例，当信号的速率越高，金属走线13的宽度D越大，同时，介质层12的厚度L也会越大。但是，由于制作介质层12的材料的机械特性较差，因此，很难制备厚度很大的介质层12，当介质层12的厚度L增加到一定程度时，将达到工艺制程的极限，此时，介质层12的厚度无法继续增加，链路损耗也将无法降低。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种封装基板及其制作方法、集成电路芯片，可降低高频信号或高速信号在封装基板内传输时产生的链路损耗。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，本专利技术的实施例提供一种封装基板，包括相对设置的第一参考层和第二参考层，该第一参考层靠近该第二参考层的一侧设置有第一复合层，该第二参考层靠近该第一参考层的一侧设置有第二复合层，该第一复合层与该第二复合层之间压合有金属走线；其中，该第一复合层和该第二复合层均包括相对且接触设置的第一介质层和第二介质层，该第一介质层与该金属走线接触；并且，该第二介质层的刚度大于该第一介质层的刚度。也就是说，与传统的设置单一介质层包裹金属走线不同的是，在本专利技术实施例提供的封装基板中，在第一复合层和第二复合层之间压合了金属走线，并且，每个复合层均包括两种介质组成的第一介质层和第二介质层，这两个复合层内刚度较小的第一介质层均与金属走线接触，以便通过压合工艺使金属走线被第一介质层包裹，而第一介质层远离金属走线的一侧设置有刚度较大的第二介质层，由于第二介质层的刚度较大，不易发生变形，因此，可以制备出厚度较大的第二介质层，那么，对于高频信号或高速信号，在增加金属走线的宽度的同时，可以通过增加第二介质层的厚度，来降低信号传输时产生的导体损耗，从而降低整个传输过程中的链路损耗。在一种可能的设计方式中，该第一介质层的介质损耗因子小于该第二介质层的介质损耗因子。当某一介质层的介质损耗因子越小时，信号在该介质层传输时产生的介质损耗越小，那么，当第一介质层的介质损耗因子小于第二介质层的介质损耗因子时，由于金属走线是被第一复合层内的第一介质层和第二复合层内的第一介质层包裹的，因此，可降低金属走线上的信号在第一介质层内传输时产生的介质损耗，也就是说，使用本专利技术实施例提供的封装基板，既可以降低信号在传输时产生的导体损耗，又可以降低信号传输时产生的介质损耗。在一种可能的设计方式中，该第一复合层和该第二复合层还包括：设置在该第二介质层背离该第一介质层一侧的第三介质层；其中，该第三介质层的材料的机械特性，与该第一介质层的材料的机械特性相同。在一种可能的设计方式中，该第三介质层的材料与该第一介质层的材料相同，该第三介质层的厚度与该第一介质层的厚度相等。此时，第一复合层和第二复合层均可以视为由第一介质层和第三介质层包裹第二介质层组成的“三明治结构”，在这个“三明治结构”中，将材料相同的第一介质层和第三介质层分别设置在第二介质层的两侧进行压合时，第一介质层与第二介质层的接触面，以及第三介质层与第二介质层的接触面均会产生张力，使第一介质层和第三介质层吸附在第二介质层的两侧，使第一复合层和第二复合层的内部组成一个结构稳定的“三明治结构”，从而使形成的第一复合层和第二复合层的结构更加稳定。在一种可能的设计方式中，该第二介质层的热膨胀系数小于或等于9ppm/℃。在一种可能的设计方式中，该第二介质层的杨氏模量大于等于25MPa。在一种可能的设计方式中，该第一介质层的介质损耗因子小于等于0.01。第二方面，本专利技术的实施例提供一种封装基板的制作方法，包括：在第一参考层上压合第一复合层，该第一复合层包括相对设置的第一介质层和第二介质层，该第二介质层的刚度大于该第一介质层的刚度，该第一复合层内的第一介质层远离该第一参考层；在该第一复合层上形成金属走线；在形成有金属走线的第一复合层上压合第二复合层，该第二复合层包括相对设置的第一介质层和第二介质层，该第二介质层的刚度大于该第一介质层的刚度，该第二复合层内的第一介质层与该金属走线接触；在该第二复合层上压合第二参考层。在一种可能的设计方式中，在第一参考层上压合第一复合层之前，还包括：制作该第一复合层和该第二复合层。在一种可能的设计方式中，该第一复合层和该第二复合层还包括：设置在该第二介质层背离该第一介质层一侧的第三介质层，该第三介质层的材料与该第一介质层的材料相同；其中，制作该第一复合层或该第二复合层，包括：将该第一介质层和该第三介质层分别压合至该第二介质层的两侧，得到该第一复合层或该第二复合层。在一种可能的设计方式中，在第一参考层上压合第一复合层，包括：以该第一复合层中的第三介质层为压合面，将该第一复合层压合至该第一参考层上；在形成有金属走线的第一复合层上压合第二复合层，包括：以该第二复合层中的第一介质层为压合面，将该第二复合层压合至形成有金属走线的第一复合层上。第三方面，本专利技术的实施例提供一种封装基板的制作方法，包括：按照第一参考层、第一复合层、金属走线、第二复合层至第二参考层的顺序进行一次性压合，形成该封装基板；其中，该第一复合层和该第二复合层均包括相对设置的第一介质层和第二介质层，该第一介质层与该金属走线接触；该第二介质层的刚度大于该第一介质层的刚度。第四方面，本专利技术的实施例提供一种集成电路芯片，该集成电路芯片包括上述封装基板。第五方面，本专利技术的实施例提供一种印制电路板，该印制电路板包括上述封装基板。本专利技术中，上述封装基板的名字对设备本身不构成限定，在实际实现中，这些设备可以以其他名称出现。只要各个设备的功能和本专利技术类似，即属于本专利技术权利要求及其等同技术的范围之内。另外，第二方面至第五方面中任一种设计方式所带来的技术效果可参见第一方面中不同设计方式所带来的技术效果，此处不再赘述。本专利技术的这些方面或其他方面在以下实施例的描述中会更加简明易懂。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图1为现有技术中封装基板的结构示意图；图2为现有技术中降低链路损耗的原理示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种封装基板的应用场景示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种封装基板的结构示意图一；图5为本专利技术实施例提供的一种封装基板的结构示意图二；图6为本专利技术实施例提供的一种封装基板的制作方法的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装基板，其特征在于，包括介质层，以及设置在介质层中的金属走线，所述介质层包括第一介质层和第二介质层，所述金属走线被夹在两层第一介质层之间，所述两层第一介质层进一步被一起夹在两层第二介质层之间，所述第二介质层的刚度大于所述第一介质层的刚度。

【技术特征摘要】
1.一种封装基板，其特征在于，包括介质层，以及设置在介质层中的金属走线，所述介质层包括第一介质层和第二介质层，所述金属走线被夹在两层第一介质层之间，所述两层第一介质层进一步被一起夹在两层第二介质层之间，所述第二介质层的刚度大于所述第一介质层的刚度。2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述第一介质层的介质损耗因子小于所述第二介质层的介质损耗因子。3.根据权利要求1或2所述的封装基板，其特征在于，所述介质层还包括第三介质层，，所述两层介质层被夹在两层第三介质层之间。其中，所述第三介质层的材料的机械特性，与所述第一介质层的材料的机械特...

【专利技术属性】
技术研发人员：符会利，郭健炜，刘铁军，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44